Тырыкин С.В. - Схемотехника аналогвых электронных устройств (1266883), страница 7
Текст из файла (страница 7)
Общие характеристики Вид корпуса Размеры чип конденсаторов серии ОКМ Разме ы, мм Днапаюн емкостей Серия ОКМ36 0402 0.5 О.з 05 пФ + 1000 пФ б. 3+25 0603 1.6 0.8 0.8 0.5 1.25 0.6+1.25 0.7 0805 ОКМ42-6 6.3+100 1.6 0.85+1.6 0.8 1206 100 пФ+ 10000 пФ 2.5 0 85+2 5 0.3 ОКМ42-2 1210 3.2 6.3+100 1000 пФ + 0.1 мкФ ОКМ43-2 0.3 1812 4.5 3.2 6.3+100 4700 пФ + 1 мкФ ОКМ44-1 <2 0.3 2220 О. 1 мкФ + 1О мкФ 6.3+100 ОКМ39 ОКМ40 Типо- размер Диапазон напряжений, В 6.3+50 6.3+50 10 пФ+ 4700 пФ 10 пФ+ 10000 пФ вЂ” 131— Неполярные пленочные металлизированные конденсаторы серии К73-17 применяются для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсном режиме. Общие характеристики Вид корпуса Габаритные размеры 1.
Варшавер В. А. Расчет и проектирование импульсных усилителей. Учеб. пособие для вузов. Изд. 2-е, доп. — М.: «Высшая школа», 1975. 2. Проектирование усилительных устройств на транзисторах. Под ред. Г. В. Войшвилло. — М.: «Связь», 1972. 3. Дуркин В. В. Аналоговые электронные устройства: Конспект лекций. — Новосибирск: Изд-во НГТУ.
— Ч. 1., 1997. 4. Дуркин В. В. Аналоговые электронные устройства: Конспект лекций. — Новосибирск: Изд-во НГТУ. — Ч. 2., 2001, 5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники / Пер. с англ. — М., 1998 г. б. Остапенко Г. С. Усилительные устройства: Учебное пособие для ВУЗов.
— М., 198б. 7. Единая система конструкторской документации. Основные положения. — М.: Издательство стандартов, 1985 (или более поздние издания). 8. Разевиг В. Д. Система схемотехнического моделирования М1сго-Сар 6.0 — М.: Солон, 2001. 9. Анализ электронных схем в среде М1СКО-САР Ч: Лабораторный практикум для студентов 111-1У курсов специальности 200700 всех форм обучения / М. Я. Котляр. — Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000 10. Устройства приема и обработки сигналов: Методические указания к курсовому проектированию для студентов 1У-У курсов радиотехнических специальностей факультета РЭФ (№2124) / А.
В. Киселев, С. В. Тырыкин.— Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2001. — 134— Обозначение Элемент постоянный резистор; подстроечный резистор; неполярный конденсатор; полярный конденсатор; катушка индуктивности; полупроводниковый диод; стабил итра н.
-4Г биполярный транзистор структуры и-р-и; биполярный транзистор структуры р-и-р; полевой транзистор с управляющим р-и переходом и кана- лом и-типа; полевой транзистор с управляющим р-и переходом и кана- лом р-типа; полевой транзистор с изолированным затвором и индуциро- ванным каналом и-типа; полевой транзистор с изолированным затвором и индуциро- ванным каналом р-типа; полевой транзистор с изолированным затвором и встроен- ным каналом и-типа; полевой транзистор с изолированным затвором и встроен- ным каналом р-типа; Отпечатано иа кафедре РПиРПУ. Тираж 7 экэ.
.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
