Бескорпусные транзисторы (563636), страница 3

П

ПЭ

М

-

-

-

планарные

планарно- эпитаксиальные

меза

Параметры полевых транзисторов.

Габаритный чертеж корпуса

14

13

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

20;

<20^*

12

3

-

-

20^**

-

-

11

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

10

20;

8^*

6;

12^*

6;

2^**

9

0,4

0,7

0,8

1,4

1,8

0,65

1

1..4

1..4

2..6,5

-

-

8

0,3..0,65

0,55..1,2

1.. 2,1

1,7..3

3..6

1,5

1,1..3

1

1,6

3

-

-

7

-

-

-

-

-

-

-

20

6

15

0,5

30

5

10;15^*

15;20^*

25;30^*

25

4

1,5

2,2

3

4

6

0,4..2

1..3

0,2..1,2

0,3..1,8

0,4..2,4.

1..6

1..3

3

60

60

60

Структу-ра, техно-логия

2

ДП, с p-n перехо-дом и p- каналом

ЭП с p-n перехо-дом и n-каналом

ЭП с p-n перехо-дом и n-каналом

Тип прибора

1

КП201Е-1

КП201Ж-1

КП201И-1

КП201К-1

КП201Л-1

КП202Д-1

КП202Е-1

КП308А-1

КП308Б-1

КП308В-1

КП308Г-1

КП308Д-1