1598005400-e4d976f05e65a6df0c91dae52ce6f965 (811206), страница 85
Текст из файла (страница 85)
При толщине слоя Се[5 около 0,2 мкм ожидаемое значение КПД равно 27 '/о. Авторами изготовлен каскадный солнечный элемент на основе СгаА1Аз — СтаАз, КПД которого (23,5%) сравним с КПД обычных элементов с гетероструктурой или переменной шириной запрещенной зоны. Чангом и др. [20] сообщалось об изготовлении каскадных солнечных элементов нз кремния, имеющих переходы как на освещаемой, так и на большей части неосвещаемой поверхности. Толщина слоя кремния составляла !00 мкм. При этом получены значения КПД около 15%. Мп,тнесом [36! рассмотрена возможность создания каскадных солнечных элементов в тонкопленочном исполнении с использованием технологии реотакснального осаждения П пленок, а также были предложены процессы изготовления и структуры двухэлементиых каскадных систем, КПД которых может составить 25...30% ".
Аризо и Лоферским [19) предложен интегральный каскадный солнечный элемент на основе двух элементов с гетеропереходами, имеющих общую базу из широкозонного полупроводника, который, как полагают, будет обладать высоким КПД. У освещаемого полупроводника ширина запрещенной зоны (Ех1) больше, чем у третьего полупроводника (Ехз). Для ширины запрещенной зоны промежуточного полупроводника выполняется соотношение Ехх--Ех,)Е з. КПД преобразователя на основе двух фотоактивных полупроводников с Ех|=2,0 эВ и Енз — — 1,2 эВ должен превысить 30 Го.
В качестве материалов для*такой структуры авторы предложили Сц1п5ех (1,! эВ)— Се[5 (2,4 эВ) — Ац1п5х (1,9 эВ). Оба фотоактивных слоя хорошо согласуются с СЖ по параметрам кристаллической решетки, различие между которыми составляет менее 1 %. Согласно результатам расчета Генри [37], значения преде.чьпого КПД единичного солнечного элемента и каскадных элементов, в состав которых входят 2, 3 н 36 переходов, прн 1000-кратной концентрации излучения н температуре 300 К в случае идеальных характеристик элементов равны соответственно 37, 50, 56 и 72 % . Автор отмечает, что расхождение между найденным значением КПД (72%) и предельным термодинамическим КПД (93%) связано с излучательной рекомбинацней носителей в р — и-переходах, к которым приложено прямое напряжение смещения.
и Осаждение пленок иа поверхности жидкой фазы. — Прим. перев. м Следует отметить, что советскими авторамн [см. работу [!] в дополюпельной литературе к данной главе) в эксперименте получены КПЛ 25 . 27 Зе на каскадных структурах и на структурах с ннутренним переизлучающнм слоем на основе системы Л!Сада — СаЛэ. — Прим. ред. 396 Литература 27 Р. Веьот> апд В. ЧЧеьъе!ь, Х. Арр!.
РЬуь., 51, 4305 (1980). 28 О.Ч. |.ап8, Х Арр!. РЬуг., 45, 3023 (19743 29 М. Оге1г>, 1. Ковепо, А. ЯиЬа|опи апО 5. ОЬЬаиа, Х Арр!. РЬуг.. 50. 4808 (1979). 30 О 5. Оау, М.Ч. Тьа|, В.б. Ягеетгпап апд О.Ч. 1 ап8, Х Арр!. РЬуь., 50, 5093 (1979). 31 В.ЧЧ. )Чеьье!ь, Х Арр|. Р1>уь., 48, 1656 (1977). З2 С. СпИ, б.
Ваь|Ые, С. 5а8пеь апд М. Коигеуге, Х Арр!. РЬугш 50. 1375 (1979). ЗЗ ВЗЬ СиИЬу, Е!етелгт о! Х-Кау Х)>1!гас!|ил. АсЫ>ьоп-)Чсь|еу РиЫьЬ>п8 Сатрапу, |пс., МаыасЬиьеиь (1967). 34 В К. Сорта апд О.Р. АОпйотп, РЬ|!. Ми8., 37. 63! (1978). К. Чагпа8исй. Н. Ма!тавот >. Н. НаЬауава агЫ 5. Иге8ав|. Хрл. Х Арр!. РЬуь..!5. 1575 (1976). 36 К.К. СЬап>Ьег|ьп апг| 1.5. Ягаггпап, Х Е!есьосЬет 5ос.. 1!3. 86 (1966). 37 Ч.у. Ма апд К.Н. ВиЬе,-Х. Е!есаосбет. 5ос., 124, 1430 (1977). 38 Р). Стив|у аль СА.)опеь, Е!есиои Мкгоьсору >л йе 5!и>(у о!Ма!ела!ь.
