CBRR5816 (739536), страница 6

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 6)

1.4.3 Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950^ОС=1223 К и времени диффузии 30мин=1800с. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150^ОС=1423 К, время 2 часа=7200с.

Произведение D₁t₁ для процесса загонки равно: D₁t₁ = 3,3110^-15 5,95810^-12 см²

Коэффициент диффузии для процесса перераспределения примеси (D_o =0,374 см²/с , = 3,41 эВ, T = 1423 K) равен D = 3,128 10^-13 см²/с. Произведение D₂t₂ = 3,12810^-13 2,2510^-9 см². D₂t₂ > D₁t₁ (в 377 раз), т.е. условия быстрой истощаемости источника, следовательно, пользуемся для расчета распределения примеси выражением (27).

В первый столбец таблицы (6) заносим значения x, во второй значения exp(-x²/4D₂t₂), рассчитанные значения N_s заносим в третий столбец.

Таблица 6 - Результаты расчета распределения галлия в кремнии при диффузии из приповерхностного слоя.

x, мкм		Ns , см-3	x, мкм		Ns , см-3
0	1,0	9,8231017	1,8	0,02742	2,6931016
0,36	0,866	8,5071017	2,16	0,005633	5,5341015
0,72	0,5624	5,5251017	2,52	0,0008681	8,5271014
1,08	0,274	2,691017	2,88	0,0001	9,8541013
1,44	0,1	9,8311016	3,24	0,0000087	8,5411012

Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля.

Заключение.

В данном курсовом проекте были рассмотрены процесс очистки полупроводникового вещества – зонная плавка и способ введения примеси в полупроводник – диффузия примеси.

Для процесса зонной плавки произведен расчет для трех очищаемых примесей: фосфор, галлий, сурьма. Результаты расчета представлены в виде таблиц и графиков: распределение удельного сопротивления и распределения каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

Эффективность очистки зависит от скорости кристаллизации: чем меньше скорость кристаллизации в донной примеси, тем лучше она очищается, таким образом при V_кр0 k_эффk₀; V_кр k_эфф1. Но это не означает, что если мы уменьшим скорость кристаллизации до нуля, то получим исходное вещество в чистом виде – это лишь одно из условий очистки вещества. Определяющим является также равновесный коэффициент сегрегации (К₀) , который отражает эффективность перераспределения между жидкой и твердой фазой, он должен отличаться от еденицы в большую или меньшую сторону. В нашем случае k_{0 Sb}0 Ga0 P<1, соответственно сурьма лучше подвергается очистки по сравнению с галлием, а галлий лучше по сравнению с фосфором. Это все подтверждается результатами расчета – распределением концентраций каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой.

Анализ второй части расчета – метод введения и перераспределения примеси – диффузии показывает, что при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и одинаковом времени диффузии профиль распределения примеси в полупроводнике будет различен при нескольких температурах. Таким образом изменяя температурный режим можно изменить профиль распределения примеси в глубину полупроводника.

Литература.

1. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. -528 с.

2. Шишлянников Б.М. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. Методические указания к курсовому проектированию для студентов направления 550700. Новгород, 1998. – 41с.

3. Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1972. - 432 с.

4. Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1969. - 336 с.

5. МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов /Под ред. П. Антонетти и др.; Пер. с англ. - М.: Радио и связь. 1988. - 496 с.

Характеристики

Список файлов реферата