Тырыкин С.В. - Схемотехника аналогвых электронных устройств (1266883), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Для усилителей с Зйг >1ОЛЛ 'гг целесообразно использование в качестве блокировочных — танталовых конденсаторов или конденсаторов для поверхностного монтажа. В качестве межкаскадных разделительных конденсаторов следует использовать пленочные или керамические конденсаторы емкостью до 5 мкФ (разделительный конденсатор, отделяющий низкоомную нагрузку от выходного каскада усилителя, может иметь и большее значение емкости). Использование электролитических конденсаторов в качестве разделительных не желательно из-за их большого последовательного сопротивления.
Кроме того, емкость электролитических конденсаторов существенно изменяется со временем, что может приводить к дрейфу коэффициента передачи усилителя. В крайнем случае, можно использовать в качестве разделительного — электролитический конденсатор с большим рабочим напряжением (высоковольтные электролитические конденсаторы имеют меньшее последовательное сопротивление и более стабильные характеристики). В цепях высокочастотной эмиттерной коррекции следует использовать исключительно неполярные высококачественные пленочные или керамические конденсаторы. При прочих равных условиях предпочтение следует отдавать конденсаторам для поверхностного монтажа (особенно при 3/г,, >10ЛЛ 'гг).
В цепях низкочастотной коррекции последовательное сопротивление и индуктивность выводов конденсатора на работу схемы влияния не оказывают. Поэтому в цепях низкочастотной коррекции можно использовать как электролитические, так и неэлектролитические конденсаторы. Поскольку емкость корректирующего конденсатора, как правило, не велика, то предпочтение следует отдавать не электролитическим конденсаторам, поскольку их параметры гораздо стабильнее. Зг Выбор номггггсггов гг гггггггов кагггугаек ипдук ггггеюсти Катушки индуктивности характеризуются тремя основными параметрами: номинальной индуктивностью, максимальным рабочим током и диапазоном рабочих частот.
В настоящее время отечественная и зарубежная промышленность выпускает большой ассортимент стандартных катушек индуктивности с широким диапазоном индуктивностей и рабочих токов (см. подразд. 5.5). Это позволяет практически полностью отказаться от изготовления специальных катушек под конкретное устройство.
Номиналы катушек индуктивности обычно выбираются из стандартного ряда Еб или Е12. Максимальный рабочий ток выбранной катушки должен быть в 1.2+1.5 раза больше расчетного значения постоянного тока, протекающего через катушку. Следует помнить, что чем больше индуктивность катушки, тем меньше ее рабочий ток. При использовании катушки в цепях высокочастотной индуктивной коррекции усилителя следует следить, чтобы максимальная частота усили- — 24— ваемого сигнала попадала в диапазон рабочих частот катушки.
Значение максимальной частоты усиливаемого сигнала можно оценить, как ~;„„. ж Зй,-. Иногда вместо диапазона рабочих частот в справочниках указывается резонансная частота катушки ~резонансная частота параллельного колебательного контура, образованного индуктивностью катушки и паразитной емкостью ее выводов). В этом случае резонансная частота катушки должна быть, как минимум, в 2+3 раза выше максимальной частоты усиливаемого сигнала Я„э,.). При разработке усилителей с ~ „. >1ОИП~ предпочтение следует отдавать катушкам для поверхностного монтажа, т.к. они имеют меньшие значения паразитной емкости выводов. !К паап 1к 1)г1 ппп Корп. Аналог ТО-206 КТ633 Тип 4/5 120 10 0.5 )х)2369 500 0.2 0.36 20 12 200 30 ТО-226 ! 20 160 0.1 ! )4264 300 0.2 15 40 150 ТО-204 250 15 30 350 175 15 610 200 ТО-226 КТ375А 4/5 250 0.2 0.4 40 1.2 60 19 50 150 32 ТО-226 2144123 250 0.2 30 !.5 20 17 50 ТО-226 КТ645А 150 1.7 0.47 2Х4400 200 0.6 1.2 25 30 50 150 1О ТО-226 КТЗ(х1Г 40 150 ТО-226 0.5 80 0.4 О.