ТЬе 5|гисшгеь впО Ргорегиеь о! 5о|иЬ, Чо!. 7 (Ей. В.К. Со|с>), ЕдиагО АгпоЫ |.Ы. (1976) 39 Ч'.Р. Чаи|тат, 5 Р. Раь, Р. )Са>Ь апИ КЛ . СЬоргв. РЬуь. 5)аг. 5о! (а), 45. 665 (1978). 40 5.К Оаъ, ЧЗЬ Чап1гаг, Р. На>Ь апИ К.! . СЬорга, ТЫи 5о(Ы Р!!ть. 5!. 257 (1978).
р|па) Кероп. О>тест 5о|аг Еиег8у Ь>г !.аг8с 5са1е ТеггечгеИ 1)ье. Корол Ьо. НЗР/КАНН/АЕК 72-03478 АОЗ/РК/75. Ошъегмту о| Оваи те (ОсгоЬсг |975), р. 65. 42 Т.5. '!'еЧеЫс, Елег8у ( олиегиои. !5. 111 (1'!75). 43 1 Н. КкЬагйоп, Ориса|М>сгоьсоруХогйе МагелаЬ 5сгелсеь. Магсс| ОсЬЬег.|пс., Век Чог1ь (! 971). 44 |..С. Вот|оп, Т.
НепсЬ, С. 5н>г0 впО С. Навс1ге. Х Е!ес)госЬет. 5ос..!23. 1741 (1976)., 45 Т.| . СЬш ).С. 1леп. Н.Г. МоИепЫ>р|, 5.С. С1ш. КАЧ. Не|гсг, РАЧ. ЧоЬвсг впО С.Р. ЧЧаЬейе(4. 5о)аг Елегру, ! 7. 229 (!975). 46 Р. Витав!г, РЬ.О. ТЬеыь. С'()о|теть)те Ое Наше АЬасс ег С'()и|теть!гс Сои|в Ратеиг Ие 5>гаьЬоиг8 (1979). 47 М.К. МиЬег)ее, Р. РИиегег, С.Н. Нов|8, Н.ЧЧ. 5сЬосЬ апИ ЧЧ.Н. В|оьь, Х Арр!. РЬуг., 48. 1538 (1977). 48 !.С. СгеепйсЫ апд )Ч.Р. Тьеп8. ТесЬпщиеь !ог йЬ ОевгпипаИоп о! йс РЬвъеь >п йе 5иг1асе Сауегь о! С45/Си>5 СеИЬ Ксрог! Ко. )95Е)КАНЫ)5Е)б(34872)ТК 73)15, ()п>теть>гу о1 Рс1аиаге (Ресеп>Ьег 1973).
49 Р А. 5йг|апй Оосивеп! Но: 78-9РЗ-САОЗО-Р1. Чуеы|пИЬ>>иве (5ергегпЬег 1978). 50 ).М. ТисЬвагй, Н.К. Регй ап4 С.К. Вогйег. 5|гисшга| апд Е|есп>са1 5шйсь о( 5егп|сопдисгг>г МагепаЬ апО Оемсеь. СЧО Аппиа| Кероп Но. К|.|,-9 (ОсгоЬег!973— ОсюЬег 1974). 51 К.О. МОИег, 5ресггосЬегигса! Ала!уьи Ьу Х-Кау Ниогеьсеисе.
Р|епогп' Ргеьь. )Чек Чог1с (1972). 52 К. Чап>а8исЬЬ Н. НаЬауава, Н. Маьшпого апд 5.!|ге8ав>, Хрл. Х Арр!. РЬуь.. 16. 1203 (1977). 53 |..1 Кави>егь|г>. К.В. Соорсг, Р К ъЧЬие впО А.З. Мегг>И. !ЕЕЕ Тгаш. Е!ее)гол Рео, (Арп| 1977), р, 496. 54 ).К. 5гсОоп. Р.А. ЯЬПапс1. тЧ.). Виет.
