Исследование характеристик фоторезистора (562133)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

Генерация свободньп~ носителей заряда в полупроводнике под действием облучения приводит к увеличенвхо проводимости полупроводущка. Принцип действия фоторезистора основан на этом эффекте, т.е. фоиюрезисиыу - это фотоэлектрический прибор с двумя вьшодамхх, сопротивление которого изменяется под действием излучения. В отсутствие светового потока темповое сопротивление фоторезистора определяется концентрацией свободнью носителей за счет термогенерации и примерно равно 1-10 МОм.

Под действием облучения конпентращхя своболньс~ носителей значительно увеличивается за счет фотоносителей и сопротивление фоторезистора уменьшается до сотен Ом. Семейство вольт-амнерис характеристик фоторезпстора 1е =1(Щ при Ф=соп81 показано на рис.1. Параметром семейства ВАХ является световой поток Ф. При Ф= О наклон зарактеристпкхх определяется темновым сопротивлением фоторазистора. В днапазоне рабочих напряжений ВАХ фоторезисхора практически линайна.

При большхг~ напря'кенххяк и большх~ световык потоках ВАХ ста~~~ится нелинейной (нагревается фоторезисторнхяй слой). Световая ~энергетическая) характеристика фоторезпстора1ф =КФ) показана на рис.". Ни:сия граьлща лннейного участка световой характеристики Ф„,„соответствует пороговому световому потоку. который для фотоприемнцка определяется уровнем его шумов. При световых потоках больплю Ф из-за высокой концентрации фотоносптелей резко увеличивается вероятность гьч рекомбинации, и линейность световой характеристики также нарушается.

Время нарастания сигнала в фоторезисторе определяется скоростью генерации фотоносителей и временем нх яптзнн, а время спада сигнала— скоростью процесса рекомбинации фотоносителей. Для наиболее чувствительных фотарезисторов значения этт~ времен — десяткп мс, а для малочувствптельньо: — едпницы нс. Основой лабораторной установки является прибор ХАРАКТЕРИОГРАФ (ТР-480э), позволяющий исследовать следующие характериспгки и параметры фоторезпстора: семейство вольт-амперных характеристик ~ВАЕ) при разлнчнью млпчлнах светового потока; световую (энергетическую) характерпстпку зависимость сопротивления фоторезпстора от светового потока; токовую чувствительность; максимальное и минимальное сопротивления фоторезпстора.

Экспериментально снимается только семейство ВАХ. а остальные характерватшпг и параметры определяются по этому семейству графп- чески. Конструктивно фоторезистор выполнен в одном непрозрачном корпусе со светоизлучателем, в качестве которого используется миниатюрная лампа накаливания. К внешним электрическим цепям фото- резистор и светоизлучатель подключаются тремя проводниками 1один общий).

Поряоок выполнения работы. Для выполнения работы необходимо собрать электрическую схему показанную на рис.З. Рис.З 1. На ХЛРЛКТЕРИОГРАФЕ установите ручки управления в следующие положению - тумблер «ОРРп в нейтральное положение; - переключатель «НОКХОЕТЯ» в положение О 5У; -.переключатель <СЕКТ.СБККЕМТ» в положение 0,1 мА; — переключатель «ВАЗЕ АКТЕРЕ» в положение 4... 5; — кнопка « ОКЕ С1)КТЕ» - нажата; - переключатель «ЯТЕР АМР1.1Т1ЛЭЕ» в положение 5 мА. 2. Включите питание прибора ручкой «ЯСА1.Е П.И)М» и установите .удобный уровень освещенности шкалы. Время прогрева прибора — не. менее 5 минут.

3. После прогрева ручками «СЕКТ РОЯ» и «НОК РОЯ» установите удобное положение начала координат ВАХ на экране прибора. 4. Тумблером «ОГГ» подключите фоторезистор и светоизлучатель к прибору. 5. Устанавливая ручкой <<ОГНЯ,Т» не менее шести значении тока светоизлучателя 1,, с экрана прибора снимите семейство ВАХ фоторезистора.

Значения тока 1, следует устанавливать в пределах от минимального до максимального и фиксировать с помощью миллиамперметра. Световой поток светоизлучателя для каждого значения тока 1с рассчитывать по формуле Ф=К*1с, где К=10 лм/мА. 6. Постройте семейство ВАХ 1~=1(Б) при Ф=сопя1. 7. По семейству ВАХ для выбранного значения напряжения Б, графически постройте световую характеристику фоторезистора 1~=Г(Ф).

В . Для того же значения напряжения П~ по семейству ВАХ фоторезистора графически постройте зависимость сопротивления фоторезистора от светового потока К.=1(Ф). 9 . Для выбранной рабочей точки на световой характеристике рассчитайте токовую чувствительность фоторезистора 8=1~/ Ф,мМлм. 10. По зависимости сопротивления фоторезистора от светового потока оцените величину максимального и минимального сопротивлений фоторезистора в пределах выбранного интервала светового потока Ф. .

Характеристики

Тип файла DJVU

Этот формат был создан для хранения отсканированных страниц книг в большом количестве. DJVU отлично справился с поставленной задачей, но увеличение места на всех устройствах позволили использовать вместо этого формата всё тот же PDF, хоть PDF занимает заметно больше места.

Даже здесь на студизбе мы конвертируем все файлы DJVU в PDF, чтобы Вам не пришлось думать о том, какой программой открыть ту или иную книгу.

Список файлов книги