Курсовая работа: Элементы квантовой механики

Содержание

• ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
• ЭФФЕКТ ПОЛЯ
• U изменений р – типа увеличивается, следовательно,
• увеличивается и проводимость. Увеличение концентрации оситных носителей в слое называется обогащением (уменьшение – объединением при неизменной полярности U ). По мере уменьшения d эффект поля может исчезнуть за счёт пробоя диэлектрика. Даже если диэлектрик – вакуум, возможен туннельный эффект.
• Глубина проникновения поля в ПП (фактически, толщина обогащённого слоя) называется длиной Дебая (дебаевская длина).
• ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ
• КРАТКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ ПП ДИОДОВ
• n+ n
• РЕЖИМИ РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА
• СИСТЕМЫ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ
• i2 = h21i1 + h222, где
• I1 = (Uбэ)
• I1 = I`эо(e (Uбэ/т)  
• К +/- = Iвых/Iвх = Iк/ Iэ  h21б < 1
• S = Iб/Iбн, где
• S1 – соответствует линейному активному режиму
• МДП ТРАНЗИСТОР С ИНДУЦИРОВАННЫМ КАНАЛОМ
• МДП ТРАНЗИСТОРЫ СО ВСТРОЕННЫМ КАНАЛОМ
• СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ МДП ТРАНЗИСТОРОВ