Т.ту. О'КесИе, ).А. ЯоИ апО 5.1. РопаьЬ, СаОв|ив 5и!РЬЫе)Соррег 5и!Рйде Не|его)ипсИоп СеИ КеъеагсЬ. Р|па| Керог|. Сопыасг Но. ОЕ-АСОЗ-77 ЕТ 20429 ()и|у 1979). 55 Е б. 5ай>еюкг апд Н.К. СЬаг|еь, Юг., 5риисг 1оп 5ресгговетег Апа!уОъ о1 Соррег 5и1рЫде)Сайп(ив 5и|РЫОе 5о|аг СеИ 5авр|еь, ТесЬпка| МевогапОив АР1.7)Н() ТО 1284. АррИед РЬуькь 1.аЬога|оту.
ТЬе )оЬпь НорЫпь ()и|теть)ту (ОсгоЬсг 1975). 56 Н,М. тЧ|пдаи>. Ргос. )ЧогЕ>6ор ол Саг(т|ит 5и!РЫОе 5о|иг Се!Ь алг( Ойег АЬ>арг Не!его)илсИов (ЕсЬ.. К. ъЧ. Воет впд )ЗК МеаЫп), Ое)а>таге (1975), р. 452. 397 Литература 57 Е. СаЫе! апн !. кепс(, Ала!уш.
3, 487 (И!72). 58 !..Е. ВиЫЬаирг, К.А. М!сйснеп, ).М. 5гс»аг! апн туев. СЬсп, Епгегрпв М.исти!. 5уыеть 1ог 5о!аг Сел Арр!кмюпг — Си, „5с, Гбпа! Керог! РЕ-АС04-79ЕТ-23(ИГЕ Вое1пй Аегоарасе Сатрапу (Арп! 1980). 59 К.! . Сворга, Тьгл Егйл Рьелатели, Мсбга»-Нгн Воо1г Согпрапу, (Че» Чогх (1969), Рр. 732-741. [Имеется перевод; г(апра К. Л.
Электрические явления в тонких пленках: Пер. с англ.(Под ред. Т. Л. Шермергора. — Мл Мир, 1972. — 435 с.! 60 Е. ЯгапГЬг, Ч Рина, А. Валет)сс апн К.!.. СЬоРга, Х АРР(. РЬУг., 51, О243 (!'гин 61 К. Ка)тепаи, Маг. Кег. Вил., 14, 207 (1979). 62 Ггеге1ортепг о1 а Тшп Ент Ро!усгуьгангпе 5о(аг Сон 1ог !.агве 5са!е Теггеыгы! !)ьс, Оиаггег!у Ргойпеьг Вериг! Е(49-18)-2538, 1)п!»его!у о1 Рс!а»аге (!и!у 1977!. 63 Н.К. СЬаг!е» )г., К.). Кгпх апп А Р.
Аггогеп!о, 5а1аг Сейл 1, 327 (1979) 64 Е.Н. Рш)еу. Тгг Нид Е)7есг алг( 5етгсалг(исгаг Рьупсг, Рогег Римкагюпк (пс.. 'Чси Чогй (1960). 65 К.Н. Виве. Рьагасаляигпелу а/ 5а(мг, )онп туйсу апд 5опк (пс., )Чс» Чпгй (1чл7). (Имеется перевал: Бьюб Р. Г. Фотопооводимость твердых тел: Пер. с англ./Под ред. Т. М. Лифшица. — Мл Иэд-во иностранной литературы, 1962. — 558 с.] 66 Т.5. Моы, ОИ. Вигген апн В. Елг» 5егл!санг(исгаг Орго-Е!есгттсь Випегтгггйг апн Со. Иг0.
).опноп (1973). (Имеется перевод: Моос Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника: Пер. с англ.(Под ред. С. А. Медведева.— Мл Мир, 1976. -430 с.! Баев И. А., Валяшко Е. Г. Исследование распределения неоднородностей в полупроводниковых кристаллах. — Фитиля твердого тела, 1965, т. 7, Иг 9, с. 2585 — 2593. 68 Е.О. )онпаоп, Х Арр!.
