114647 (591659), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Далі по списку 64-бітові обчислення. Ви можете поставити Windows XP Professional х64 Edition, але знайти спеціальне ПЗ і потрібні версії драйверів буде складно. Навіть якщо все пройде вдало, особливого зростання продуктивності чекати не доводиться. Єдиний плюс такого переходу – підтримка більшого об'єму оперативної пам'яті. Тут ви не обмежені 2 гігабайтами.
Нарешті, набори інструкцій. Вони покликані збільшити швидкість обчислень, але за умови їх підтримки з боку ПЗ. Ще давно Intel розробила ММХ, далі були SSE, SSE2 і SSE3. AMD адаптувала ММХ, але потім вирішила піти своїм шляхом, запропонувавши 3DNow!
Шлях виявився не дуже вдалим, так що сьогодні майже всі їх процесори підтримують SSE/SSE2 і навіть SSE3. Користь від інструкцій є, але вони не визначають продуктивність ЦП в цілому [7].
Рисунок 2.6 – Зовнішній вигляд процесора
2.2.6 Вибір процесора
По-перше, ми не рекомендуємо вам брати зовсім вже дешеві моделі. Процесори серії Celeron і Sempron націлені на офісні ПК. Вони урізані по частоті шини, по функціях, об'єму кеш-пам'яті – все це сильно б'є по продуктивності, особливо в іграх і «важких» програмах.
А зараз – сакраментальне питання. AMD або Intel? Питання тут не в якості – обидві компанії випускають цілком якісну продукцію. А ось продуктивність... Доводиться визнати, що Intel поступово здає позиції, і лідерство Athlon 64 на даний момент не викликає сумнівів. Особливо – в ігровому плані. До того ж процесори Athlon споживають менше енергії, а технологія Cool'n'Quiet дозволяє ефективніше її економити. Складніший вибір – узяти два ядра або одне? Перші дорожче, але, з іншого боку, зараз вже повним ходом з'являються ігри і програми, оптимізовані під багатоядерні процесори.
Спочатку розглянемо одноядерні лінійки. AMD випускає Athlon 64 для Socket 939 і Socket 754. Другий варіант ми не рекомендуємо: заощадивши копійки, ви отримаєте модель з одноканальним контролером пам'яті і меншою продуктивністю.
Розглянемо процесори Intel. Ця компанія у свою чергу пропонує дві лінійки Pentium 4 - 5хх і 6хх. Основна відмінність між ними – розмір кеша (1 Мбайт проти 2 Мбайт). У плані продуктивності «шоста» серія помітно краще, причому різниці цін між ними практично немає. Отже, якщо ви віддаєте перевагу процесорам Intel, оптимальним вибором стане Pentium 4 630. Старша версія з індексом 670 обійдеться набагато дорожче, а зайві 800 МГц нікого не рятують.
Ситуація з двоядерними моделями не менш цікава. Якщо AMD пропонує досить дорогі, зате продуктивні Athlon 64 Х2, то Intel узяла на озброєння іншу стратегію, випустивши лінійку простеньких двоядерних процесорів Pentium D серій 8хх і 9хх. Остання краще, оскільки у неї вдалося понизити споживання енергії, а різниці в цінах при однаковій частоті немає.
Особливо дорогі процесори – Athlon 64 FX і Pentium Extreme Edition. Їх суть не в тому, щоб бути процесорами, а в тому, щоб коштувати по тисячі доларів. На практиці вони не особливо потужніші за старші версії Athlon 64/64 Х2 і Pentium 4/D. Переплата йде за «ексклюзивність» і трохи більшу частоту [7].
2.3 Флеш-пам’ять
Технологія флеш-пам’яті з'явилася близько 20-ти років тому. Наприкінці 80-х років минулого сторіччя флеш-пам’ять почали використовувати як альтернативу UV-EPROM. З цього часу інтерес до флеш-пам’яті з кожним роком неухильно зростає. Увага, яка приділяється флеш-пам'яті, цілком зрозуміла – адже це сегмент напівпровідникового ринку, який найбільш швидко зростає. Щорічно ринок флеш-пам’яті зростає більш ніж на 15 %, що перевищує сумарне зростання всієї решти напівпровідникової індустрії.
Сьогодні флеш-пам’ять можна знайти в самих різних цифрових пристроях. Її використовують як носій мікропрограм для мікроконтролерів HDD і CD-ROM, для зберігання BIOS в ПК. Флеш-пам’ять використовують в принтерах, КПК, відеоплатах, роутерах, брандмауерах, стільникових телефонах, електронних годинниках, записниках, телевізорах, кондиціонерах, мікрохвильових печах і пральних машинах... список можна продовжувати нескінченно. А останніми роками флеш стає основним типом змінної пам'яті, використовуваної в цифрових мультимедійних пристроях, таких як mp3-плеєри і ігрові приставки. А все це стало можливим завдяки створенню компактних і потужних процесорів. Проте при покупці якого-небудь пристрою, що поміщається в кишені, не варто орієнтуватися лише на процесорну потужність, оскільки в списку пріоритетів вона стоїть далеко не на першому місці.
