1629382485-048081f33d7067cb67d6bd3d4cee7eee (846428), страница 25

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 25)

Н а рис. 5-6, а представлена анод­ная характеристика ди о д а / а = / ( и л). В зависимости от использования лампыи, следов ательн о, от того, какой из участков характеристики представляетнаибольш ий и н тер ес, можпо выделить на кривой различные участки д ляаппроксимации и х линейной функцией. Простейшим является случай, когдаОР и с . 5-7. Л и н ей н ая аппроксимация характеристик триода.а — семейство анодно-сеточны х характеристик; б — и х линейная аппроксима­ция; в — эк ви вален тн ая схема д ля этого сл уч а я ; г — семейство анодных ха р а к ­теристик; 9 — и х линейная аппроксимация; с — эквивалентная схема д ля этогос л у ч а я ; т " а п — масштабные размерные коэффициенты.диод и с п о л ьзу ет ся как прибор, обладающий униполярной проводимостью, т.

е.анодный ток течет в лампе лиш ь при полож ительны х анодных напряж ениях:(5-32)Эта апп рокси м ац ия показана на рис. 5-6, б, а эквивалентная схемайампы — на рис. 5-6, в. П олож ение 1 клю ча К соответствует участк у 1характеристики: цепь разомкнута, и анодный ток равен н улю . У ч а ст к у 2соответствует п олож ен и е 2 клю ча К . Н ак лон прямой, проходящей через на­ч ало координат, оп р еделяется средним на участке О А внутренним сопротив­лениемП ри оп р ед елен н ы х у слов и я х р оль ниж него криволинейного участкареальн ой ха рактери стики диода (из-за малости тока) может оказаться несу­щественной. Т о г д а предпочтительнее аппроксимировать кривую на рис.

5-6, готрезком п р ям ой , пересекающим ось абсцисс в некоторой точке с напряж е­нием I I 2 (рис. 5-6, д ) . Естественно, что наклон прямой здесь несколько иной,средний д л я у ч а стк а Л Б , а в эквивалентную схем у (рис. 5-6, е) помимо сопро­тивления 11 с л е д у е т ввести источник постоянного напряжения и 2, так какЕще один случай, когда представляет интерес криволинейный участокхарактеристики, иллюстрируется рис. 5-6, ж — и. А ппроксимация с исполь­зованием характеристики в. режиме насыщения показана на ри с. 5-6, к — м.В отличие от предыдущего случая лампа в эквивалентной схем е при работена участке 3 представлена эквивалентным генератором ток авключен­ным параллельно сопротивлению Щ я.

Такой прием здесь более удобен,так как пересечение прямой на участке 3 с осью напряж ений произойдетпри больш их отрицательных ¿7а.0+ЧгФ 4о+ЭД/?гЛ■UiтВ)Рис. 5-8. Линейная аппроксима­ция анодной характеристики тет­рода.а — аноднаяхарактеристика; б — еелинейная аппроксимация; в — эквива­лентная схема; т и п — масштабныеразмерные коэффициенты.в)Рис. 5-9. Линейная аппроксима­ция характеристик пентода.а — анодные характеристики; б — ихлинейная аппроксимация; в — эквива­лентная схема; m a n — масштабныеразмерные коэффициенты.Аппронсимация характеристик триода.

На рис. 5-7 показан примерлинейной аппроксимации статических характеристик три од а. Семействоанодно-сеточных характеристик триода (рис. 5-7, а) аппроксимируетсяпараллельными прямыми, наклон которы х к оси абсцисс — средняя к ру­тизна на участке от Uc = U с0 до U c = 0 (рис. 5-7, б ). Эквивалентная схема(рис. 5-7, в) содержит сопротивление 1 /S н генератор напряж ения — D U а,определяющий напряжение запирания лампы и, следовательно, точ к у пере­сечения характеристики с осью абсцисс. Переход с одной характеристикина другую соответствует изменению í / a, а также изменению э. д. с. экви­валентного генератора напряжения.На анодны х характеристиках (рис. 5-7, г) участок 2 (рпс.

