Elektronika_RK2 (526615), страница 2
Текст из файла (страница 2)
Такой режим работы полевого транзистора называется режимом обогащения.Подключим к транзистору напряжение между стоком и истоком Uси любой полярности. Оставимзатвор отключенным (Uзи = 0). В результате через канал пойдет ток Iси, представляющий собойпоток электронов.Далее, подключим к затвору отрицательное напряжение относительно истока. В канале возникнетпоперечное электрическое поле, которое начнет выталкивать электроны из зоны канала в сторонуподложки. Количество электронов в канале уменьшиться, его сопротивление увеличится, и ток Iсиуменьшиться. При повышении отрицательного напряжения на затворе, уменьшается сила тока.Такое состояние работы транзистора называется режимом обедненияN-mos транзисторы не открываются при напряжении на авторе равном 0.Билет 51.
Почему электроны n-p-n транзистора преодолевают обратносмещенныйпереход база- коллектор и достигают источника питания.Теперь подключим напряжение между базой и эмиттером VBE, превышающее напряжениеоткрывания диода Э-Б. Под его действием переход откроется, дырки (их мало) направятся вэмиттер, электроны (их много больше) направятся к базе. Часть из них начнет заполнятьнаходящиеся там дырки (рекомбинировать), образуя ток базы (дырки постоянно образуютсяисточником Uбэ). Однако большинство электронов направится в сторону коллектора, посколькутам напряжение намного выше, осуществляя переход через обратносмещенный переход вкачестве неосновных носителей. Этому способствует очень маленькая толщина слоя базы.
В итогемы получаем два тока: маленький - от базы к эмиттеру IBE, и большой - от коллектора к эмиттеруICE2. Нарисуйте приблизительно проходную (сток-затворную) характеристикуJFET. Какая облаcть является рабочей? К какому типу (обеднения илиобогащения) относится режим управления каналом.Режим обеднения.3. Какой каскад определяет шумы усилителя и почему. От чего зависит шумлюбого резистора?В любой электрической схеме всегда присутствуют шумы.
Они порожденынеидеальностью компонентов схемы и физическими эффектами, которыеобычно не принимаются в расчет при описании электрических процессов.Основное назначение транзисторного каскада – усиливать сигнал. Однако через усилительпроходит не только сигнал, но и шумы.Собственные шумы резисторов складываются из тепловых и токовых шумов. Тепловые шумывызваны движением электронов в токопроводящем слое, из которого частично состоит резистор.Такие шумы увеличиваются с увеличением температуры нагрева резистора, и даже температурыокружающей среды.При протекании через резистор тока возникают токовые шумы.
Шумовое напряжение появляетсяиз-за эффекта флуктуации контактных сопротивлений между проводниками, оно линейно зависитот приложенного напряжения.Шумовые свойства резисторов характеризуются отношением действующего значения переменнойсоставляющей напряжения шумов (мкВ) к приложенному напряжению (В): Еm/UБилет 61. Каким соотношением связаны токи коллектора и базы? Какопределяется полный ток коллектора БТ.Полный коллекторный ток, определяемый движением всех носителей черезколлекторный переход: ІК = αІЭ+ ІКБО. Из закона Кирхгофа для токов (IБ = Iэ—Iк) следует,что ІБ = ( 1 - α) ІЭ – ІКБО.2. Приведите пример АЧХ и ФЧХ каскада БТ с ОЭ. Как определяетсярабочая полоса частот ? Как связана переходная характеристика вимпульсном режиме и АЧХ?.Рабочая полоса частот — диапазон частот, в пределах которого амплитудно-частотнаяхарактеристика (АЧХ) БТ достаточно равномерна для того, чтобыобеспечить передачу сигнала без существенного искажения его формы.Основной статической характеристикой транзисторного ключа служит передаточнаяхарактеристика – зависимость его выходного напряжения от входного.
Она приведена нарис. 4-2. Рабочими являются участки переходной характеристики, соответствующиеотсечке и насыщению.3. Нарисуйте приблизительно выходные ВАХ ПТ – в какой области ПТимеет характеристики постоянного резистора и в какой транзистора(управляемое переменное сопротивление).(для рисунка ниже) На выходной характеристике ПТ можно выделить две характерныеобласти (рис.
4). При малых напряжениях сток - исток (область АВ) сопротивление каналаимеет омический характер, и ток может протекать в обоих направлениях. В этом состоитотличие полевых транзисторов от электронных ламп, в которых поток электронов всегдаимеет одно направление - от катода к аноду. Рабочая область АВ выходнойхарактеристики ПТ используется в том случае, когда полевой транзистор применяется всхеме в качестве переменного сопротивления, управляемого напряжением (аттенюаторы,регуляторы АРУ).Билет 71. Что такое динамический диапазон усилителя.
