1626435917-d26f9677b92985e7688f24b5e74711ce (844351), страница 133
Текст из файла (страница 133)
40. 6!очапе(1! К 6., Аля1га!)ап Зонг«с 5с! Кся.. А1, 275. 289 (1948) 41. Р'Алке!о Ы., РЬуя. Ксъ, 121, 505 (1961) 42. В а 1 с я Р К, К ! п К ь1о и Л. Е.. На!ого, 189, 652 (1961). 43. М с)7 Ь ! г(е г К 77 Р, ХаИгс, !90, 902 (В61) 44. М а 1« ! п В., К се й 3 С., РЬ)я, Кеъ. Ее!1, 11. 281 (1963). 45.
В е1Ь е Н. А., 5 а!р е(е г Е. Е., б)нап!нгл Мс«Ьапкь о1 Опе- апг) Тыо. Е1сс!гоп А!опта, Ыечг УогК 1%7. 46. Н ! п л о ч Е., Н 1 г ь с Ь Ь е г К 3. 6, Р!гу»с Кзъ., 125, 795 (1962) 47. Ва(ев Р. К.. К!пбь1оп Л. Е., й!с)7!я!г1ег К 78 Р., Ргос. Коу. бос., А267, 297 (!962). 48. В а(ея Р. К., Кг и и в1 о и Л Е, Р)алс1агу брасе 5с)., !1, 1 (1963). 49. В а 1сь Р. К., Доклад на Зй й!с>клунь!гояной конференции по физике электронных и атомных столкновений, Лондон, !963. рпкоывпил! !ля 70! «О 51 с 77 !я ! г1е г К.
7/. Р., Не з г п Л. 6, Ргос. Рйуь. 5ос. 82, 64! (1963). КоЬЬеп Г., Кплйе) %. В., Та!Ьо1 1., Р!г)ь. Ксч., 132, 2363 (В63). Ва(ея Р. К, К!пня!оп Л. Е., Ргос, 1»йуь Зсс.. 83, 43 (!964) 53 Ва(сь Р. К., К1п! я!оп Л Е., Мср?Ь!г1ег К. 7Л Р.. Ргос. Коу. Зос., А270, 155 (!962). «,4 В а 1« с г 3. 6., М с и х с1 Р.
Н, Ля(гор!«уь..!оп«и.. 88, 52 (ВЗЯ). «3 Огееп 1. С., Кньй Р. Р., С!гала!ег С Р„Ля1гсрйув. Зонги. 5нрр1. 56 5 е а1о и М. Е, Моп. Ко! Коу. Ль!гоп. 5ос., 1И. 81 (1959). ь? 6 г у х г й ь й 1 М., РЬуя. Ксч., 115, 374 ( В59) . «8 В н г Кс Я ь Л., Меи. 5ос. КоУ, 5с). 1 1ецс (5) 4, 299 (И61). (г«л 5 е а! оп М. 3., в книге «Л1огпк вп«1 Мо1есл(аг Ргосеььсь», ей. Р. К.
Ва1сь, Ысч«уогй, 1962 (имсется перевод; «Лтомныс к молекулярные про. цсссь~», рсд. Д. Бситс, изд-во «Мир», 1964, гл 11). 60 6 а г г) пег М. Е, Рйуя. Кеч., 53, 75 (1938). 61. К и 1 Ь е г ! о г д Е., РИ 1. Ма К., 44, 422 (1897) . 62 М а Ь а п В. Н., Р е г я о п 3. С., долги. Сйепс Р!гуя., 40, 392 (1964). 63 К 0 сис1)и 6., Ллп. с). РЬ)гм 43, 821 (В14). 64. Ус н л н Т. Н. 7., Ргос.
Р!гуь. 5«к., 71, 341 (1958). 65. 6 г с а ч е ь С., Т)гся)я, 1!п!ъегьй! о1 В!ггипяп! а~п (!959). 66. 5 а у е г я 3., в книге «А(окк апг( Мо1ссп!аг Ргосеьвея», сг). Р. К. Ва1еь, Неъч уогК 1962, р. 272 (имеется перез««д: «Атомные в молекулярные процессы», ред. Д. Бейте, нзд.во «Мир», В64, гл. 8). 67. 6 г а у Е. Р, К с г г Р. Е., Лпп. о1 Р!гъь, 17, 276 (1962).