5-7, д ), соот­ветствую щ ий режиму возврата электронов при Uc > 0, является нерабочимучастком . Н а эквивалентной схеме рис. 5-7, е он представлен внутреннимсопротивлением /? ¡a. Рабочий участок 3 на эквивалентной схеме представленсопротивлением 1},я (в предположении, что Л ; лампы при изменении U cи и я остается постоянным) п генератором, напряжение которого при Uc = Оравно U ао- Если U r. изменится (переход на другую характеристику), то на­пряж ение запирания лампы сдвинется на ц1/с .Аппроксимация характеристик тетрода и пентода.

Анодную характерис­тику тетрода (рис. 5-8, а) мож но аппроксимировать тремя отрезками пря-A/í)Рис. 5-10. Эквивалентные схемы триода с учетом переменных напряжений.Рис. 5-11. Зависимость пнтенсивности отказов от времени.о — схем а с генераторами напряжений;б — схема с генераторами тока.мых 2 , 3 , 4 (рис. 5-8, б ). Х арактерны м для этого случая является динатронный эффект на участке 3 , который на эквивалентной схеме учтен отрица­тельным сопротинлением — R ,3 и генератором постоянного напряже­ния U a3.Д ля анодных характеристик пентода (рис. 5-9, а) рабочий участок 3(рис. 5-9, б) удобно, как и в режиме насыщения в диоде, представить экви­валентной схемой с генератором тока (рис.

5-9, в).Схема с учетом переменных напряжений. Если к входу лампы прило­жено н ек оторое переменное напряжение щ. — Ucu siu wí, то в экви­валентную схем у помимо источников постояппых напряжений следует'ввести так ж е эквивалентный генератор переменного напряжения илитока. Н а рис.5-10 известнаянамэквивалентнаясхема триода(рпс. 5-7, е) содерж ит в цепях, характеризующ их режим усиления, гене­раторы (хис или S u c .5-4.

Н А Д Е Ж Н О С Т Ь Э Л Е К Т Р О Н Н Ы Х ЛАМП И П АРАМ ЕТРЫЭ К С П Л У А ТА Ц И О Н Н Ы Х РЕЖ ИМОВН адеж ность — понятие, ш ироко пспользуемоо для оценки способностиприбора или устройства безотказно работать в течение определенного вре­мени. В качестве одного из количественных критериев надежности исполь­зуется инт енсивност ь отказов{ > ~ ( n - d ) A ti '(5-3i )Здесь п — общее число испытуемых приборов; й; — число приборов,вышедших пз строя в интервале времени Д^, а й — число приборов, отка­завш их но интервала Дг^.Второй, весьма употребительный критерий назы вается вероят ност ьюбезотказной работы'.I/Д(п— 2Р (<) =t/Mп~ 2lira ------ L_J-------« а ------- 1 = 1 -------.П—>00tl(5-35)nД /-> 0Эти два важных критерия связаны между собой соотнош ениемtP ( t ) = r.и.(5-36)Наиболее часто в качестве критерия надежности п сп ол ьзуется интенсив­ность отказов.

Типичная зависимость А. (t) для электронных приборов иоказанана рис. 5-11. Начальный участок кривой соответствует так называемымранним отказам, причины которых заключаются в осн овн ом в быстро про­являющ ихся скрытых производственных дефектах. П ол огая часть кривойхарактеризует отказы по различным причинам, наступаю щ ие раньше сред­него срока службы лампы / 2. lid истечении этого срока интенсивность отка­зов быстро увеличивается.Для электронных ламп различают полные (вн еза п н ы е) отказы в резуль­тате обрыва вводов, коротких замыканий электродов, трещ ин в баллонеи т.

д ., а также условные отказы, наступающие в результате отклоненняхотя бы одного параметра за пределы норм, установленны х техническимиусловиями. Эти отказы чаще всего являются следствием постепенного ухуд ­шения параметров лампы (старения).В гл. 4 был указан ряд мер, используемых при конструировании и про­изводстве электронных ламп повышенной надежности и долговечности.Лампы этих серий характеризуются меньшей интенсивностью отказов:X «= (0,3 -5- 4) 10"“ в интервале 500 ч (для обычных ламп эта величинав 2 — 6 раз больше). Интенсивность отказов электронных ламп повышаетсяпри их эксплуатации в электрических режимах, бл и зки х к предельному,при повышенной температуре окруж аю щ ей среды, в у сл о в и я х вибраций,ударов п т.

