Лабораторная_работа205М_150129 (1178825)
Текст из файла
1Моделирование статических характеристик биполярных транзисторовЛабораторная работа №205МПолучить от преподавателя номер набора биполярных транзисторов.В папке FRTK\#Gr\NAME\ создать проект с именем данной лабораторной работы(см. Методику моделирования).Подключить библиотеки: SPECIAL, SOURCE и BIPOLAR.Для OrCAD_10.5_DEMO подключить библиотеки: SPECIAL, SOURCE, EVAL иEVALAA. В DEMO версии доступны для моделирования только четыре n-p-nтранзистора (Q2N2222, Q2N3904 из библиотеки EVAL и 2N2222, 2N5058 избиблиотеки EVALAA) и три p-n-p транзистора (Q2N2907, Q2N3906 из библиотекиEVAL и BFT93 из библиотеки EVALAA).1. Задание к допускуI1.1. Начертить в тетради схему получения зависимости токов переноса (коллектора) итоков рекомбинации (базы) от напряжения источника V1 для прямого Q1 иинверсного Q2 включения n-p-n транзистора (рис.1.1).IQ1 MPS3904Q2 MPS3904V10VdcII00000Рис.1.1 Схема включения транзисторов для моделирования токов переноса ирекомбинации n-p-n транзистораI1.2.
Начертить в тетради схему получения зависимости токов переноса (коллектора) итоков рекомбинации (базы) от напряжения источника V1 для прямого Q1 иинверсного Q2 включения p-n-p транзистора (рис.1.2).IQ1 Q2N3906Q2 Q2N3906V1I0I0Vdc0000Рис.1.2 Схема включения транзисторов для моделирования токов переноса ирекомбинации p-n-p транзистора1.3. Начертить в тетради схему моделирования выходных вольтамперныххарактеристик n-p-n транзистора в схеме с общей базой (рис.1.3) с источникомтока I1 в эмиттере транзистора Q1 и источником напряжения V2 в эмиттеретранзистора Q2.2Q1Q2N39041mAdcQ2Q2N3904V1I1V20Vdc-0.665589Vdc00000Рис.1.3 Схема моделирования выходных вольтамперных характеристик n-p-nтранзистора в схеме с общей базой1.4. Начертить в тетради схему моделирования выходных вольтамперныххарактеристик p-n-p транзистора в схеме с общей базой (рис.1.4) с источникомтока I1 в эмиттере транзистора Q1 и источником напряжения V2 в эмиттеретранзистора Q2.Q1 Q2N3906Q2 Q2N3906V1I1V20Vdc0.706001Vdc1mAdc00000Рис.1.4 Схема моделирования выходных вольтамперных характеристик p-n-pтранзистора в схеме с общей базой1.5.
Начертить в тетради схему моделирования выходных вольтамперныххарактеристик n-p-n транзистора в схеме с общим эмиттером (рис.1.5) систочником тока I1 в базе транзистора Q1 и источником напряжения V2 в базетранзистора Q2.Q1Q2Q2N3904Q2N3904V1V2I10Vdc0.665589Vdc7.4804uAdc00000Рис.1.5 Схема моделирования выходных вольтамперных характеристик n-p-nтранзистора в схеме с общим эмиттером1.6. Начертить в тетради схему моделирования выходных вольтамперныххарактеристик p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером (рис.1.6) систочником тока I1 в базе транзистора Q1 и источником напряжения V2 в базетранзистора Q2.Q2Q2N3906Q1Q2N3906V1V2I10Vdc-0.706001Vdc5.5723uAdc00000Рис.1.6 Схема моделирования выходных вольтамперных характеристик p-n-pтранзистора в схеме с общим эмиттером31.7. Начертить в тетради схему моделирования Uce0 (напряжения на коллекторетранзистора в схеме с общим эмиттером при нулевом токе коллектора) взависимости от тока базы n-p-n и p-n-p транзисторов (рис.1.7).VQ1Q2N3906I2I10Adc0Q2V1uADcQ2N3904Рис.1.7 Схема моделирования Uce02.
Задание к выполнению работы2.1. Составить схему рис.1.1. В режиме DC Sweep получить зависимости токов переносаIC(Q1) и токов рекомбинации IB(Q1) для прямого Q1 и IE(Q2), IB(Q2) инверсного Q2включения n-p-n транзистора от напряжения источника V1 в диапазоне от -0.8V до -0.1V.Перерисовать в логарифмическом масштабе графики полученных зависимостей втетрадь.Дополнительно построить графики десятичных логарифмов отношения токовпереноса к токам рекомбинации LOG10(IC(Q1)/IB(Q1)) и LOG10(IЕ(Q2)/IB(Q2)).2.2. Составить схему рис.1.2. В режиме DC Sweep получить зависимости токов переноса-IC(Q1) и токов рекомбинации -IB(Q1) для прямого Q1 и -IE(Q2), -IB(Q2) инверсного Q2включения p-n-p транзистора от напряжения источника V1 в диапазоне от 0.1V до 0.8V.Перерисовать в логарифмическом масштабе графики полученных зависимостей втетрадь.Дополнительно построить графики десятичных логарифмов отношения токовпереноса к токам рекомбинации LOG10(IC(Q1)/IB(Q1)) и LOG10(IЕ(Q2)/IB(Q2)).2.3.
