63176 (588906), страница 10

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 10)

1. Ильин В.Н. Машинное проектирование электронных схем.-М.: Энергия, 1972.-280 С.

2. Логан. Моделирование при проектировании схем и систем // ТИИЭР, 1972.-Т.60, N1.-С.112-122.

3. Носов Ю.Р. и др. Математические модели элементов интегральной электроники. -М.: Сов.радио, 1976.-304 С.

4. Макромоделирование аналоговых интегральных микросхем/ А.Г.Геращенко и др.-М.: Радио и связь, 1983.-248 С.

5. Разевиг В.Д. Применение программ Р-САД и PSpice для схемотехнического моделирования на ПЭВМ: В 4-х выпусках. Вып. 2: Модели компонентов аналоговых устройств. -М.: Радио и связ, 1992.

6. Столярский Э. Измерения параметров транзисторов / Пер. С польск. А.А.Визиля. Под ред. Ю.А.Каменского. -М.: Сов. радио, 1976.- 288 С.

7. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учеб. для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые и микроэлектронные устройства"- 4-е изд. перераб. и доп.-М.: Высшая шола, 1987.-479 С.

8. А.С.1317370 (СССР). Способ определения линейных параметров многополюсника. И.А.Мирошник и др.-Опубл. в БИ, 1987, N22.

9. Машинно-ориентированные способы определения параметров линейных многополюсников на высоких частотах / Мирошник И.А. Воронеж, политехнический институт- Воронеж, 1988.- 31 С. Ил. 11. Библиогр. 11 назв.- Рус.- Деп. в ВИНИТИ 25.01.89. N606-1389.

10. А.С.1084709 (СССР). Устройство для измерения параметров рассеяния транзисторов / И.А. Мирошник и др.- Опубл. в БИ, 1984, N13.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

УТВЕРЖДАЮ

Заведующий кафедрой «МиЭРА»

Балашов Ю.С. _______________

ПРОГРАМНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ПКТ-3

ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ

КД3.333.333ТЗ

На разработку программно-технического комплекса для измерения статических и динамических параметров радиоэлементов.

1. Объект разработки: программно-технический комплекс для измерения статических и динамических параметров радиоэлементов.

2. Объект измерения: двухполюсные и четырехполюсные радиоэлементы.

3. Разрабатываемый комплекс должен удовлетворять следующим условиям.

3.1. Измерения статических и динамических параметров должны производиться путем реализации способов и устройств по АС СССР № 1084709, 1317370, 1619209.

3.2. В качестве ядра комплекса должен быть применен ПК типа IBM PC.

1. Связь технических средств измерения с ПК должна осуществляться через порт RS-232.

1. Интерфейс должен управлять тремя 10-разрядными ЦАП; иметь 16-разрядный регистр для управления синтезатором частоты, 8-разрядный регистр для управления измерительной головкой, 8-разрядный регистр для управления процессом измерения токов и напряжений с помощью АЦП; считывать информацию с 12-разрядного АЦП.

1. Динамические тесты должны производиться в диапазоне частот до 50 МГц для четырехполюсников и до 300 МГц ля двухполюсников.

1. Предусмотреть измерение статических параметров диодов, биполярных, полевых канальных и МДП транзисторов, а также аналоговых микросхем.

2. Результаты измерений статических параметров должны быть достаточными для аналитического описания ВАХ измеряемого элемента.

Руководитель темы

К.Т.Н. доц. И.А.Мирошник

Характеристики

Список файлов ВКР