68 Уел л н Т Н. У., Зов«и. Е)сс1гоп. Соп(го), 5, 307 (1958). 69. В ! о и с) ! М. Л., Ксч. Ьсс )п«1г., 22, 500 (1951). 70. В ! оп ой) М. Л., Р!язв. Кеч., 129, 1181 (1963). 71. Рс г ь во п К. В., РЬуя. Ръеь, 106, 191 (1957). 72. В гож п 5. С., РЬуь.
Кеч., !06, 196 (1957). 73. О ь й а гг Н. 3., РЬгВрв Кся. Кср(., 13, 335, 401 (1958). 74. К е г г Р. Е.„Т ц Ь Ь я Е. Г. (готовнтся к печати). 75. 1.с11е! С. 5., Н«гьей М. Ы., Кегг Р Е. (готовится к печатя). 76. К е г г Р. Е., 1 е 11 с! С. 5. (готовится к печати). 77. Чl Ь!1 го е г К. Г., Рйуь. Кеъ'., 104, 572 (Вбб). 78. Ч а й с О а 5., Н о ! 1 Е. Н., Ксъ.
5с! 1пя!г., 30, 722 (В59). 79. М о11еу !!. %., К н с 1« е я Л Г, в киске «Ргг«сесб!пКь о1 !Ье !«!1!1~ !п(сгпаВола1 Соп1егспсе оп 1ояхаБоп РЬегогпслв !и Оаяея» (Л1ппк!н 1961), Лпийсг«1апк !962, ъо1. 1 р 65Е 50. Каяисг 7', Н., Копсгь 7Л Л, В!опб! М А., РЬув. Ксъ.
Ее!!., 7, 321 (1961). 81. Го и«)е г К 6., Л11« ! п во п 78 К., РЬ)ь. Кеч, !13, 1268 (1959). 82. Кнсйся Л. Г. Мо11еу К. 7?.„Н(ипггч Е., Н)гясЬЬегК 3. 6., РЬув. Кеч. 1.сН.. 6, 337 (1961). 83. Н ! и по». Е, Н1г ьсЬ Ье г и 3. 6., в киппс «Ргоссеб!пйь сй бйе Г!1!!г 1и1сгпаВопа) Соп1сгслсс оп 1опгзаЬоп РЬепогпепа 'и 6аясь» (Млп)сй, 1961). Лгиь!егози«, 1962, чо!. 1, р, 638.
84 Н г п и о ъ Е., Н! г я с Ь Ь е г К 3. 6, РЬ) и Кеч., !25, 795 (1962) 85. В у г о п 5.. 5 ! а Ь ! с г К. С, В о г 1 х Р. 1., РЬ уь Кеъ. 1 сВ., Я, 376, 497 (1962), 86, 77 а 4 а Е У., К п с с Ь 111 К. С., РЬуя. Ксъ. (еВ., 10, 513 (1963). 87. 6 г з у Е. Р., К с г г Р. Е., Вп(1. Лпкг РЬуь 5ос., 5, 372 (1960). ЯЯ. В го е сй и е г К. А., Зонгп. СЬеги РЬучы 40, 439 (1964). 89 Р а !6 а г и о Л., Лпг» 6«йорйуь., 17, 16 (1961).
90. О я 1« а гп Н..!., М ! 11 е 1 я 1 а г) 1 7«. К., РЬуя. Ксъ., ! 32, 1445 ( В63) . 91. В!«п 01 М. Л., Доклад на Симпозиуме по аэрономип. Беркли, СШЛ 1963 (будст опубликован в Апп, ОеорЬуэ.). паВсгхпОслмнаг 5!Вл! !!Ия 7ОЗ глдвд !з певнр хнос гвыма явлниия ага)заа Вопрос о поверлносп5ых явлшшях — эта очень большой и сложньш вопрос. Мы рассмотрим тол им только те явления, котоьыс особсшю важны для экспериментальных исс! столкновений и а ьных исследований атомных зов па а ! ий и ионпзованных газов„а именно ад о Г поверхностях, столкновения тяжелых адсор !пню гаков с поверхностями, фото- и терна, е частиц и элект О р.
всрхностну5о ионизаци5О. аэлектронную эмиссию и а,е - и по ..адсорбция газов на поверхностях й ! а Б . удем называть атомна-шстой или прост верхность, н р то чистои такую пать, на которой все атомы — того же вида. еме материала. Атомы газа, падакнц!с . '. что и в объа 5щис на чистую паве хнасть, с большой вероятностью (0,3 -0,6) прилипают к ней да тех по, пока пе образуется монаатамный ело", и, т. е. пока нс будут за- няты все свободные для адсорбции участки паве 1 ос у 1 максимальной энергии связи на ато' 5!)').