18 60 150 37 ТО-204 0.5 В1)850 125 160 70 140 350 10 640 20 30 200 70 ТО-225 МУЕ340 160 05 20 20 26 2.6 0.3 30 300 150 83 30 300 !50 250 30 30 150 ТО-220 150 2)96487 150 15 20 60 75 1О 480 12 5.5 20 55 ТО-226 0.7 300 30 4/5 150 38 ТО-225 КТ943А 38 150 ТО-225 КТ626А 140 1.5 12 30 38 40 150 52 ТО-225 5.2 2.2 80 300 МЯЕ371 120 4 40 40 10 170 40 150 86 250 50 150 150 140 ТО-226 2!45550 100 0.6 1 40 60 150 МУЕ5850 80 8 16 300 80 10 150 15 150 88 !О 15 150 102 ЗЕ2ОО 65 5 40 15 8.34 80 81 ТО-225 102 10 15 15 6.5 2.3 180 1 !50 ТО-220 50 10 50 8 16 120 220 21 4.7 80 10 150 16 120 220 40 60 150 16 80 110 60 150 75 ТО-225 15 15 5.6 1.6 50 4 60 150 ТО-225 50 4 150 64 60 15 15 Транзистор 2)х)6251 2)х(3903 2М3905 2)х)4410 МЛЕ350 ВО!57 2Х5 088 ВТ)135. 2Х6515 ММОЗЗ РОЗ 15029 „ МП)44Н1 1 $~, МГн 200 0.2 180 0.25 160 0.5 160 05 150 0.05 140 1.5 120 0.5 105 3 50 8 50 8 1-)КО паах В Рк паха гб Вт Ом !.2 40 1.2 20 20 20 20 20 0.625 30 12 30 1.2 20 2 30 50 10 20 10 Ск/Ект„ пЕ/В 1.5 4/5 2.1 100/50 1.3 4/5 1.3 6.5/5 1.4 45/5 7 12/10 2 300/40 2 8/50 2 8/50 2 8/50 2 100/20 2 100/10 2 100ЛО 2.1 80/10 1.2 6/20 2.3 100/10 1.9 6/10 3.8 270ЛО 1.9 80/10 1.9 120ЛО 2.
8 100/20 2.8 100/20 2 130/10 2 60/10 2 60ЛО Ян, мСм 8гь 8гг, АЛ! мСм 0.39 0.18 0.71 0.22 28 3.3 0.5 0.22 0.46 0.21 2.2 0.35 2.8 0.39 0.3 0.09 2.3 0.38 2.3 0.38 0.46 0.093 19 47 0.44 0.22 11 1.6 6.5 2.3 21 47 11 27 1кко, !)г1 паха мкА 50 200 150 1 150 0.05 150 ! 400 0.01 50 1000 240 100 240 1 240 100 900 0.05 250 100 250 100 300 0.05 200 ! 250 0.01 40 5 180 ! 80 10 80 10 250 100 250 100 ~пк, Вкс, С/Вт С/Вт 147 340 125 !20 1 30 833 120 83.3 120 83.3 120 83.3 120 83.3 !20 6.25 80 6.25 80 6.25 90 1.67 70 83.3 120 10 90 10 90 3.12 80 83.3 120 25 60 83.3 !20 1.25 50 8 34 80 25 60 6.25 65 8.34 60 8.34 60 1 и хпах ОС ТО-225 ТО-225 ТО-226 80-8** ТО-218 ТО-225 ТО-220 С369-07 КТ3 102 А 1к»»л»»»» 11121 Э! 1221 п»аа Тра 2глтстор 1121 пап Карп.
Аналог А ТО-225 5.2 1.5 !50 200 3.125 3 5 80 60/10 40 60 ТО-225 80 бОЛ 0 Р 3 3 5 40 5.2 1.5 200 3.125 60 150 ТО-225 50/10 КТ807 АМ 80 100 З.б 1.7 40 100 ЮО 5 90 150 ТО-204 400/30 30 МУ413 10 15 400 125 1О 2.! 250 б 1.4 250 1 150 ТО-204 250 0.75 5 10 300/30 11 2.1 !50 15 МУ410 200 100 230 90 30 72 ТО-204 М14502 30 40 100 200 2.1 1000/20 510 2.1 7 100 1000 0.875 30 200 ТО-220 600/10 ВО808 Р 1.5 60 90 370 9.8 3.8 30 60 1000 1.39 50 !50 67 ТО-225 КТ816Г 60/10 Р 1.5 15 5.5 1.5 ВО442 80 36 10 82 70 100 3.5 60 150 63 ТО-225 КТ816В 60/10 150 ВО440 Р 1.5 60 36 10 93 5.5 1.7 20 80 ЮО 35 60 62 ВО80! 50 140 125 800/1О 190 40 750 1 !50 87 190 750 125 !50 Р 1 140 50 300 50 100 30 80 ЮО 1.92 150 66 ТО-204 150 ЗО 2Ъ!5758 6 10 !00 10 2.1 ЗООЛО 4.3 1.6 100 500 1.
