lectures (731996), страница 6
Текст из файла (страница 6)
Х
d
r1 r R r2
1 2
dl
r*dr
dl
dl = (r*dr)/sin
r = R/sin
dl = (R*d)/sin2
dE = *dl/(40r2)
dEx = dE cos = [*dl/(40r2)]*cos= = [(Rd*sin2)/(sin2*40R2)]*cos = = [/(40R)]*cos*d;
dEy = dE sin = [/(40R)]*sin*d;
Ex = [/(40R)]*12cosd = = [/(40R)]*(sin2 - sin1);
Ey = [/(40R)]*12sind = = [/(40R)]*(cos1 - cos2);
E = E2x + E2y;
Если нить бесконечна:
1 = 0; 2 = 180;
Ex = 0; Ey = /(20R).
10’. Уравнение Пуассона:
У
Ex dx Ex+(Ex/x)dx
dz
dy
Х
Z
ФХ = [Ex + (Ex/x)dx]dydz cos 0 + + EX dydz cos180;
ФX = (Ex/x)dxdydz = (Ex/x)dV;
ФУ = (EУ/y)dxdydz;
ФZ = (EZ/z)dxdydz;
oSEdS = ФХ + ФУ + ФZ = (Ex/x + + EУ/y + EZ/z)dV;
lim [(oSEdS)/V] = div E
V 0
div E = (Ex/x + EУ/y + EZ/z)
По теореме Гаусса:
oSEdS = q/0 = (VdV)/(0);
divE = /(0);
divD = .
24. Связанные заряды:
+ + + + + + + + + + + + + + + +
- -
+ +
+ - - -
+ +
E = E0 – EД
E0/ = E0 - EД
EД = E0 (1 – 1/) = E0 [( - 1)/]
- 1 = - диэлектрическая восприимчивость;
ЕД = Е0*(/);
ЕД = Д/0;
Е0 = /0;
Д = *(/), где Д – плотность заряда на диэлектрике;
- плотность заряда на пластине конденсатора.
4
7. Диамагнетизм:
PM B
N
dM=Ndt
M
Msin
r’
I
PM
N = [PM B]
dM = N*dt
dM/(M*sin) = d
N = PM*B*sin
|dM| = PM*B*sin*dt
(PMBsin dt)/(Msin) = d
d/dt = L – частота прецессии;
= (PM/M)*B = (l/2m)*B, где В – величина непостоянная;
не зависит от угла ориентации орбиты.
На е – орбите атомы прецессируют с одной частой.
Возникает дополнительный ток:
Происходит ослабление внешнего поля: PM’ = I’r’2 = e*(L/2)*r’2 = = -(e2/4m)*Br’2;
M’> = -(e2/4m)*B
i=1N
M’> = -(e2/6m)Bi=1Nri2;
X = PM/(VH);
XМОЛ = [(-e2*0*NA)/(6m)]*I=1Nri2.
Все вещества, атомы которых не имеют магнитного момента называются диамагнетиками. Их магнитная восприимчивость немногим < 0.
16