Э д тнгается тогда, когда ! Вдсорбированный атом газа п ихо- дится примерно на 4 атома поверхно сти, что соответств ет плотности адсорбированного покрытия, " б равной при лизительно обь агом/см. Для мокоатомного слоя энергия адсо б шно составляет 2 — 4 эа/агом, а для пос р я адсор цпи я последующих слоев весвязи ыстро падают. При роятность прилипания и энергия связи б кол!ватно!! температуре на поверхность мож 'но нзпести несколь- ко атомных слоев.
Энергия связи, приход пы .* ! я аяся на атом газа, в самом внешнем слое досгигает, по-видимо. 'му, пссколькнл де. яризационного взаи- сятков электронвольт, что типично для поля н прплипания атома, модействия Ван дер Ваальса, а вероятность п пли падающего на этот слой, может составлять примерно 10 ' П равновесных условиях число атомов газа, ух РИ , уходящих за единицу ') Оч. также 121. прпнсчанпс 4. От!5осп!ааааа нсаспших лаппыл аачс- рсвап асрсятнсстсн прпавгааап си !3 — 51. В,смаки с поверлности ьглсдствпс термкческаго возбуждения, ваш!О чнглУ пнапь ВДСОРби!ювапных атомов.
рассмотрим теперь более подробна процесс образования ад„ОРбпРоьанных слоев. алишп5е этих слоев на Различные повсРхнсс!ные явления н методы получекпя атомно-частых поверхн а!'тс ! !. а, Образование адсорбированных слоев газа. Первый моноатомнып (плп маномолекулярпый) слой оара гется на атомночкстап поверхности быс5ро, если температура се невысока. Действительно, вычислим время образования маноатомного слоя для азота при давлении ! мм рт. Сг. и при кам штной температуре Из сказанного в гл. 2, й б, следует, что в 1 гек на каждую сдшпщу площади поверхности, ограничивающей газ, который находится в тепловом равновесии и в котором плотность частиц равна й), а средняя скорость молекул — !5, падает й5й/4 молекул.
Прп комнатной температуре и давлении ! лил! рт, гт. плотность й'.-3,7 ° 10'а а!адекри/сма, а скорость 57ла45 ° )Оа сл5/сек. Если принять, что вероятность прнлипания имеет постоянное значение 0,5, то к поверхности прилипает 2,5 ° 10а" молекул/ема ° сек. Таккм образом, первь5й моноатамкый слой образуется примерно за 10 а сек. Даже при давлекпи 10 ' мм рг. Ст. врелгя образования мокоатамкага слОя должна сасгаВлять Всего лишь Ока:50 1 сен. Но для образования второго слоя вследствие уменьшения в: рант ности прилипання после воз5шкновсния первого слоя прп 10 ' мм рг гт, потребуется несколько сскуид, а для достижения равноьссня -. — несколько минут. Ото!ода ясно, ыа даже в том случае, кгпг5а удается получить атомно-ч5штые попсрхкостк, для того жабы в ходе эксперимента при комнатной температуре поверхиостк прибора пе очень сильна загрязнялись, необходимы давле!Шя порядка 10 а м.к рт.
Сг, й!Станы голученпя сталь высокого Вакуума в лабораторных условиях были разработань! лишь В кон!ге 40-х годов. Экспериментальные работы, проводившиеся до 1950 г., по нсобходнмостк выполнялись с поверхностями, загрязненными по меньшей мере аднил! моноатомнь5м слоем, если только поверхности не поддерживались во время эксперимента при очень высокой температуре.
Величина адсорбции газа и стойкость адсорбированных слоев в значителькой мере опредсля5отся структурои молекул газа. Так, например, молекула водорода силька адсарбируется вследствие своих малых размероп. Ха!гструл! (7) установил, чта атомно-чистую поверхность вольфрама можно получить в присутствии азота, по нельзя в присутствш! голорода, Инертные газы вследствие их малой химпчсскап ак5пвпости слабо адсор- 704 ! лдвл !з паввгхнастнын явлю!пя 45 П. Мьк-Даниель биру!отса, хотя более тяжелые из нпх, облада!ащис высокоп поляризуемостшо, адсорбируются в виде одного илп двух моно- атомных слоев '). Природа поверхности также играет важную роль. Хагструму (9), например, не удавалось получить атомно-чистую поверхность тантала при комнатной температуре, тогда как чистую поверх. ность вольфрама при идентичных экспериментальных условиях он мог получить.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