Почалося це в 1997 році, коли флеш-карти вперше стали використовувати в цифрових фотокамерах.
При виборі портативних пристроїв найважливішим є час автономної роботи при розумних масі і розмірах елемента живлення. Багато залежить від пам'яті, яка визначає об'єм збереженого матеріалу, і тривалість роботи без заряджання акумуляторів. Можливість зберігання інформації в кишенькових пристроях обмежується скромними енергоресурсами. Пам'ять, звичайно використовувана в ОЗП комп'ютерів, вимагає постійної подачі напруги. Дискові накопичувачі можуть зберігати інформацію і без безперервної подачі електрики, зате при записі і зчитуванні даних витрачають її за трьох. Гарним рішенням проблеми виявилася флеш-пам’ять, що не розряджається довільно. Носії на її основі називаються твердотільними, оскільки не мають рухомих частин. На жаль, флеш-пам’ять – коштовне задоволення: середня вартість її мегабайта складає 2 долари, що у вісім разів вище, ніж у SDRAM, не кажучи вже про жорсткі диски. А ось відсутність рухомих частин підвищує надійність флеш-пам’яті: стандартні робочі перевантаження дорівнюють 15 g, а короткочасні можуть досягати 2000 g, тобто теоретично карта повинна чудово працювати при максимально можливих космічних перевантаженнях, і витримати падіння з триметрової висоти. Причому в таких умовах гарантується функціонування карти до 100 років.
Багато виробників обчислювальної техніки бачать пам'ять майбутнього виключно твердотільною. Внаслідок цього відбувається практично одночасна поява на ринку комплектуючих декількох стандартів флеш-пам’яті.
2.3.1 Що таке flash-пам'ять?
Флеш-пам’ять – особливий вид енергонезалежної перезаписуваної напівпровідникової пам'яті.
Енергонезалежна – що не вимагає додаткової енергії для зберігання даних (енергія потрібна тільки для запису).
Перезаписувана – що допускає зміну (перезапис) даних, що зберігаються в ній.
Напівпровідникова (твердотільна) – що не містить механічно рухомих частин (як звичайні жорсткі диски або CD), побудована на основі інтегральних мікросхем (IC—Chip).
На відміну від багатьох інших типів напівпровідникової пам'яті, елемент флеш-пам’яті не містить конденсаторів – типовий елемент флеш-пам’яті складається всього лише з одного транзистора особливої архітектури. Елемент флеш-пам’яті чудово масштабується, що досягається не тільки завдяки успіхам в мініатюризації розмірів транзисторів, але і завдяки конструктивним знахідкам, що дозволяють в одному елементі флеш-пам’яті зберігати декілька біт інформації. Флеш-пам’ять історично походить від ROM (Read Only Memory) пам'яті, і функціонує подібно до RAM (Random Access Memory). Дані флеш зберігає в елементах пам'яті, схожих на елементи в DRAM. На відміну від DRAM, при відключенні живлення дані з флеш-пам’яті не зникають. Заміни пам'яті SRAM і DRAM флеш-пам'яттю не відбувається через дві особливості флеш-пам’яті: флеш працює досить повільно і має обмеження за кількістю циклів перезапису (від 10.000 до 1.000.000 для різних типів). Інформація, записана на флеш-пам’ять, може зберігатися дуже тривалий час (від 20 до 100 років), і здатна витримувати значні механічні навантаження (які у 5-10 разів перевищують гранично допустимі для звичайних жорстких дисків). Основна перевага флеш-пам’яті над жорсткими дисками і носіями CD-ROM полягає в тому, що флеш-пам’ять споживає значно (приблизно у 10-20 і більше разів) менше енергії під час роботи. У пристроях CD-ROM, жорстких дисках, касетах і інших механічних носіях інформації, велика частина енергії йде на приведення в рух механіки цих пристроїв. Крім того, флеш-пам’ять є більш компактною за більшість інших механічних носіїв. Флеш-пам’ять історично з’явилася від напівпровідникового ROM, проте ROM-пам'яттю не є, а всього лише має схожу на ROM організацію. Безліч джерел (як вітчизняних, так і зарубіжних) часто помилково відносять флеш-пам’ять до ROM. Флеш ніяк не може бути ROM хоч би тому, що ROM (Read Only Memory) переводиться як "пам'ять тільки для читання". Ні про яку можливість перезапису в ROM мови бути не може! Невелика, з початку, неточність не звертала на себе уваги, проте з розвитком технологій, коли флеш-пам’ять стала витримувати до 1 мільйона циклів перезапису, і стала використовуватися як накопичувач загального призначення, цей недолік в класифікації почав впадати в очі. Серед напівпровідникової пам'яті тільки два типи відносяться до "чистого" ROM – це Mask-ROM і PROM. На відміну від них, EPROM, EEPROM і Flash відносяться до класу енергонезалежної перезаписуваної пам'яті (англійський еквівалент – nonvolatile read-write memory, або NVRWM).
