Программа схемотехнич моделир Micro-Cap 8 М.А.Амелина 2007-600RM (967609), страница 23
Текст из файла (страница 23)
Пример фрапиента этого файла, включающего библиотеки российских компонентов: ;КЕМ Визз1ап согпр .!1Ь "г-д)ос1.!!Ь" .1!Ь "г-прп.!!Ь" .11Ь У-рпр !1Ь" .!!Ь "зочЬ!ро!.!!Ь" .11Ь "зочо!ос!.!!Ь" ,1!Ь "зочро!.!!Ь" .!!Ь "зочзсаЫ!Ь" .!1Ь "г-согпр.!!Ь" .!!Ь "г-ораспр1.11Ь" .8Ь "г-орагпр2.! 1Ь" .1!Ь "г-орагпрЗ.!!Ь" .1!Ь "х-орагпр.1!Ь" .1!Ь кд!Огиз.11Ь" .8Ь "с!!дгиз2.11Ь" .МАСВΠ— задание определений макросов Формат (только для схем М!сгоСар-8): .МАСгсО <имя макроса> <имя схемы с макроопределением (список значений параметров)>.
Подобно директиве .ОЕР1!чЕ, определяет имя макроса и набор значений параметров, подставляемых в схему. Используется для более компактной записи параметров моделей на схеме, где вместо длинного определения набора параметров записывается имя макроса. Пример; .МАСВО МУ ЗОВ ЗОВ(50гп,40гп,1и,1,50,50МЕ6,20и,.5,1) Здесь дано определение макроса МУ ЗСгс, который при вызове в моделируемой схеме будет заменен моделью тиристора с соответствующим списком параметров ЗСй(50гп,40гп,1ц,1,50,50Ме0,20щ0.5,1).
.МООЕ~. — описание модели компонента Формат (для схем и ЯР!СЕ-текста): 102 Програллма схемотехнического модеянроеання М!сгоСар-о Имя тяпа модопя ] тяп аоппонепта Аналоговые компоненты Резисто Кон енсвто САР СОКЕ Магнитный се дечник анс о матс в !М0 Инд ктивность 0 иод ОАЗЕЕТ 10ВТ А сенид-галлиевый полевой транзистор с каналом и-тииа Бииопя ныйт анзисто сузили ованным затво ом МРМ РМР Бииоия ный и- и-т анзистор Бииопя ный — и — -т анзисто Б„„,л екчччлр,~у Полевой анзисто с каналом и-тиив 1 РМР М,1Е РаЕ Полевой т анзисто с каналом -типа ММОЗ МОП-т анзисто с каналом и-тииа РМОЗ МОП-т анзисто с каналом -типа Линия ие е ачи Ключ, и авляемый наи яжением ТКМ ЧЗе111ТСН .МООЕБ <имя модели> [АКО: имя модели прототипа>) <имя типа модели> + ([[<имя параметра>=<значение>] + [(.ОТ[1бб]=<значение>[%]] [ОЕЧ[!Зт!]><значение>[%]]).
Здесь <имя модели> — имя модели компонента схемы, назначаемое пользователем произвольно, например К(ОАО, КТ315Ч, 0104. После ключевого слова АКО (А К!пб 01) помещается необязательная ссылка на имя модели прототипа, что позволяет указывать только значения различающихся параметров. Далее идет имя типа модели (диод — О, резистор — КЕЗ и т.
д., см. табл. 4.4). Затем в круглых скобках указывается список значений параметров модели компонента (если этот список отсутствует или неполный, то недостающие значения параметров модели назначаются по умолчанию). Примеры: .МООЕ1 К1ОА0 КЕЗ (К=1.5 ТС1=0.2 ТС2=.005) .МООЕ1 0104 0(18=1Е-10) .МООЕ( 2М2222А АКО:2М2222 МРМ(ВЕ>55 18Е=10Е) .МООЕ(. СК САР(С=1 0ЕЧ=0.1) .МООЕ( М1 ММОЗ (1 ече!=3 ЧТО=2.5 БОТ=ЗО % ОЕЧ=1 %) .МООЕ~ Ч1Й1 Р(Л (Чопе=10Ч р1=0 р2=.1о р3=10ц р4=10.1ц рбт15ц) АКО позволяет создавать новые модели на основе существующих. В нижеприведенных примерах диод 1М914А имеет одинаковые параметры с диодом 1М914, за исключением КЗ, который равен 10; транзистор КТ315Π— одинаковые параметры с транзистором-прототипом КТ315А, за исключением ВЕ=130. .МООЕ(.
