85454 (612490), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

+Еп

Io Rн

Uвых +Еп

Iз 

n Uвых

Uвх Rн

Uвх

а) в)

Коэффициент усиления по напряжению определяется крутизной характеристики и всегда >> 1. Транзистор может работать как в крутой, так и в пологой областях стоковых (выходных) характеристик.. Выходное сопротивление Rвых Rн имеет в реальных схемах достаточно большую величину, т.к. для достижения высокого Кu требуется использовать высокоомное Rн. Реже используется схема включения с общим стоком (схема в)), подобная схеме с ОК. Схема не инвертирующая, поэтому носит название «истоковый повторитель». Кu < 1 за счёт глубокой ООС через Rн. Этим же объясняется и очень высокое Rвх (Rвхос >> Rвх), которое также носит ёмкостной характер. Схема обладает низким выходным сопротивлением и, чаще всего, используется для согласования источника сигнала, имеющего высокоомный выход с низкоомной нагрузкой.

Схема включения с общим затвором применяется крайне редко.

ЛИТЕРАТУРА

1. И.П.Степаненко «Основы микроэлектроники» (М.Сов радио 1980г.)

2. А.Я.Фёдоров «Основы физики полупроводниковых приборов» (М.Сов радио 1968г.)

3. К.В.Шалимов «Физика полупроводников» (М. Энергия 1976г.)

4. Г.И.Епифанов «Физические основы микроэлектроники» (М.Сов радио 1971г.)

5. Г.И.Епифанов «Физика твёрдого тела» (М.Сов радио 1965г.)

6. И.М.Вакулин, В.И.Стафеев «Физика полупроводниковых приборов» (М.Сов радио 1986г.)

7. А.И.Курносов, Э.Н.Воронков «Полупроводниковая микроэлектроника» (Выща школа )

8. Б.Г.Бондарь и др. «Микроэлектроника» (Выща школа 1981г.)

Характеристики

Список файлов курсовой работы