135801 (722642), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

Термотренировка – выдержка при температуре окружающей среды 70С в течении 200 ч. Выбор температуры тренировки обосновывается предельной рабочей температурой германиевых полупроводниковых приборов (73 С).

Время тренировки (200 ч) соответствует примерно времени приработки большинства микромодулей.

Электротермотренировка – выдержка при температуре окружающей среды 70 С в течении 200 ч под электрической нагрузкой , соответствующей рабочему режиму схемы. Электротермотренировка была введена в связи с малой эффективностью термотренировки для некоторых транзисторных схем (наличии отказов после двухсотчасовой термотренировки). Однако требуемое при электротермотренировке сложное и дорогостоящее оборудование (индивидульные стенды, измерительные приборы и т.д.) делает электротермотренировку экономически невыгодной и практически нереализуемой, за исключением отдельных наиболее ответственных типов схем.

Термотоковая тренировка – выдержка при температуре окружающей среды 70 С в течении 200 ч под унифицированной электрической нагрузкой : однополупериодное синусоидальное напряжение 6.3 В или 12.6 В частотой 50 Гц (в зависимости от типа микромодуля). Термотоковая тренировка для транзисторных схем эффективнее термотренировки и в то же время не требует сложного оборудования. Герметизированные и прошедшие термотренировку микромодули проверяют на соответствие техническим условиям. Наиболее рационально начинать контроль микромодулей с проверки на функционирование по наличию сигналов на выходе микромодуля без измерения их параметров. Это позволит сразу же отбраковать микромодули, в которых в процессе сборки, герметизации и термотренировки вышли из строя микроэлементы или имеются нарушения монтажных соединений. Однако единственным надежным методом оценки качества микромодулей является контроль по выходным параметрам, который позволяет учесть влияние всех звеньев технологического процесса и качество микроэлементов.

Операция контроля технических параметров.

Контроль технических параметров можно проводить с помощью стандартных измерительных средств полуавтоматически с помощью специальных установок. В серийном производстве применяется полуавтоматический агрегат контроля микромодулей по электрическим параметрам с разбраковкой изделий на две группы: “Годен”, “Брак”.

Оценка качества импульсных и линейных схем на агрегате производится по следующим параметрам : амплитуде, длительности и переднему фронту импульсов, частоте повторения, полосе пропускания и сбоям триггеров.

На рис.35 показана функциональная блок – схема агрегата контроля.

Контактирующий и исполнительный механизм (КИМ) служит для подключения микромодуля (М) к соответствующим блокам контрольно-измерительной аппаратуры, выдачи команд и реализации результатов контроля. Входное устройство (ВУ) предназначено для подачи на контролируемый микромодуль напряжений питания и входных сигналов, а также для согласования выхода микромодульной схемы с блоком входного усилителя (БВУ).

Блок входного усилителя служит для усиления входных сигналов, необходимых для нормальной работы блоков контроля: блока контроля переднего фронта импульсов (БКФ), блока контроля полосы пропускания и частоты следования контролируемых сигналов (БКПУ), блока контроля амплитуды контролируемых сигналов и сбоев триггеров (БКАС), блока контроля длительности импульсов. В блоке автоматики (БА) сигналы с блоков контроля суммируется и результирующий сигнал при забракованном изделии поступает на счетчик годных изделий.

6.Планировка участка.

Автоматизированная линия строится по следующему принципу. Микроэлементы, после того как прошли операцию входного контроля (1) ,

В строго ориентированном положении с определенным шагом укладываются

Между двумя лентами из полихлорвинила, которые свариваются между собой по периметру вокруг каждого микроэлемента, причем в одну ленту упаковываются микроэлементы только одного типа, номинала и цоколевки. Каждая лента змейкой укладывается в свой канал питания (по числу микроэлементов в микромодуле). После запуска автомата лента расходится и микроэлементы каждый по своему каналу в ориентированном положении поступают в сборник автомата сборки , который переносит собранный пакет микроэлементов на позицию пайки пакета. Далее осуществляется пайка и разрезка соединительных проводников согласно схеме раскладки микромодуля. Контроль микромодулей в процессе изготовления обычно производится дважды – до и после герметизации. В первом случае производится проверка входящих микроэлементов, правильность сборки пакета микроэлементов, соединительных проводников, качества пайки , а также проверка на соответствие техническим требованиям по электрическим параметрам.

После герметизации изделие вновь проверяется на соответствие техническим требованиям по выходным электрическим параметрам.

Процесс заливки микромодулей эпоксидным компаундом трудно интенсифицировать, так как он связан с длительным приготовленимем заливочного состава, требует тщательного смешивания исходных компонентов, охлаждения и вакуумирования смеси. Кроме того, приготовленный состав имеет ограниченный срок хранения : после заливки изделий в формах в течении не менее 1ч проходит процесс полимеризации.

Подготовленные к заливке формы подают на установку заливки, которая периодически работает в двух режимах: режим приготовления заливочного состава на 8-10 заливок и режим заливки.

Пока в установке готовится заливочный состав, на ее входе накапливается нужное количество форм с микромодулями.

С установки заливки формы автоматически передаются в установку полимеризации компаунда. По выходе из установки полимеризации формы охлаждаются проточной водой, разбираются, а с извлеченных из них изделий удаляются литники.

Список литературы.

1.”Технология производства микромодулей”. Локтаев В.С.

2. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. Пособие для студентов вузов.

2-е издание переработанное и доп. – М.: Высшая школа, 1979.

3. Парфенов О.Д. Технология микросхем: Учеб. пособие для вузов по спец. “Конструирование и производство ЭВА” - М.: Высшая школа, 1986.

4.”Пленочная электроника и полупроводниковые интегральные схемы”.

Богдан Г.И., 1979 год.

5.”Технология производства микроэлектронных устройств”. Малышева И.А.,

1980 год.

Характеристики

Список файлов реферата