150396 (594547), страница 7
Текст из файла (страница 7)
Приложение Б
Приложение В
Механизм пробоя жидких диэлектриков включает 3 основных процесса
-
электронная эмиссия катода;
-
ударную ионизацию;
-
взаимодействие электронов с частицами среды.
,
где А и В - постоянные
Приложение Г
Показан механизм образования бабстоных (бабстон-устойчивый микропузырек газа) кластеров.
Приложение Д.
Профиль интенсивности света (1) и плотности плазмы (2) в световой нити (3-виртуальное изменение диаметра). Плотность электронов в плазме очень резко зависит от радиуса нити.
Приложение Е
Схема образования потенциального барьера в постоянном внешнем поле Еconst ; U(r) – потенциал квантовой системы в отсутствие внешнего поля.
Приложение Ж
Возможные механизмы ионизации, зависимость их от интенсивности излучения(F), потенциала ионизации и частоты.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