2.3.2 ROM
ROM (Read Only Memory) – пам'ять тільки для читання. Український еквівалент – ПЗП (Постійно Запам'ятовуючий Пристрій). Якщо бути зовсім точним, даний вид пам'яті називається Mask-ROM (Масочні ПЗП). Пам'ять побудована у вигляді масиву елементів (матриці), що адресуються, кожен елемент якого може кодувати одиницю інформації. Дані на ROM записувалися під час виробництва шляхом нанесення за маскою (звідси і назва) алюмінієвих з’єднувальних доріжок літографічним способом. Наявність або відсутність у відповідному місці такої доріжки кодувала "0" або "1". Mask-ROM відрізняється складністю модифікації вмісту (тільки шляхом виготовлення нових мікросхем), а також тривалістю виробничого циклу (4-8 тижнів). А також у зв'язку з тим, що сучасне програмне забезпечення часто має багато недоробок і часто вимагає оновлення, даний тип пам'яті не набув широкого поширення.
Переваги:
- Низька вартість готової запрограмованої мікросхеми (при великих об'ємах виробництва).
- Висока швидкість доступу до елемента пам'яті.
- Висока надійність готової мікросхеми і стійкість до електромагнітних полів.
Недоліки:
- Неможливість записувати і модифікувати дані після виготовлення.
- Складний виробничий цикл.
PROM – Programmable ROM, або одноразово Програмовані ПЗП. Як елементи пам'яті в даному типі пам'яті використовувалися плавкі перемички. На відміну від Mask-ROM, в PROM з'явилася можливість кодувати ("перепалювати") елементи за наявності спеціального пристрою для запису (програматора). Програмування елемента в PROM здійснюється руйнуванням ("пропаленням") плавкої перемички шляхом подачі струму високої напруги.
Можливість самостійного запису інформації в них зробило їх придатними для штучного і дрібносерійного виробництва. PROM практично повністю вийшов з використання наприкінці 80-х років (рис. 2.7).
Рисунок 2.7 – Programmable ROM
Переваги:
- Висока надійність готової мікросхеми і стійкість до електромагнітних полів.
- Можливість програмувати готову мікросхему, що зручно для штучного і дрібносерійного виробництва.
- Висока швидкість доступу до елемента пам'яті.
Недоліки:
- Неможливість перезапису.
- Великий відсоток браку.
- Необхідність спеціального тривалого термічного тренування, без якого надійність зберігання даних була б невисокою.
2.3.3 NVRWM: EPROM
Різні джерела по-різному розшифровують абревіатуру EPROM – як Erasable Programmable ROM або як Electrically Programmable ROM (програмовані ПЗП, що можна стирати, або електрично програмовані ПЗП). Перед записом EPROM необхідно провести стирання (відповідно з'явилася можливість перезаписувати вміст пам'яті). Стирання елементів EPROM виконується відразу для всієї мікросхеми за допомогою опромінювання чіпа ультрафіолетовими або рентгенівськими променями протягом декількох хвилин. Мікросхеми, стирання яких проводиться шляхом засвічування ультрафіолетом, були розроблені Intel в 1971 році, і носять назву UV-EPROM (приставка UV (Ultraviolet) – ультрафіолет). Вони містять віконця з кварцового скла, які після закінчення процесу стирання заклеюють.
Переваги:
- Можливість перезаписувати вміст мікросхеми.
Недоліки:
- Невелика кількість циклів перезапису.
- Неможливість модифікації частини даних, що зберігаються.
- Висока вірогідність "не дотерти" (що зрештою приведе до збоїв) або перетримати мікросхему під УФ-світлом (т.з. overerase – ефект надмірного видалення, "перепалювання"), що може зменшити термін служби мікросхеми і навіть привести до її повної непридатності.
EEPROM (EEPROM або Electronically EPROM) – ППЗУ, які можна електрично витирати, були розроблені в 1979 році в тому ж Intel. У 1983 році вийшов перший 16Кбітний зразок, виготовлений на основі FLOTOX-транзисторів (Floating Gate Tunnel-OXide – "плаваючий" затвор з тунелюванням в оксиді).
Головною відмінною особливістю EEPROM та Flash від раніше розглянутих нами типів енергонезалежної пам'яті є можливість перепрограмування при підключенні до стандартної системної шини мікропроцесорного пристрою. У EEPROM з'явилася можливість проводити стирання окремого елемента за допомогою електричного струму. Для EEPROM стирання кожного елемента виконується автоматично при записі до нього нової інформації, тобто можна змінити дані в будь-якому елементі, не зачіпаючи інші. Процедура стирання звичайно є істотно довшою процедурою, ніж запис.
Переваги EEPROM в порівнянні з EPROM:
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
