123341 (689437), страница 3

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 3)

Определим площадь занимаемую резистором:

мм² (84)

Определим коэффициент нагрузки резистора:

(85)

Результаты расчета занесем в таблицу №2:

Таблица №2

Конденсаторы

Конденсаторы являются широко распространенными элементами гибридных микросхем. Пленочный конденсатор представляет собой последовательно нанесенные на подложку и друг на друга пленки проводника и диэлектрика. Такая конструкция пленочных конденсаторов делает их более сложными элементами микросборок по сравнению с резисторами.

Применение многослойных конденсаторов с большим числом обкладок приводит к усложнению технологии, снижению надежности, электрической прочности конденсаторов и повышение их стоимости. Поэтому в пленочных микросборках в основном применяются лишь трехслойные конденсаторы. Все характеристики пленочных конденсаторов зависят от выбранных материалов. Диэлектрическая пленка должна иметь высокую адгезию к подложке и металлическим обкладкам, обладать высокой электрической прочностью и малыми диэлектрическими потерями и многими другими требованиями и характеристиками.

Под наши номиналы конденсаторов более подходит стекло электровакуумное С41-1 (НПО.027.600) с удельной емкостью 150…400 пФ/мм², диэлектрической проницаемостью ₀ = 5,2, tg_д=(0,2…0,3)·10², электрической прочностью Е_ПР = 300…400 В/мкм, ТКЕ 10⁴ М_д = 1,7, _д = 0,2, коэффициентом старения 10^-5 М_кд = 2, _кд = 1. Также имеем технологические ограничения на размеры обкладок: l = b = 0,01мм. – максимальное отклонение размеров обкладок, М_со = 5% – среднее значение производственной относительной погрешности удельной емкости, _со = 1% – половина поля рассеивания производственной относительной погрешности удельной емкости.

Вычислим среднее значение относительной погрешности удельной емкости, Вызванной изменением температуры, М_cotb при верхней и М_cotn при нижней предельной температуре:

₍₈₆₎

₍₈₇₎

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.17; 2.18 [5]):

(88)

% %

Половины полей рассеяния относительной погрешности предельной емкости, вызванной изменением температуры:

₍₈₉₎

Половины полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной изменением температуры (2.20; 2.21 [5]):

(90)

%

Среднее значение относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:

(91)

Среднее значение относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.23; 2.24 [5]):

(92)

%

Половина поля рассеяния относительной погрешности удельной емкости, вызванной старением диэлектрической пленки:

(93)

Половина полей рассеяния относительной погрешности емкости, вызванной старением диэлектрической пленки (2.26; 2.27 [5]):

(94)

%

Найдем сумму средних значений относительных погрешностей:

(95)

(96)

Введем коэффициент запаса на уход емкости под действием не учетных факторов:

Определим допустимое значение половины поля рассеяния, производственной относительной погрешности активной площади:

(97)

% (98)

- минимальное значение двух предыдущих.

Допустимый коэффициент формы активной площади конденсатора:

(99)

Коэффициент формы берем из условия 2.39 [5]:

(100)

К = 1.

Определим максимальную удельную емкость, обусловленную заданным допуском на емкость по техническим параметрам:

пФ/мм² (101)

Коэффициент запаса электрической прочности конденсатора принимаем равный 3:

Определим максимальную удельную емкость, обусловленную электрической прочностью межслойного диэлектрика и рабочим напряжением:

пФ/мм² (102)

мм. – минимальная толщина диэлектрика, тогда максимальная удельная емкость из допустимого уровня производственного брака:

пФ/мм² (103)

Определим минимальную удельную емкость, приняв значение максимальной толщины диэлектрика:

мм.

Тогда:

пФ/мм² (104)

Выберем удельную емкость из условия:

(105)

пФ/мм²

Определим соответствующую С₀ толщину диэлектрика:

мкм. (106)

Определим расчетную активную площадь конденсатора:

мм² (107)

Определим расчетное значение длины и ширины верхней обкладки конденсатора при выбираем коэффициенте формы:

мм. мм. (108)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм (109)

= 0,2 мм. – минимальное расстояние краем нижней и верхней обкладок, обусловленное выбранной технологией.

