Программа схемотехнич моделир Micro-Cap 8 М.А.Амелина 2007-600RM (967609), страница 18
Текст из файла (страница 18)
Асвие НПегв... — команда запуска синтеза активных фильтров с заданными параметрами. Можно создавать фильтры нижних частот (ФНЧ), фильтры верхних частот (ФВЧ), полосно-пропускающие фильтры (ФПП), полоснозаграждающие фильтры (ФПЗ), фильтры задержки. Для синтеза фильтров можно использовать полиномиальные аппроксимации Батерворта, Чебышева, Бесселя, инверсную Чебышева, Кауэра (эллиптическую). Для реализации звеньев синтезируемого фильтра можно использовать различные схемы на основе операционных усилителей, начиная от схемы Саллена-Ки и кончая схемой Тоу-Томаса.
В процессе синтеза доступны для просмотра синтезируемая схема фильтра, импульсная, переходная, амплитудно-частотная характеристика идеализированной схемы. На заключительном этапе диалога создается схема фильтра в виде новой схемы или макромодели (по выбору). Рава(ие Я)гегв... команда запуска синтеза пассивных ЬС-фильтров в соответствии с введенными параметрами. Можно создавать фильтры нижних частот (ФНЧ), фильтры верхних частот (ФВЧ), полосно-пропускающие фильтры (ФПП) и полосно-заграждающие фильтры (ФПЗ). Для них можно выбирать полиномиальные аппроксимации Батерворта и Чебышева и использовать для реализации звеньев схемы двух видов.
В процессе синтеза и активных и пассивных фильтров доступны для просмотра синтезируемая схема фильтра, импульсная, переходная, амплитудно- частотная характеристика идеализированной схемы. На заключительном этапе диалога создается схема фильтра в виде новой схемы или макромодели (по выбору). (Подробную информацию о синтезе фильтров см. в соответствующей главе.) Пункт меню МООЕЕ Меню работы с библиотеками моделей электронных приборов в бинарном формате (с расширением .(.Вй). Можно просматривать и редактировать параметры моделей указанного формата, создавать новые модели на основе справочных и экспериментальных данных с помощью встроенного оптимизатора.
Подробности см. в главе описания математических моделей компонентов и соответствующих экранных окон программы МООЕ(.. 4. ФОРМАТЫ ЗАДАНИЯ КОМПОНЕНТОВ Общие сведения Параметры всех электронных компонентов задаются при помещении компонента в принципиальную схему — щелчком левой клавиши мыши открывается окно задания параметров соответствующего пассивного (активного) компонента. Все компоненты в М1сгоСАР-8 могут быть заданы двумя способами: ° Непосредственным заданием в открывшемся окне параметров номинального значения компонента (позиция ЧА(.ОЕ) и(или) имени используемой модели (позиция МООЕ(.). ° Заданием в окне параметров компонента в строке ЧА(.ОЕ имени переменной, обозначающей номинал компонента (например, гг(оаб, Сои1, С(п, (.р(пз и т.
д.) и последующим текстовым вводом информации, ставящим в соответствие этой переменной его номинал или модель. Текс1опь й ш:.; формации выполняется директивой .Оебпе и может быть осуществлен как в схемном окне (что более наглядно), так и в текстовом. Задание вторым способом является более универсальным. Оно предоставляет пользователю ряд дополнительных возможностей при выполнении анализа, с которыми читатель познакомится в последующих примерах. Ввод номинальных значений компонентов осуществляется в системе СИ, за исключением катушки с магнитным (нелинейным) сердечником. Значения компонентов задаются либо непосредственно (2600), либо в показательной форме (2.ЗЕЗ), либо условными буквенными обозначениями (5К).
Используются следующие буквенные обозначения для множителей (табл. 4.1). Таблица 4.1. Буквенные обозначения множителей для численных значений 1е" фем пто Следует обратить внимание, что в М1сгоСар целая часть чисел отделяется от дробной не запятой, а точкой. Например, 1.ЗК или 1.ЗЕЗ. На рис. 4.1 приведен пример задания одного из пассивных компонентов— резистора. В рассмотренном примере на экране отображается позиционное обозначение компонента (РАгтТ), величина (ЧА( ОЕ) и имя модели, что определяется установкой соответствующих флажков отображения в окне задания компонента (в данном случае гтез(з(ог).