Рьуг., 28, 1349 (1957). 69 Т.1.. СЬи апн Е.Р. 5го1гег, Х Е1есГгетс МиГенаЬ, 7. 173 (!978). 70 М.А. СЬаппоп, ).К. МаИЬу, С.Е. Кеен апд С.О. 5соп, Х Рьуг. Р:АРР1. Рьуг., 8, 1.3Ч (!975). 71 ).Е. Манал, Т.'гЧ. ЕйгГедГ, К.!. Егапй апд В. Кар)о», 1ЕЕЕ Тгат. Е!есггал Реи.. ЕВ-24. 733 (1979). 72 5.К. РЬаг!»а! апп ЬИК. Чаыг, !ЕЕЕ Е1есгган Реи. Ееи., ЕЙН:2. 53 (1981). 73 1.1. Оа!геа, 1.О. Огеепйе!д апп 1..Р.
Раггагп, Х. Арр(. РЬуг., 48. 2548 (!977). 74 Н.'гЧ. 5свос!г, Ргаг. Яогйгйар ол гйе П вЂ” Ч! 5о!аг Сгдй алг( Вили!иг Саглроиглн. Мол!реп!ег (5ергетЬег 1979), р. (Х-1. 398 Литература К главе 2 1 1.. Нолапд. Ъасити Оеропиол о/ 79дл Евгт, )оЬп 93г!суапд 5опь,!пс., Нсьи Угьгх (!961) [Имеется перевод: Холлэнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме; Пер. с англ. — М. — Л: Госэнергоиздат, 1963. — 608 сг] 2 К(.
СЬорга, Тип Н!т Рвелатела, Мс0гаи-НВ! Воо)г Сатрапу, Нси Тоги (1969). [Имеется перевод: Чолра К. Л. Электрические явления в тонких пленках: Пер. с англ./Под ред. Т. Д. Шермергора. — Мо Мнр,!972. — 435 с.] 3 1..! Ыа!ььс! апд и. Сдапв (Еги.). НалдЬоов о/ Тягл Н(т Тесяло!ояу, Мс0гааг-Нг1! Волн Сатрапу, Неьг 'г'оги (1970), [Ил!естся перевод: Технология тонких пленок. Справочник; В 2-х томб !!Ьр. с англ./Под ред. М. И.
Елинсона, Г. Г. Смолко. — Мо Мир, 1977.] 4 33 . ромеи апд 19. Кегп (Едь.), 77ил 30!т Ргосемег, Асадепис Ргеьь. Неи Уой (!978). 5 0 У Р!апет апд 1..5. РЬ!И!Рь, Лис)г Н(т Сггси(гг, Виггегиоггиь апд Сатрапу, Спидол (1972) Т/Л Солги (Ед), Аслсе алд Рамте ТЫл я)т Оетсег, Асадетк Ргеьь. (.опдоп (1978). 7 3328 Саг!ьоп апд С.й.
тугопьМ, гп: Атогрвоиг 5еиисоидисгам (Ед., М.Н. Вгодьиу), 3 ггркь гп Аррбсд РЬуись, тГо!. 36, 5рг!пвег-тгег!ав, Неи тоги (!979), р. 287. [Имеется перевод; Карлсон Д., Вронски К. Солнечные батареи из аморфного кремния. — Аморфные полупроводники: Пер. с англ./Под ред. А. А. Андреева, В. А. Алексеева. Мо Мир, 1982, с. 311— 354г] 8 ЬУ. НиЬег апд А. 1.орет-О!его, Тбгл 5ойд ЕИтг, 58, 21 (1979).
9 Е. Еьауо апд С.Е. СЬап8, Твш 5оив Н)тг, 36. 285 (1976). 10 (3.й. Агйиг, Х. !гас. 5с!. Тесвло!., 1б; "73 (!979). 11 М ьу. Сеь, Гэ.С. Напдегь апд Н.! 5т!й, Арр!. Рбуг. Ее!с, 35, 7! (1979). 12 Н 1. 5пий апд ГГ.С. Напдсгь, Арр! Рлуг. ).ет, 32,-349 (1978). 13 К. 5иаи!б апд М. МтиЬаьЬп Л Кас 5ос.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