Во что превращаетсясинусоида при ограничении (нарисовать).2. Какое напряжение надо подать на базу БТ для создания управляющеготока, какое на затвор JFET и затвор MOSFET для управления токомстока. Каковы управляющие токи этих транзисторов?В итоге мы получаем два тока: маленький — от базы к эмиттеру IBE, и большой — отколлектора к эмиттеру ICE.Основными статическими параметрами полевого транзистора с p-n-переходом на затвореявляются начальный ток стока и напряжение отсечки. Начальный ток стока полевого транзистораопределяется как ток, протекающий через его канал при заданном постоянном напряжении стокисток и равном нулю напряжении затвор-исток.
В англоязычной технической документации этотпараметр обозначают как IDSS.Напряжение отсечки — это такое пороговое значение напряжения затвор-исток, по достижениикоторого ток через канал полевого транзистора уже не изменяется и практически равен нулю. Еготакже измеряют при фиксированном значении напряжения сток-исток и в англоязычнойдокументации обозначают как VGS(off) или реже как Vp.Таким образом ток стока полевого транзистора с изменением напряжения на его затвореизменяется по квадратичному закону.3. Нарисовать структуру усилителя с обратной связю и привести условия,при которых появляется генерация. Что такое баланс амплитуд и фаз?Для получения ООС в УУ необходимо, чтобы суммарный фазовый сдвиг φ, вносимый усилителеми цепью ОС, был равен 180° во всем диапазоне рабочих частот. В многокаскадном усилителе этотребование обычно выполняется, строго говоря, только на одной частоте.
На остальных частотах,особенно на границах и за пределами полосы рабочих частот АЧХ, j≠180°. Это происходит за счетдополнительных фазовых сдвигов, вносимых реактивными элементами схемы усилителя, причемэти сдвиги будут тем больше, чем большее число каскадов охвачено общей цепью ООС. Придополнительном фазовом сдвиге 180°, j=360° (баланс фаз), ООС превратится в ПОС, и, если βК>>1(баланс амплитуд), усилитель превратится в генератор.Билет 81. Каковы аналогии режима отсечки и насыщения БТ с работоймеханического ключа. Чем отличаются характеристикитранзисторного ключа от механического.Зона, расположенная между осью абсцисс и начальной выходной характеристикой,соответствующей Iб=0, называется зоной отсечки и характеризуется тем, что оба переходатранзистора - эмиттерный и коллекторный смещены в обратном направлении.
Коллекторный токпри этом представляет собой обратный ток коллекторного перехода - IК0, который очень мал ипоэтому почти все напряжение источника питания EК падает между эмиттером и коллекторомзакрытого транзистора: Uкэ ≈ Eк. А падение напряжения на нагрузке очень мало и равно: URк =Iк0RкГоворят, что в этом случае транзистор работает в режиме отсечки. Поскольку в этом режиме ток,протекающий по нагрузке исчезающе мал, а почти все напряжение источника питания приложенок закрытому транзистору, то в этом режиме транзистор можно представить в виде разомкнутогоключаКлючи включают и выключают управляемый объект. Выключатель это ключ. Механическиеключи обладают малой скоростью срабатывания и дребезгом контактов.
Поэтому онизаменяются электронными ключами, например транзисторными.2. Нарисовать распределение основных токов в n-p-n БТ. Какимисоотношениями эти токи связаны, какие напряжения надо создать наэлектродах для возникновения токов.подключим напряжение между базой и эмиттером VBE, превышающее напряжение открываниядиода Э-Б, (для кремниевых транзисторов минимальное необходимое VBE - 0.7V). Под егодействием переход откроется, дырки (их мало) направятся в эмиттер, электроны (их многобольше) направятся к базе. Часть из них начнет заполнять находящиеся там дырки(рекомбинировать), образуя ток базы (дырки постоянно образуются источником Uбэ).
Однакобольшинство электронов направится в сторону коллектора, поскольку там напряжение намноговыше, осуществляя переход через обратносмещенный переход в качестве неосновных носителей.Этому способствует очень маленькая толщина слоя базы. В итоге мы получаем два тока:маленький - от базы к эмиттеру IBE, и большой - от коллектора к эмиттеру ICE.Если увеличить напряжение на базе, то в прослойке P соберется еще больше электронов. Врезультате немного усилится ток базы, и значительно усилится ток коллектора - при небольшомизменении тока базы IB, сильно меняется ток коллектора IС – процесс усиления сигнала вбиполярном транзисторе.3.Какие существуют схемы включения транзисторов, как определяетсязаземление электрода, какие схемы имеют максимальный коэффициентусиления по мощности?Схема с ОЭ обладает высоким усилением как по напряжению, так и по току, У нее самоебольшое усиление по мощности.
Схема изменяет фазу выходного напряжения на 180 ° .Билет 91. Какой класс усиления используют для получения минимальныхискажений и максимального усиления. Что означает режим D?Класс усиления AB Данный класс усиления является промежуточным между классами A и B. Вэтом случае транзистор также переключается между режимом отсечки и активным режимом, нопреобладающим является все-таки именно активный режим.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