п.Предельные электрические параметры. В справочниках н паспортахламп помимо электрических параметров номинального и ти п ового режимовуказываются также предельные электрические парам ет ры', наибольшееи наименьшее напряжение накала, наибольшие напряж ения на аноде и экра­нирующей сетке, максимальные мощ ности, рассеиваемые этими электродами,»• ДРРасчет схемы с электронной лампой должен проводиться таким образом,чтобы обеспечить работу лампы в режиме, не выходящем за рамки предельныхпараметров.Механические, тепловые и климатические параметры. Техническимиусловиями оговаривается также ряд параметров, определяю щ их устойчи­вость лампы к механическим н климатическим воздействиям : наибольшиеускорения при вибрациях с различными частотами, п р и многократныхи одиночных ударах, интервал рабочих температур ок руж аю щ ей средыи относительная влажность.

Д ля некоторых ламп указы вается такжемаксимально допустимая температура баллона лампы или возмож ное поло­жение лампы в аппаратуре (любое или, например, то л ь к о вертикальное).Разброс характеристик и параметров ламп. При расчете схем с электрон­ными лампами следует учитывать, что в справочниках при водятся усреднен­ные характеристики и значения параметров лами. В следствие различногорода технологических трудностей при производстве ламп наблюдаетсявесьма существенный разброс характеристик и параметров от экземпляралампы к экземпляру.

Так, например, значения анодного ток а при однихи тех же напряжениях на сетках и аноде могут в двух лам пах одного типаотличаться на 20—3 0 % , а значения токов утечки сетки д аж е в сотни раз.Глава шестая.ЭЛ Е К Т Р О В А К У У М Н Ы Е ФОТОЭЛЕКТРОННЫ Е ПРИБОРЫ6-1. ОБЩ ИЕ С В ЕД ЕН И ЯОпределение.Ф от оэлект ронными пазывают электровакуумные илиполупроводниковы е приборы, преобразующ ие эпергпю электромагнитногоизлучения в электрические сигналы.К фотоэлектронным относят группу приборов, реагирующих па излу­чение в об л а сти видимой части спектра электромагнитных колебаний (К ~« 0,38 -т- 0 ,7 8 мкм), а также в примыкающих к этой области диапазонахинф ракрасного (X0,78 н- 340 мкм) и ультрафиолетового (X » 1 0 '- -з0,38 мкм) излучения.П ринцип действия фотоэлектронных приборов основан на электри­ческих п р оц есса х , протекающих в приборах в результате поглощения энер­гии электромагнитного излучения.

При облучении тела поток лучистой энер­гии частично отражается ог его поверхности, а частично поглощается. За счетпоглощ ения квантов лучистого потока энергия электронов в твердом телеизменяется. Электроны, получившие дополнительную энергию, могут поки­нуть пределы твердого тела (ф от оэлект ронная эм иссия) или перейти на болеевысокие энергетические уровшг, например из валентной зоны в зону прово­димости.

В последнем случае увеличивается число ноднижных носителейзарядов, а следовательно, и электропроводность тела (ф от оп роводи м ост ь).О бразование пар зарядов (электрон — дырка) при поглощении лучистойэнергии м ож ет изменить также характер процессов вблизи электронноды рочного перехода: увеличить ток через погенциальпый барьер или жепривести к появлению дополнительной разности потенциалов.О сновы классификации. В соответствии с характером процессов, раз­виваю щ ихся вследствие поглощения лучистой энергии, фотоэлектронныеприборы м ож н о разделить на две группы: электровакуумные фотоэлектрон­ные п риборы ., действие которых основано на явлении фотоэлектронной эмис­сии, и полупроводниковы е фот оэлект ронные приборы, принцип работы кото­рых осн ова н на изменении энергетических состояний алектронов в твердомтеле.К ц ервой группе относятся элект ровакуумные фотоэлементы п фото­эл ек т р онн ы е ум нож ит ели.

Характеристики

Список файлов книги