Определим расчетное значение длины и ширины нижней обкладки конденсатора:

мм. (110)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм. (111)

мм. – минимальное расстояние между краем нижней обкладки и диэлектрическим слоем, обусловленное выбранной технологией.

Определим расчетное значение длины и ширины диэлектрического слоя конденсатора:

мм. (112)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм. (113)

Определим площадь, занимаемую конденсатором:

мм² (114)

Определим точность емкости сконструированного конденсатора. Для этого определим среднее значение относительной погрешности активной площади:

(115)

Определим среднее значение производственной погрешности:

(116)

Определим поле рассеяния относительной погрешности активной площади:

(117)

Определим поле рассеяния производственной погрешности:

(118)

Определим положительное и отрицательное значение предельного отклонения емкости:

(119)

(120)

Предельное отклонение емкости будет равно максимальному из этих значений:

Проверим условие:

Как видно это условие выполняется, из этого следует, что выбранный материал нам подходит по своим характеристикам.

Занесем полученные результаты в таблицу №3:

Таблица №3

В связи с тем, что геометрические размеры конденсатора получились очень большие, то целесообразно выбрать навесной конденсатор марки К10-9 с параметрами:

длина L=5,5 мм; ширина В=2,5 мм;

Определим параметры для навесных конденсаторов емкостью 2,2 мкФ:

Конденсатор типа К53-16:

• рабочее напряжение U_р=6,3В

• длина L=5 мм

• ширина В=2,3 мм

• высота h=1,6 мм

• площадь занимаемая конденсатором S=11,5 мм²

Расчёт площади платы. Выбор типа подложки и корпуса

Для определения минимально допустимой площади платы, необходимо произвести расчёт площади под каждый вид плёночных (резисторов, конденсаторов, контактных площадок) и дискретных элементов.

Число контактных площадок определяется исходя из заданной схемы соединений. Технологические и конструктивные данные и ограничения позволяют оценить минимально допустимые геометрические размеры контактных площадок в зависимости от способа формирования плёночных элементов. Общая площадь необходимая под контактные площадки:

(121)

где S_i – площадь i – й площадки;

m – число площадок.

Определим площадь контактных площадок под резисторы:

мм² (122)

Определим площадь контактных площадок под транзисторы :

мм² (123)

мм² (124)

Определим площадь резисторов:

мм² (125)

Определим площадь транзисторов:

мм² (126)

Определим площадь конденсаторов:

мм² (127)

Определим площадь контактных площадок под конденсаторы :

мм² (128)

Суммарная (площадь) минимальная площадь платы, необходимая для размещения элементов и компонентов находится по формуле:

(129)

где К_и – коэффициент использования платы, обычно принимают К_и=2…3. Введение коэффициента использования связано с тем, что полезная площадь (площадь, занимаемая элементами и компонентами) несколько меньше полной, что обусловлено технологическими требованиями и ограничениями. Конкретное значение коэффициента использования зависит от сложности схемы и способа её изготовления.

мм² (130)

Исходя из ориентировочного расчёта суммарной площади, проведённого выше, выбираем подложку с необходимыми размерами и выбираем типоразмер корпуса.

Данной площади платы соответствует размер подложки 20х16 мм. Геометрические размеры подложек стандартизированы. Выбираем подложку из ситалла СТ50-1. Этот материал очень широко используется для изготовления гибридных интегральных микросхем, так-так имеет очень хорошие электрофизические и механические характеристики. Минимальный габаритный размер подложки из данного материала 48х60 мм, поэтому на данной подложке изготавливается групповым методом несколько гибридных микросхем, потом эту подложку режут на заданное количество подложек, в данном случае на 9 подложек.

Характеристики

Список файлов курсовой работы