Основы САПР (CAD,CAM,CAE) - (Кунву Ли)(2004) (951262), страница 82
Текст из файла (страница 82)
и с илатцюрмы, Обычно ио>ц<срживз<оиии с!0) 1<суй<3 имсчот иси.к>) иыЙ к~итак~ с ц > $ а т с платформой. Для достижения озиач<ииых ш ш>е )'рсх целей мииималыи)е возвышение иьслсс) ала иал нов< рхиос) ь>о илатфорхил лолжио составлять от 6,35 мм (0,25 л!онмов, лля 8!А-250) ло 8,89 мм (0,35 люимов, лля 51 А 5000) !75~. Поллержива<о щая с<рук)ура лол>к>ш также следовал иерифср>шиой части нижнего слоя летали, включая углы. Поллер>кка веси иижисй плоскости детали о<раиичит сс <ен ленц<по к и:и.ибаишо иол собственным весом ио мере иаращив 1 и ; вшивания следующих слоев.
Однако иа ирактикс край иоллсрживак>шсй структуры лслают отстуиа<о' шим виу) ръ от края нижнего стоя лс тали иа 0,251 мм (0,01 л)ойма). Это ш>зволяет избежеаь по.н>мьи красе ири улзлсшш иоллсржшшкицсй структуры. Рагиростраиси<<ОЙ 13рзкт>и ОЙ явл><стся исвтаОвлси<3с 5!чсистОГО иьс иьслс стасе 1шщ КО<1<си!- иере лля я)<ц ( шс.
12.3 $ (! ..32). что иозщ)лют легко удал>пь иоЛЛсрживюощую структурр)с Рис. 12.32. Генерация ячеистого шаблона лля пьедестала ' Поллсрл ивсцощис ст > кт 1у 'уръ! требуются также, ксяла легаль имеет «островки> или иависщощис части. Г) г>)$7>с>ака<$ (!5|а«<с7) иазь<вастся часть детали, ие связав иая с какой-либо лруи>й частьк) лашк>го с>юя (см. рис. !2.2, б).
В этом случае островок ирисоелиияется к и.>атформс или к самон:<е>цщи цутем иросктирова- 1'<щ >ц)оф<шя остро<жа иа иовсрхиос) ь илатформы или ирелылу«це! о слоя детали л .1у $<м слоем хюжет быть ирелиочтительио, если островок расиолагастся в»коко иа л платформой, поскольку это сакра)ит лли гельиость из 1оговлси>О> Нависиии чаши ),$ '" !<> ' ' ' с, и закжс с.клуст валлер>кш>ать с иомощьк> треугольных Оолиорок, $<$$$>ыв>)сх>ы. хли>а >ма< (ц<<<х<$!)) (< и. Рис ! 2.2, а).
Выступ, выдан)шш)ся более чем на 1,27 мм: (0,05 люймов), булавснэгссбвтьея -но)г>мйветва«<итяы-вееои> ылн его не иолинрать. Арки или выпуклые иоверхностй по)1$3лрж>«вают себя саы>$$ иоскольку величина уступа между соселннми слоями мала н иоллержнвающне структуры не требуются. Но сели иоверхиость является плоской, обращенные вниз иоверх>3<кти алиной более 1,27 мм необходимо поддерживать (рис. 12.2, в'и г).
Во многих системах тверлотсльного и ги>верхиостно«о моделирования ирелусмотреи режим сборки, в котором иользовагель может моделировать поддержи'- ваюисие структуры, глядя илц оиираясь ца >.еометрцю летали. 12.4.4. Расщепление и объединение На стадии расщепления и слияния деталь и иоллсрживающнс структуры рас- сскаются компьютером на сершо израллельных ж>ризонтальиых илоскостен. Результатом являются файлы сечении, состоящие из расиоложсииых слоями лруг нал другом иоиеречных сечений.
Р<)с< то>31<не между иоиеречными сечения- .'- ми — это толщина слоя. Толщина слоя выбирас) ся нсхоля из упомянутого выше эффекта «ступенек». Нижшш ирслсл толщины слоя оирслелястся разрсшщощей способностью управления подъемным механизмом илатформы, а верхши1 — ' мощностыо лазера н скоростьк> сканирования. В существующих л<ашииах лля '. стереолитографии диапазон лоиустнмой толщины слоя составляет от 0,06<1 мм (0,0025 люйма) ло 0,762 мм (0,030 лк>йма). После того как файлы сечений лля детали и иоллержииающих структур созданы,'"-..';- онн объелнияются, так что деталь и ес иоллержива<ощие структуры могу~ 3<это-' ч .
> тавлнваться вместе как единое целое. Если одновременно на олной ила!<3>орме...:, лолясны изготавливаться несколько деталей (рнс. 12.33), файлы сечений всех де-:.', талей н иоллсрживающих структур объединяя>тся таким образом, что иоиереч- ные сечения, ирииаллежащие о>ии)му и тому жс ело>о, интсрирстируются как ио .;") исрсчиое сечение одной летали. На этой стадии также оирслеляются иараметры, исобхолнмыс лля изготовлсния "-'-' детали (ирелиолагаемый стиль и желаемый шаг решетки, компенсация пшрнны,; лин>ш и коэффициенты кол<не><сации усалюс).