Отметим, что величина любого пассивного компонента (сопротивление резистора, емкость конденсатора, индуктивность катушки) может определяться как любая функция узловых напряжений схемы, токов ветвей, времени и температуры, что выгодно отличает программу М1сгоСар от РВР1СЕ. При описание принципиальных схем используются числа, переменные, математические выражения и текстовые директивы. 82 Программа схемотехяичесиого моделироааяия М(сгоСар-В уе;"уж-'.
' ., $14 е(4(тке()йеавве (вг ', ' ' ' е (';;(4':-ч",: -„ь,""хай)4( р*'-'(ке(( )(; а(:-''„'(а) м) 'Ъ '0(УМ!;Ф'':,:::;~~;.'.~!(Ю.';.; ":;-'„.а')(йа) ';;.: „,'.;-„(цП'. ПЩ$:Р;Ф::.~'нвФ~~;:ХИ, а)И~ Гв-.:таТ.СОТ(йа(ВТВ(ЕВ(.)ЧТ:.-: ", 'Оь(а(О': ТОВ~~::.~$(в(В а'-61%, ЕЕ 11(В -'! Е Е. .'в-''.,:-'-',,-,",.',!:;:-:.:„" ...,'....„'„";::;;". '„',-:,1 й4 Ч(й5) Кй() 4ЕЭ'Т 21 (к й5 (ВЕО СТ 10% чт ТВММО(Е Ч( 4) ЯЭ йьаа еаае теаа (М Твиаау Си. ТЯАМЯЕМТ 44)ь Р 4 ° ьачаь ые Р ( 1 Р:( «В(1 Ь у(РВВВ1ЧВ.ЬХВ .МСОВЬ СЕ ва ВВВ (Ве( Вот=54 тСЬеЬООЮ * Ра Ш О:(В В(1 Ь * у(ОРЬЬЬРУ.ЬРВ *'+ 5Ч т41ЕВО1Е 24 е .МОРВЬ татвивум РОЬ (91=0 Р2=5002 РЭ=5002 Р4=1и Р5=10) ° ' Рт В Ш О:Те В(1(Ь ау)РВВВЬЧВ.ЬЬВ .МООВЬ Ст 104 ВВВ (2=1 502=104 РС1=1000) МТНБРМВ~ Ттачввг(2 ~;."-~:: етет:::..(т,:„!.
Рис. 4.1. Способы задания компонента .1. Г Числа Числовые значения параметров компонентов представляются в виде: ° действительных чисел с фиксированным десятичным знаком (обратим внимание, что в качестве десятичного знака в программе МС8 используется точка), например сопротивление 2,5 кОм записывается как 2500 или 2.5К, а емкость 1 мкФ вЂ” как 0.000001; ° действительных чисел с плавающей точкой, например емкость 1.5 мкФ может быть записана как 1.5Е-В; ° деистеительных чисел с плавающей точкой в инженерной интерпретации, согласно которой различные степени десяти обозначаются буквами (см. табл.
4.1). Для экономии места на осях Х, У графиков результатов моделирования малая буква «пт» обозначает 10 ', большая буква «М» — 10' (вместо МЕОА). Во всех остальных случаях большие и малые буквы не различаются. Например, сопротивление 1,5 МОм может быть записано как 1.5МЕО, 1.5тей или 1500К, емкость 1 мкФ вЂ” как 10 или 1иЕ. В последнем примере показано, что для большей наглядности после стандартных буквенных обозначений допускается помещать любые символы, которые при интерпретации чисел не будут приниматься во внимание. Пробелы между числом и буквенным суффиксом не допускаются! 83 К Форл~аты задан«н номпоненнюо Переменные В программе МС8 ряд констант и переменных имеют стандартные значения: Т вЂ” время в секундах; Р— частота в герцах. Š— ЕХР(1)= 2.718281828459045; Р( — число к=3.141592653589793; ,/- мнимая единица, корень квадратный из — 1; 8 — комплексная переменная, используемая при анализе аналоговых устройств, чаще всего под этой переменной понимается комплексная частота э=~2«7'(в отечественной литературе по курсам «Основы теории цепей» и «Математический анализ» она обозначается р); ОСIИРУТ1 — первая входная переменная в расчете передаточных характеристик по постоянному току (ОС апа!уз(з); ТЕМР-температура компонентов в градусах Цельсия; )ГТ вЂ” температурный потенциал р-п-перехода, равный 1,3806226.10 "н х(273,15+ТЕМР)/(1,6021918 10'»); при ТЕМР=27'С ЧТ«25,86419гпВ; ОМ(И вЂ” минимальная проводимость ветви, задаваемая в диалоговом окне ОР6опв>бlоЬаl ве1 14пдэ; ТМ1И вЂ” начальный момент времени расчета переходных процессов; ТМАХ- конечный момент времени расчета переходных процессов; ОТ- шаг по времени в режиме анализа переходных процессов.
