63328 (695289), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

- время пролета через квазинейтральную базу;

- постоянная цепи заряда барьерной емкости p-n-p перехода коллектор-база С_кб.

Барьерная емкость С_бэ, состоит из двух параллельно включенных емкостей донной и боковой частей p-n-перехода база-эмиттер:

С_бэ= С_бэдон+ С_бэбок, (27)

где С_бэдон=εε₀·z_э·Lэ/l_бэ(x_э) – емкость донной части p-n-перехода база-эмиттер;

С_бэбок= - емкость боковой части p-n-перехода база-эмиттер;

Поскольку ширина ОПЗ зависит от концентрации легирующей примеси в p-n-переходе, а она в боковой части p-n-перехода изменяется по глубине, то С_бэбок также зависит от глубины и с учетом двухмерного распределения донорной примеси может быть определена из выражения

, (28)

где N_д(х,у) = N_dn·erfc[(х+1,5у)/2 ] — двухмерное распределение донорной (эмиттерной) примеси;

φ_кэбок(х) — контактная разность потенциалов боковой части р-n-перехода база-эмиттер(зависит от глубины по той же причине, что и ширина l_бэбок.).

Сопротивление базы R_б можно представить состоящим из двух последовательно включенных сопротивлений активной и пассивной базы, по которым протекает ток базы от соответствующего вывода до р-n-перехода эмиттер-база:

R_б =R_ба +R_бпас, (29)

где — сопротивление активной части базы;

— сопротивление пассивной части базы.

Барьерная емкость С_кб: по аналогии с емкостью С_бэ также состоит из двух параллельно включенных емкостей донной и боковой частей р-п-перехода коллектор-база:

С_кб=εε₀(S_кбдон+S_кббок), (30)

где S_кбдон и S_кббок — площади донной и боковой частей р-n-перехода коллектор-база. Поскольку коллектором является равномерно легированный эпитаксиальный слой, то концентрации легирующей примеси в боковой и донной частях этого р-n-перехода одинакова, а значит, и постоянна толщина ОПЗ l_кб

Напряжения лавинного пробоя плавного р-п-перехода база-эмиттер:

и резкого р-п-перехода коллектор-база:

Литература

1. Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы. Методы проектирования. М.: Мир, 2001. - 379 с.

2. Новиков Ю.В., Скоробогатов П.К. Основы микропроцессорной техники. Курс лекций. М.: ИНТУИТ.РУ, 2003. - 440 с.

3. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Цифровые устройства: Учеб. пособие для ВТУЗов. СПб.: Политехника, 2006. - 885 с.

4. Преснухин Л.Н., Воробьев Н.В., Шишкевич А.А. Расчет элементов цифровых устройств. М.: Высш. шк., 2001. - 526 с.

5. Букреев И.Н., Горячев В.И., Мансуров Б.М. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. М.: Радио и связь, 2000. - 416 с.

6. Соломатин Н.М. Логические элементы ЭВМ. М.: Высш. шк., 2000. - 160 с.

Характеристики

Список файлов реферата