Рис. 12.33. Пример объединения двух различных деталей Стиль и шаг решетки В>>у>$>рсчсяяя рсваетка (тсщаа! )юй й) — это метов отис ржлеиия внутренности ле х; тали, илн объема внутри грации. П<>скольку отвержлеиис ироизволится путем":, сканирзвания лу>ге())1>)>эзера конечного лнамет(>в практически невозможно пол- > постыл просканнров>)ть внутренность петелй( Однако выборочное сканирование может обеспечить структурную жесткость, а незатверлевшие области оставляются ло г>роцедуры окончательного отверждения. То есть сначала очерчиваются границы, а затем сканируется внутренносзчь для чего используется один из следующих стилей.
Трехлинейная решетка (Тг>-На(сй) состоит из линий, параллельных оси х, а также линий под углом 60' и 120' к оси х. Это дает внутрепнкпо структуру из равносторонних треугольников. |Шаг между этими линиями чаще всего ус>анавливается равным 1,27 мм (0,05 л>ойма), Трехлинейная реп>етка была самым распространенным шаблоном сканирования, пока не появился мег тол >й>ЕА> Š— новая технология изготовления леталсй, разработанная фирмой 3)) Яуз(сп>5. В метоле ЮЕА >гЕ обычно используется решетка из линий, параллельных осям х и у, Обратите внимание, что ячеистый шаблон для подпорки-основания, показанной на рис.
12.32, можно создать с помощью метода >з>ЕА>>Е с большим шагом рс>пстки. Решетка для детали имеет шаг около 0,279 мм (0,011 дюйма) при толщине слоя 0,254 мм (0,010 дюйма) по осям х и у. Для более тонких слоев нсобхолимо уменьшать шаг решетки.
Появление метода >й>ЕА>>Е значительно повысило точность изготовления деталей в сравнении с прежним методом трехлинейной решетки. С тех пор были разработаны еще несколько технологий выполнения п(н>цесса. Почти все передовые процессы изготовления деталей, стремяшиеся повысить точность изготовления летали, сосрслг>зачинаются на мипимиаации эффектов внутреннего напряжения. Технологии 5ТЛК-(йгеа>с, ОгпсйСа51 и ЛСЕ5 были специально разработаны с целью уменьшить искажения.
Новый стиль ВТАК-'>>>ЕЛЪ'Е, являющийся производным от ЖЕАНЕ, вводит >ри новых понятия: шохлгатпая решетка (зтаяяегег( Лг>тсгг), чередование последоеател»ности (а!гегпаге зег7иепс>пБ) и сокуаи(епнпя решетки (гестас(ег()>а(сй), В акронимс «ЯТАК->>>ЕАЗА>Е» буквы «ВТ» обознача>от шах»>атную решетку, «А» — чередование, а «К» — сокращенную решетку. Различия мсжлу обычной и шахматной решеткой иллюстрирует схематическая лиаграмма па рис. 12.34. При сканировании по методу 5ТАК-(йгЕА>>Е, поскольку вектора решетки и-го слоя смещены ровно на половину шага обычной реше~- ки (й,,>2) по отношению к векторам решетки (и — 1)-го слоя, какие-либо слепы микротрещин исчезают.
Кроме того, этот метод позволяет уменьшить копцснтраци>о напряжений вдоль более слабых областей мсжлу векторами. Тсрмин чередоегпгие последовательности означает, что последовательность рисования линий чередуется от слоя к слою. В этом случае векторы Х и У булут череловаться в ги>рядке, определенном последовательностью рисования. Так, напРимер, в четных слоях первыми могут рисоваться векторы Х, а в нечетных— векторы У. Более того. направление рисования векторов также чередуется.
Соответственно, например, в и-м слое векторы Х рисуются первыми в направлении от г>ерелнсй стенки чана к задней стенке. В (и + 1)-м слое векторы Х рисуются втоРыми (после векторов У), причем в направлении от задней стенки чапа к пеРелпей, Рис. 12.34. Сравнение стилей решеток: а — обычная решетка; б — шахматная решетка (источни>с Р..>асоь, г)арк> Рго>о(ур>пд е мапо(ас1иггпд; Риппатепга(а ог Б>егео (льодгарьу, Бес!е1у о1 Мапщас1цппд Епд(пеега (БМЕ), МсБга»>-Н6, 1992) В сокращешн>й Решетке каждый вектор, Х либо У, проведен так, что он соединен,,';.:".: только с одной из границ. Противоположный конец вектора решетки отстоит от ', соотвстс>вую>цей границы ца нсбольшос расстояние, <>бычно порядка 0,25 мм (0,01 дюйма).
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
