Расчет резисторов и конденсаторов (метода) (562355)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Раздаточный материал к практическим занятиям по расчету пленочных резисторов и конденсаторов.Справочные данныеОсновные параметры материалов тонкопленочных резисторовРезистивныйматериалСплав РС-5402Хром ЭРХСплав РС-1734Сплав РС-3710Сплав РС-3001Кермет К50-Сρкв , ОмквВтP0 , см2αR × 10−4 , o1C10050050020003000100002222220.52.010.02.01.0-5...+3ТУ на резистивный материалЕТО.021.048.ТУ4МТУ5-30-70ГОСТ2205-76ГОСТ2205-76ГОСТ2205-76ЕТО.021.048.ТУМатериалконтактных площадок и проводниковAu,Cu,AlAu,Cu,AlAu,Cu,AlAu,Cu,AlAu,Cu,AlAu,AlОсновные параметры диэлектрических материалов тонкопленочных конденсаторовНаименованиематериала диэлектрикаМоноокиськремнияМоноокисьгерманияБоросиликатноестеклоСтеклоэлектровакуумноеС41-1пФC0 × 103 , см2Up ,ВE × 106 , смεαc × 10−4 , o1CТУ на материал510510152.5510152030406030107524151012.610-12.66.3-106.32-35-62БКО.028.004 ТУ1.011-123ЕТО.021.014 ТУ3-440.36ЕТО.035.015 ТУ3-45.21.5-1.8НПО.027.600Расчет пленочных резисторов с коэффициентом формы 1 ≤ K ≤ 10.Исходные данные: номинал сопротивления ( R ) и рассеиваемая мощность ( P ).1.

Сопротивление резистора прямоугольной формы:R = ρкв · K + 2 · RK2. Коэффициент формы резистора К:K=lb3. Переходное сопротивление областей контактов резистивной и проводниковой пленок:RK = (0.01 ÷ 0.02) · R4. Погрешность коэффициента формы:γK =q2 + γ2 + γ2 + γ2 + γ2γRстквtRk5. Производственная погрешность γR :γR = 0.10 ÷ 0.15γR = 0.05 ÷ 0.10для масочного метода.для фотолитографии.6. Температурная погрешность γt :γt = αR · (tmax − 200 C)7. Погрешность за счет старения пленки γст :γст =(0.01 ÷ 0.03)τ,1500τ — время наработки на отказ (8000 ÷ 15000) ч.8. Погрешность переходных сопротивлений контактов γRK :γRK = (0.01 ÷ 0.02)9.

Погрешность воспроизведения резистивной пленки γкв :γкв = (0.01 ÷ 0.03)10. Технологически реализуемая ширина резистора bTmin :bTmin = 200мкмbTmin = 100мкмдля масочного метода.для фотолитографии.11. Ширина резистора, определяемая точностью изготовления bmin :bmin = b + ∆b∆b = ∆l ≥ 10мкмдля масочного метода.∆b = ∆l ≥ 5мкмдля фотолитографии.12. Ширина резистора при которой обеспечивается заданная мощность bPmin :rPP,bmin =K · P0где P0 — удельная мощность рассеивания резистивной пленки.13. Выбор ширины резистора b:b = max{bTmin , bmin , bPmin },округлить b с учетом масштаба топологии ∆.14. Длина резистора l:l = K · b,округлить l с учетом масштаба топологии ∆.Ф:15.

Фактическая нагрузка по мощности P0Ф и погрешность коэффициента формы γKSR = l · bP0Ф =Ф=γKPSR∆l ∆b+lb16. Проверка условий:P0Ф ≤ P0 ,Ф≤γγKkесли условия выполняются — расчет резистора окончен,если условия не выполняются нужно увеличить b или расширить допуск γR .2Расчет пленочных конденсаторовИсходные данные: номинал емкости C , рабочее напряжение UP , коэффициент формы обкладок конденсатора Kc1. Минимальная толщина диэлектрика dmin :dmin =Up Kз,EпрKз = 2 ÷ 32. Относительная погрешность изготовления ёмкости γC :q2 + γ2γc = γc20 + γS2 + γctст3.

Относительная погрешность удельной ёмкости γc0 :γc0 = 0.03 ÷ 0.054. Относительная температурная погрешность конденсатора γct :γct = αC (tmax − 200 C)5. Относительная погрешность, обусловленная старением пленок конденсатора γст :γст =(0.02 ÷ 0.03)τ,1500τ — время наработки на отказ (8000 ÷ 15000) ч.6. Коэффициент формы обкладок конденсатора KC :KC =a0b07. Относительная погрешность активной площади конденсатора γS :γS =q2 − γ2 − γ2 − γ2 =γCстctc0∆a0 (1 + KC )√,KC S∆a0 = ∆b0 = 50 ÷ 100 мкм8. Удельная ёмкость, обусловленная электрической прочностью C0E :C0E =0.0885d(Значение C0E выбирается из таблицы)9. Удельная ёмкость, обусловленная точностью изготовления C0П :C0П = CγS∆a02KC21 + KC10.

Минимальное значение удельной ёмкости C0 :hiC0 ≤ min C0E , C0П11. Фактическое значение толщины диэлектрика d:d=30.0885C012. Площадь верхней обкладки S:S=CC013. Размеры верхней обкладки:a0 =prKC S,b0 =SKC14. Размеры нижней обкладки:A = a0 + 2∆a0 + ha0B = b0 + 2∆b0 + hb0ha0 ; hb0 = 0.1 ÷ 0.2 мм – припуски на совмещение слоев.15. Размеры диэлектрического слоя:AД = A + 2∆a0 + ha0BД = B + 2∆b0 + hb016.

Площадь, занимаемая конденсатором S:S = AД B Д17. Фактическое значение погрешности рабочей площади обкладки γSФ :γSФ =∆a0∆b0+a0b0Если условие γSФ ≤ γ S не выполняется, необходимо увеличить d и провести расчеты заново.18. Фактическое значение напряженности электрического поля E Ф :EФ =UpdЕсли условие E Ф ≤ Eпр не выполняется, необходимо увеличить d и провести расчеты заново.4.

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов книги