РМ1И вЂ” начальная частота расчета частотных характеристик; ЕМАХ вЂ” конечная частота расчета частотных характеристик; (ИО/ЗŠ— шум, приведенный ко входу в режиме анализа частотных характеристик (АС); ОИО/ЗŠ— шум, приведенный к выходу в режиме анализа частотных характеристик(АС); РОТ вЂ” общая мощность, генерируемая источниками энергии схемы; РВТ вЂ” общая мощность, запасаемая в индуктивных и емкостных компонентах схемы; РОТ- общая рассеиваемая в схеме мощность; ЕОТ вЂ” полная энергия, генерируемая источниками схемы; ЕВТ вЂ” полная энергия, запасаемая в индуктивных и емкостных компонентах схемы; ЕРТ- полная энергия, рассеиваемая в схеме; 2 — комплексная переменная, используемая при анализе дискретных устройств (цифровых фильтров).
Номера узлов, присваиваемые программой МС8 автоматически, представляют собой целые числа, например О, 2, 25. Кроме того, пользователь по команде Орггопв>Мог(е>Техг (. '1) может присвоить любому узлу имя в виде текстовой алфавитно-цифровой переменной, начинающейся с буквы или символа «» и содержащей не более 50 символов латинского алфавита, например А1, Ои(, йеэе1. В математических выражениях могут использоваться переменные, представленные в табл. 4.2.
84 Таблица 4.2. Переменные, используемые в программе М(сгоСар-8 Переменная Онн 0(А) Логическое состояние цифрового уз Напряжение на узле А (напряжения ли кото ой и ог амма и усваивает Ч(А) Ч(А,В) Разность потенциалов между узлам Ч(01) Напряжение между выводами 2-вы $(01) Ток через 2-выводной компонент 01 Ток через ветвь между узлами А и включена е инственная ветвь А $(А,В) Ток, втекающий в вывод $$ компоне больше 2 А $Р(Я1) Напряжение между выводами Н и 8 во ов больше 2 В ЧНЗ(С 1) Емкость между выводами й и 3 ком больше 2 Ф СВЗ($21) б)НЗ(01) $$(й1) Сопротивление резистора Н1 (Ом) С(Х1) О(Х1) Ц$1) Х($1) В($1) В8$($1) Магнитная индукция в сердечнике катушки $1 (Тл) Н($1) Н8$($1) Напряженность магнитного поля в сердечнике катушки $.1 (А/м) Время Частота Комплексная частота, равная 2яуг' Р ОНО(ЗЕ $НО)ЗЕ ЕО(Ч1) РО(01) ЕЗ(01) Е0(01) РО(Ч1) РЗ(Х1) Програшга еяемотеянннееногомоделирования МгагоСар-8 Заряд емкости между выводами Н и 8 компонента 01 с количеством выводов больше 2 Кл Емкость конденсатора или диода Х1 (Ф) Заряд конденсатора или диода Х1 (Кл) Индуктивность катушки индуктивности ~1 (Гн) Магнитный поток в катушке индуктивности $.1 (Вб) Магнитная индукция в сердечнике катушки $.1 (Гс) Напряженность магнитного поля в сердечнике катушки $.1 (Э) Корень квадратный из спектральной плотности напряжения шума, отне- сенного к выход Корень квадратный из спектральной плотности напряжения шума, отнесенного ко вход, авный ОНО(ЗЕ/коз ициент пе е ачи по мощности Энергия, генерируемая источником Ч1 Энергия, накапливаемая в устройстве 01 Энергия, рассеиваемая в компоненте 01 Мощность, генерируемая источником Ч1 Реактивная мощность, накапливаемая в устройстве Х1 Мощность, рассеиваемая в устройстве 01 4.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