Составить схему рис.1.3 моделирования выходных вольтамперных характеристик np-n транзистора в схеме с общей базой с источником тока IDC I1 в эмиттере транзистораQ1 и источником напряжения VDC V2 в эмиттере транзистора Q2. Установить токисточника тока I1 равным 1mA, напряжение источника напряжения V1 оставить равным0VDc, установить пробник напряжения на цепь эмиттера Q1, провести сканирование поV1 в диапазоне от -0.7V до +1V, измерить напряжение V(Q1:e) на эмиттере Q1 при V1=0.Установить на источнике V2 это напряжение.
В результате этого токи эмиттеров обоихтранзисторов при V1=0 будут одинаковыми.2.3.1. Получить зависимости токов коллектора обоих транзисторов от V1 в диапазоне от-0.7V до +1V. При необходимости подобрать нижний предел сканирования.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.3.2. Повторить получение токов коллектора обоих транзисторов от V1, но теперь вдиапазоне от -0.1V до +5V.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.3.3. Повторить пункт 2.3.1. при трех значениях температуры: 17, 27 и 37 градусов.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.3.4.
Для транзистора Q1 получить зависимости тока коллектора от V1 в диапазоне от 0.7V до +1V при нескольких значениях тока эмиттера, например: 0, 1mA, 2mA, 3mA. 4mA.Перерисовать полученные графики в тетрадь.42.4. Составить схему рис.1.4 моделирования выходных вольтамперных характеристик pn-p транзистора в схеме с общей базой с источником тока IDC I1 в эмиттере транзистораQ1 и источником напряжения VDC V2 в эмиттере транзистора Q2.
Установить(аналогично 2.3) на источнике V2 такое напряжение, чтобы токи эмиттеров обоихтранзисторов при V1=0 были равными 1mA.2.4.1. Получить зависимости токов коллектора обоих транзисторов от V1 в диапазоне от 1V до +0.7V. При необходимости подобрать верхний предел сканирования.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.4.2. Повторить получение токов коллектора обоих транзисторов от V1 в диапазоне от 5V до +0.1V.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.4.3. Повторить пункт 2.4.1. при трех значениях температуры: 17, 27 и 37 градусов.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.4.4.
Для транзистора Q1 получить зависимости тока коллектора от V1 в диапазоне от 1V до +0.7V при нескольких значениях тока эмиттера, например: 0, 1mA, 2mA, 3mA. 4mA.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.5. Составить схему рис.1.5 моделирования выходных вольтамперных характеристик np-n транзистора в схеме с общим эмиттером с источником тока I1 в базе транзистора Q1и источником напряжения V2 в базе транзистора Q2. Установить напряжение источникаV2 равным 0.65V-075V, так чтобы при сканировании по V1 от 0V до +1.0V ток коллектораQ2 при V1= +1V был в интервале от 1mA до 10mA. Измерить ток базы Q2 при V1=+1V иустановить это значение тока для источника I1.2.5.1.
Получить зависимости токов коллектора обоих транзисторов от V1 в диапазоне от 0V до +1V.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.5.2. Исключить из схемы транзистор Q2 и получить зависимости тока коллектора Q1 отнапряжения V1 в диапазоне от -1V до +1V для нескольких значений параметра I1(например, 2uA, 4uA, 6uA, 8uA, 10uA).Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.5.3. При фиксированном токе базы получить зависимости тока коллектора Q1 отнапряжения V1 в диапазоне от -1V до +1V для трёх значений температуры: -40, 27 и 85градусов.Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.6. Составить схему рис.1.6 моделирования выходных вольтамперных характеристик pn-p транзистора в схеме с общим эмиттером с источником тока I1 в базе транзистора Q1и источником напряжения V2 в базе транзистора Q2.
Установить напряжение источникаV2 таким, чтобы при сканировании по V1 от -1V до 0V ток коллектора Q2 при V1= -1Vбыл в интервале от 1mA до 10mA. Измерить ток базы Q2 при V1=-1V и установить этозначение тока для источника I1.2.6.1. Получить зависимости токов коллектора обоих транзисторов от V1 в диапазоне от 1V до 0V. Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.6.2. Исключить из схемы транзистор Q2 и получить зависимости тока коллектора Q1 отнапряжения V1 в диапазоне от -1V до +1V для нескольких значений параметра I1(например, 2uA 4uA 6uA 8uA 10uA).
Перерисовать полученные графики в тетрадь.2.6.3. При фиксированном токе базы получить зависимости тока коллектора Q1 отнапряжения V1 в диапазоне от -1V до +1V для трёх значений температуры: -40, 27 и 85градусов.Перерисовать полученные графики в тетрадь.52.7. Составить схему рис.1.7 моделирования напряжения на коллекторе транзистора всхеме с общим эмиттером при нулевом токе коллектора в зависимости от тока базы n-p-nи p-n-p транзисторов (Uce0(IB)).Получить зависимости напряжений на коллекторах транзисторов от тока базы вдиапазоне от 1uA до 100uA.Перерисовать полученные графики в тетрадь.3.
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