17 92 200 20 ТО-204 КТ819Г 21Ч3 055 15 20 60 115 500/10 1100 70 1000 1.52 200 31 2.5 — серым цветом выделены комплементарные пары транзисторов !транзисторы иден- тичные по основным характеристикам, но имеющие разный тип проводимости); а:» — сдвоенный транзистор !два независимых транзистора в одном корпусе). Транзисторы отсортированы в таблице по убыванию граничной частоты, максимального тока коллектора и максимального напряжения коллектор-эмиттер. Гь Т Мгц 1к А 16 20 16 20 8 12 л'ЬЭ»пал В Рк Вт гб Ом СкЛ!кэ, пФ/В 800ЛО 400/20 81Ь мСм 821 822 А(В мСм 14 33 14 33 5.5 2.5 1КБЭ, ал мкА 'С/Вт йкс, 'С/Вт 1п»ааа ОС ТО-218 ТО-218 ТО-220 Расшифровка Обознач.
тип оводимости И вЂ” и- -п„Р— -и- ); Тип граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмит- те ом; максимальный ток коллекто а; 1к >ийх максимальный импульсный ток коллектора при скважности импульсов не менее 100 и длительности им льсов не более 1 мс; 1к „„,„, максимальное нап яжение коллекто -эмитте; максимальная мощность, ассеиваемая на коллекто е; асп еделенное соп тивление базы; модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте в схеме с об- щим эмитте ом п иведенные значения изме ены на частоте 05 1т); 11>г>э! Скоко — емкость коллекто ного пе ехода п и на яжении 13кэ входная проводимость в схеме с ОЭ на низкой частоте и иведенныезначения изме енып и 1к=051к,, и1)кэ=0.51)кэ Кп проводимость прямой передачи в схеме с ОЭ на низкой частоте (приведенные значения измерены при 1к= 051к ° и 1)кэ= 0.5 1)кэ .); выходная проводимость в схеме с ОЭ на низкой частоте (приведенные значения измерены при 1к = 0.5 1к„и 1>кэ= 0.5 1)кэ -); минимальное значение статического коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмитте м; максимальное значение статического коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмитте ом; Кгг 1>21 >пь> >>2»»а> об атныйтокколлекто ного пе ехода и итемпе а е 25+б0'С; тепловое соп тивление пе еход-ко с; ~гьк тепловое соп тивление ко с-с еда; > п.
»»к максимальная темпе а а пе ехода; Аналог — ближайший отечественный аналог; Стр. — номер страницы, на которой приведены статические ВАХ транзистора. Замечание: Не разрешается использование транзисторов при предельных значениях двух или более совмещенных параметров. Для повышения надежности рекомендует- ся эксплуатировать приборы при значениях параметров, не превышающих 70% от предельных.
' ° > ° > ° > С, пФ Аналог Транзистор Стр. Кори. КП323А 0.5 13-78 21Ч4416 1 400 20 0.1 25 0,1 250 50 0.25 0.1 2 0.7 1 0.6 600 125 96 0.15 15 15 3 О.! 500 125 ТО-12 ВРО10 1 200 10 30 0.25 ЗО 0.1 500 125 100 ТО-220 2ЯК213 сО.О! 3 150 500 140 1.7 15 160 90 10 1.5 80 150 250 40 1.8 40 0.3 30 8 2 2 1 125 94 20 0.2 30 0.5 500 !25 100 8 ОТ-23 2.5 <0.01 2И7002 3 50 !15 60 0.2 40 90 50 625 125 97 ТО-72 21Ч3329 2 ЗО 10 10 0.1 15 0.5 500 125 КП103Е сО.О! 300 250 90 100 20 8 2 15 5 90 150 99 <0.0! 1000 300 100 150 300 230 Транзисторы отсортированы в таблице по убыванию частоты усиления, максимального тока стока и максимального напряжения сток-исток.
21М5 104 21Ч4223 2143971 МРР107 2$К511 2Я1301. Спал Тип Мгц 1 200 1 200 1 100 1 100 3 25 4 20 1с ва..с мА ~.~ГИ та» в ! спи Вт Пзи тэх В !!отс., в 1,, нА Сзи, пФ Сги, пФ К~ гс, 'С/Вт Тг,„... оС ТО-226 ТО-72 ТО-18 ТО-72 ТО-225 ТО-252 КП329А КП305Д КПЗО2А КП314А Расшифровка Обознач. Тип максимальная частота силения; максимальный ток стока; максимальное нап яжение сток-исток; максимальная рассеиваемая мощность; максимальное пап яжениезатво -исток; (Готс. нап яжение отсечки; ток ечки затво а; Я вЂ” с едняя к изнат анзисто а; Сзи — емкостьзатво -исток входная емкостьт анзисто а Сзс Сси тепловое соп тивление пе сход-с еда; Т максимальная темпе ат а пе ехода; тип ко п са (см.