84425 (675884), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Навесные элементы монтируют часто в гибридные микросхемы пайкой. Припой либо предварительно наносят на контактные площадки, либо поступает на место пайки на луженых выводах; чаще всего припой в виде пасты наносят на контактные площадки способом трафаретной печати.

Для защиты от внешних воздействий гибридные ИС герметизируют пластмассой или помещают в герметические металлические, стеклянные и керамические корпуса.

V. Совмещенные интегральные микросхемы.

Отличительной особенностью совмещенных ИМ является применение дополнительных резистивных и диэлектрических материалов наряду с кремнием, его двуокисью и чистыми металлами для межэлементных соединений, а также независимость принципа действия тонкоплёночных элементов от кремния, так как вместо изоляции p-n переходом используют более совершенную изоляцию плёнками двуокиси кремния.

Выход годных из-за большого числа операций уменьшается. Слои осаждают способами термовакуумного осаждения или катодного распыления, рисунок фотолитографией или на основе применения свободных масок.

Наибольшие технологические трудности возникают из-за температурных нагрузок при термокомпрессии и креплении кристалла к основанию корпуса (может измениться номинал тонкоплёночных интегральных элементов.

VI. Многокристальные гибридные интегральные

микросхемы.

Для повышения плотности монтажа и улучшения контактирования объединяют в одном корпусе несколько тонкоплёночных и бескорпусных полупроводниковых ИМ, выполненных на различных подложках, в один общий корпус - в многокристальную ИМ. Это часто повышает выход годных изделий.

Преимущество такой ИМ - в возможности предварительного подбора отдельных элементов или микросхем, что определят большую гибкость на этапе проектирования.

Недостатки - большие затраты ручного труда при монтаже в крупносерийном производстве, поэтому нецелесообразно применение многокристальных ИМ в мелкосерийном и опытном производстве и при изготовлении специальных ИМ.

Список использованной литературы.

1. Технология и автоматизация производства радиоэлектронной аппаратуры / И.П. Бушминский, О.Ш. Даутов и др.: Под. ред. А.Н. Достанко и Ш.М. Чибдарова. - М: Радио и связь, 1989.- 624 с.: ил.

2. Ханке Х.-И.,Фабиан Х. Технология производства радиоэлектронной аппаратуры: Пер. с нем./ Под ред. В.Н.Черняева.- М.: Энергия,1980. - 464 с.; ил.

3. Иванов Ю.В., Лакота Н.А. Гибкая автоматизация производства РЭС с применением микропроцессоров и роботов. -М.: Радио и связь,1987.-464 с.: ил.

4. Технология ЭВА, оборудование и автоматизация / Алексеев В.Г., Билибин К.И., Нестеров Ю.И. и др. - М.: Высшая школа,1984.- 392 с.: ил.

5. Сагателян Г.Р., Осипков В.П. Исследование процесса формообразования на примере операции шлифования и полирования основы и ферролакового покрытия жестких магнитных дисков памяти ЭВМ: Метод. указания для выполнения лабораторной работы...- М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 1995.-32 с.: ил.

13

Характеристики

Список файлов реферата