1М914А АКО:1М914 0(К8=10) .МООЕ1 КТ3150 АКО:КТЗ15А МРМ(ВЕт130) <Имя типа модели> связано типом компонента и имеет условное обозначение, указанное в табл. 4.4. Таблица 4.4. Типы моделей компонентов 4. Форматы задания компонентов Окончание табл. 4.4 тип компонента Имп типе модели 18УУ1ТСН Ключ и ввляемый током ОРА" Опе ационный силитель Р01." Источник имп льсного сигнала Источник син сои вльного сигнала Уст ойства инте ейса Аналого- и свой инте ейс 01МР0Т РОРТРРТ и оаналоговый инте ейс и овые ст ойства Аналого- и свой и еоб азоватепь 0АОС и оанвпоговый преобразователь Мо ель вхо а/выхо а и овогоустройства 00АС 010 0ОАТЕ 0ТОАТЕ Станда тный вентиль Вентиль с т емя состояниями еп .н "."".
' н 'ю" 0ВТО 0ЕЕЕ Т игге с инвмическим и велением 0ОЕЕ Т игге с потенциальным управлением П ог амму емыелогические мат и ы 00ЕУ 0РЕР * Использ ются только п и г а ическом вво е схем. Каждый параметр модели может принимать случайные значения относительно своего номинального значения, задаваемые с помощью ключевых слое: [1 ОТ[1Ы]=<!о!1 >[ %]] [0ЕН[18 б]=<!о!2>[ %]] где РОТ вЂ” ключевое слово параметров, принимающих коррелированные случайные значения; 0ЕН вЂ” ключевое слово параметров, принимающих независимые случайные значения; [1М] — определяет случайную последовательность и распределение, используя следующий формат: [/<1о1№>][/<закон распределения>] Эти экспликации следуют сразу же за ключевыми словами 0ЕН и РОТ без пробела и разделяются символом «/».
<!оГ№> — определяет номер одного из 10 генераторов случайных чисел, используемого для генерации отклонений параметра. Позволяет согласовывать (коррелировать) расброс разных параметров в пределах одной модели или одного параметра для разных моделей. Генератор случайных величин 0ЕН устанавливается независимым от генератора РОТ, четким разграничением номеров генераторов.
Указание точности без <1о1№> вызывает генерацию уникальной последовательности. <Закон распределения> указывает вид распределения отклонения случайной величины, которое может быть следующим: 1/!ч[ЕОВМ вЂ” равновероятное распределения случайного отклонения в пределах заданного процентного разброса; ОА088 — нормальное гауссово распределение случайного отклонения; УЧСАВŠ— наихудший случай разброса параметров, 104 ПРогРалсна схелеосаехнннесного л~оделнРованнн М~ссоСаРсо Если тип распределения случайного отклонения не задан параметром [Яб], он указывается в диалоговом окне анализа Монте-Карло. После этих ключевых слов указывается значение разброса случайного параметра в абсолютных единицах или в процентах.
Пример задания модельных параметров со случайным расбросом величин: .МООЕ( ЙРИ А ЙРЙ (ЙЕ=12 ( ОТ/1/6А088=30 оло ОЕЧ/2/0Й1РОЙМ=2 %) Директивы моделей конденсатора, индукгивности, резистора, диода, арсенид-галлиевого полевого транзистора (ОаАзРЕТ), биполярного транзистора (В3Т), полевых транзисторов с управляющим р — п-переходом (3РЕТ) и изолированным затвором (МОЗРЕТ) могут задавать две температуры: ° Температуру измерений (Меазигегпеп( (егпрегашге) — температуру, при которой предполагается измерение модельных параметров. Эта температура является точкой отсчета для расчета температурно-зависимых величин.
