108881 (590965), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Выбираем изделия фирмы Epcos.
В качестве дросселей, для фильтров по питанию, из таблицы выберем дроссели типа DB36-10-47, DST4-10-22, FMER-K26-09.
Катушки индуктивности. Технические параметры. Таблица 1.6.9
Тип | индуктивность мкГн | Q | Тест. частота Гц | сопротивление Ом | Ток тип. А | Ток нас. А | ||||
L | Q | |||||||||
DB36-10-47 | 150±20% | 46 | 100К | 2.520М | 0.02 | 12.80 | 14.20 | |||
DST4-10-22 | 47±20% | 42 | 100К | 2.520М | 0.01 | 12.20 | 15.50 | |||
FMER-K26-09 | 60±20% | 56 | 100К | 2.520М | 0.12 | 8.2 | 10.4 |
Выбираем тип трансформаторов TS40-15-2, KERBIP-2-K20, TS300-12-K28, TS12-300-K32 диапазон рабочих температур -40…+45оС.
1.6.4 Выбор активных элементов
Выбираем транзисторы фирмы STMicroelectronics табл.1.6.10.
Технические параметры транзисторов. Таблица 1.6.10
Параметры | К1531 | GT15Q101 | BC556 | IRFP150 | IRFD123 | 2N2907 | К792 |
Напряжение коллектор-база | 500B | 1200В | 80В | 100В | 80В | -60В | 900В |
(сток-затвор) | 500B | 1200В | 65В | 100В | 80В | -40В | 900В |
Напряжение коллектор-эмиттер (сток-исток) | ±30B | ±20В | 5В | ±20B | ±20B | -5В | ±20B |
Напряжение | 15A | 15А | 100мА | 43A | 1.1А | -600мА | 3A |
база-эмиттер | 60A | 30А | 200мА | 170A | 4.4А | -1.2А | 5A |
(затвор-исток) | 2мА | 20мА | |||||
Ток коллектора | 150Bт | 150Вт | 0.5Вт | 193Вт | 1.5Вт | 200мВт | 100Вт |
(сток) | 1480пФ | 1800пФ | 10пФ | 1750пФ | 450пФ | 30пФ | 800пФ |
Импульсный ток коллектора | 400пФ | 3пФ | 420пФ | 200пФ | 8пФ | 250пФ | |
(сток) | 150C | 150С | 150С | 175С | 150С | 150С | 150 С |
Выбираем диоды фирм Fairchild и International Rectifier.
Технические параметры диодов. Таблица 1.6.11
Параметры | U обр. В | І макс., А | І обр, мА | F макс., кГц |
PSOF107 | 300 | 0.3 | 0.005 | 40 |
1N4937 | 600 | 1.5 | 2 | 150 |
LL4148 | 100 | 0.2 | 0.005 | 300 |
LL414P | 60 | 0.5 | 0.01 | 300 |
MUR860 | 600 | 10 | 20 | 200 |
MUR31 | 800 | 8 | 2 | 10 |
RUR30100 | 1000 | 30 | 1 | 300 |
Выбираем микросхемы фирм Unitrode, National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics.
В качестве контролеров питания выбираем UC3842 фирмы Unitrode, SG3525 фирмы STMicroelectronics.
В качестве микросхемы стабилизатора напряжения выбираем ИМС фирмы STMicroelectronics.
Технические параметры микросхемы
интегрального стабилизатора. Таблица 1.6.13
Тип | Входное напряжение, В | Напряжение стабилизации, В | Выходной ток, А | Температура, С |
78M05ST | +30 | +5 | 1.2 | -55…+125 |
1.7. Расчет печатной платы.
1.7.1. Расчет площади печатной платы.
Определяем стандартные размеры элементов, которые применяются, и возводим данные в таблицу. 1.7.1.
Размеры элементов и их суммарная позиция. Таблица. 1.7.1.
Название групп компонентов | Количество N, шт. | Длинна L, мм | Ширина В, мм | Диаметр D, мм | Площадь S=L*В, мм2 | Площадь N элем. S*N,мм2 | Диаметр выводов d, мм |
Резисторы постоянные 0.25...0.5Вт | 119 | 4.7 | 1.5 | 7.05 | 838.95 | ||
Резисторы постоянные 1...2Вт | 10 | 12 | 5 | 60 | 600 | 0.85 | |
Резисторы переменные | 3 | 3.1 | 3.6 | 11.16 | 33.48 | ||
Конденсаторы керамические | 37 | 4.7 | 1.5 | 7.05 | 260.85 | ||
Конденсаторы электролитические | 14 | 16 | 200.96 | 2813 | |||
8 | 20 | 314 | 2512 | ||||
Транзисторы | 17 | 25 | 40 | 1000 | 17000 | 1.0 | |
Диоды малой мощности | 8 | 4.7 | 1.5 | 7.05 | 56.4 | 0.6 | |
Диоды большой мощности | 16 | 15 | 20 | 300 | 4800 | 1.2 | |
Стабилитроны | 5 | 4.7 | 2 | 9.4 | 47 | ||
IMC SMD | 6 | 14 | 12 | 168 | 1008 | ||
IMC DIP | 5 | 10 | 8 | 80 | 400 | 1.0 | |
Дроссели | 6 | 42 | 22 | 924 | 5544 | 1.2 | |
Трансформаторы сигнальные | 3 | 15 | 176 | 530 | 1.0 | ||
Трансформаторы питания | 2 | 70 | 60 | 4200 | 8400 | 1.2 | |
Вставка плавкая | 4 | 30 | 10 | 300 | 1200 | 1.2 | |
Реле | 2 | 50 | 20 | 1000 | 2000 | 1.0 | |
Разъемы | 6 | 20 | 10 | 200 | 1200 | 0.85 |
Из таблицы. 1.7.1. получили суммарную плоскость SСУМ=49233мм2, тогда определяем устанавливаемую площадь всех элементов на плате, если КУСТ=1,2