Значение этой величины по умолчанию берется равным параметру ТНОМ 01оЬа! Зе!(!пйз (27 'С). Может быть изменено с помощью директивы .ОРТЮ!л!3 ТНОМ. ° Температуру работы прибора — температуру, используемую для расчета модельных параметров, исходя из их значений при температуре Т(чОМ. Для изменения температуры измерения параметров (Меазцгегпеп1 1егпрегашге) надо указать в директиве модели значение Т МЕАЗОВЕО.
Например: .Мосе! М710 ИМОЗ ((.ече!=3 ЧТО=2.5 Т МЕА80ВЕО=35) Температуру работы прибора можно изменить тремя способами: Ключевое слово Температура работы прибора Т АВЗ Т АВЗ Т ВЕ~ ЬОСА1 Т ВЕ1 ЬОСА1 +Т АВЗ(для АКО-прототипа) Т ВЕ! О! ОВА! Т ВЕ(. 6(.ОВА(.+глобальная температура Глобальная температура может задаваться следующими способами: ° В схемах на языке ЗР1СЕ глобальная температура определяется директивой .ТЕМР, текстовой строкой .ОРТ!О!чЗ Т(чОМ=ХХХ или (при их отсутствии) величиной ТИОМ в 01оЬа! Зей!пцз.
Когда запускается анализ, определенная вышеуказанным образом глобальная температура подставляется в поле Тетрегагиге (Температура) диалогового овна параметров анализа (Апа!увез (лт!гз). ° В схемных файлах глобальная температура определяется полем Тетрега!иге окна Апа!уз(з ( !т)(з. Директива .ТЕМР не действует. Примеры: ° В этом примере температура работы прибора (ч1 — 47 'С: .ТЕМР 47 .МООЕ1 !л!1 !нРИ(ВРа50) ° В этом примере температура работы — 35 'С: .МОСЕ( (л!1 ЙРМ(ВЕ=50 Т АВ8=35) ° В этом примере температура работы прибора Ы1 — 30'С, а прибора (н2 — 55 'С: .МООЕЬ (л!1 ИР(ч(ВР=50 Т АВЗ=ЗО) 4.
Форматы задания комаоненоеоа 105 .МООЕЕ И2 АКО:И1 ИРИ(Т йЕ1 (.ОСА1 =25) ° В этом примере температура работы прибора И1 — 75 'С: .ТЕМР 35 .МООЕ(. И1 ИРИ(ВЕы50 Т ЙЕ) О) ОВА(.=40) .ИООЕЗЕТ- задание начального приближения режима по постоянному току Общий формат (для схем и ЗР)СЕ-текста): .ИООЕЗЕТ <Ч(<аналоговый узел1>[,<аналоговый узел 2>])=<значение напряжения»*; для индуктивностей: .ИООЕЗЕТ <((<индуктивность>)=<значение тока»*; для цифровых узлов: .ИООЕЗЕТ <0(<цифровой узел>)=<логическое состояние»*. Примеры: .ИООЕЗЕТ Ч((И1)<450Ч Ч(00Т)=1.2МЧ .ИООЕЗЕТ Ч(7)=4 0(Н1)>1 .ИООЕЗЕТ!((.10)ы3.5гпа По директиве ИООЕЗЕТ в режимах АС и ТВАИЗ)ЕИТ производится установка начальных значений узловых потенциалов аналоговых узлов и логических состояний цифровых узлов для расчета режима схемы по постоянному току.
В отличие от директивы 3С состояния этих узлов фиксируются только во время вычислений одной итерации расчета режима по постоянному току. Это необходимо при расчете устройств с несколькими устойчивыми состояниями (например, триггеров) и полезно для улучшения сходимости при анализе режима по постоянному току сложных схем. Если имеются обе директивы, .ИООЕЗЕТ и 3С, то директива .ИООЕЗЕТ игнорируется. .ОРТ/ОИЗ вЂ” установки параметров Общий формат (для схем и ЗР)СЕ-текста): .ОРТ(ОИЗ [<имя параметра>)* [<имя параметра>=<величина параметра>)*. Примеры: .орйюпз ОМ!Иы1еи9 ЧИТО(.м1 и АВЗТООа1п ОЕРА8=.1и .орбопз ИОООТМЗО Команда позволяет изменить значение глобальных параметров для отдельной схемы. Команда изменяет значения параметров, установленных в окне 6/оЬаl Зейпдз.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
