14-04-2020-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ-ПРИБОРЫ-И-УСТРОЙСТВА-ВЕЛИЧКО (1171919), страница 20
Текст из файла (страница 20)
При подаче анодного напряжения Еа путем включения перемычкиП1 емкость С2 начинает заряжаться через резистор Rогр = R3 + RП3 ирезистор нагрузки Rн = R1 (Rогр >> Rн). Когда напряжение на емкостиС2 достигнет величины Uвкл, а ток в цепи - величины Iвкл, произойдетвключение тиристора, его сопротивление резко упадет и конденсаторС2 быстро разрядится через малое сопротивление нагрузки Rн. Послеэтого цикл повторяется.5. Получив на экране электронного осциллографа ЭО устойчивыепилообразные колебания, проверить влияние на их амплитуду Um ичастоту fU тока управления Iу и снять зависимость Um = F(Iу) и fU =F(Iу). Объяснить характер полученных зависимостей.Содержание отчета1.
Электрические схемы, используемые в экспериментах ивыполненные по ЕСКД.2. Предельно допустимые параметры исследованных тиристоров и ихмаркировка.3. Таблицы с результатами измерений и графики функций:Ia = F(Ua) для диодного тиристора;Uвкл = F(Iу) для триодного тиристора;Ia = F(Ua) для различных значений Iу (семейство вольт-амперныххарактеристик триодного тиристора);Um = F(Iу) и fU = F(Iу) - для схемы релаксационного генератора натиристоре.4. Результаты вычисления и определения параметров тиристора иисследованных схем с тиристорами.1.
Что такое тиристор и чем обусловлена высокая эффективность егоработы?2. Поясните сущность трех p-n и n-p переходов в тиристорнойструктуре.3. Изобразите вольт-амперную характеристику p-n-p-n структуры ипоясните происхождение каждого из ее участков.4. Что такое ток включения Iвкл, ток выключения Iвыкл и токуправления спрямления Iу спр?5. Какова величина остаточного напряжения на включенномтиристоре?6. Какое смещение имеют переходы тиристора в выключенномсостоянии?7. Какое смещение имеют переходы тиристора во включенномсостоянии?8. Как объяснить переход p-n-p-n структуры в режиме насыщения припереключении на большой ток?9.
Назовите и поясните основные параметры динистора?10. Почему триодный тиристор называется управляемымпереключателем тока?11. Поясните причины воздействия прямого базового тока управленияIу на процесс включения тиристора?12. Как можно выключить включенный тирстор? Какой способвыключения считается наилучшим?13. Что такое пусковая характеристика тиристора?14. Что такое симистор?15. Каков порядок времени включения tвкл и выключения tвыклтиристора?16.
Для чего во внешнюю цепь тиристорной схемы обязательновключается резистор?17. Какой порядок коэффициента усиления тока для триодноготиристора?18. С чем связаны трудности при выключении тиристора поуправляющему электроду?19. Как устроен и работает полностью управляемый(двухоперационный) тиристор?20. Как по ГОСТу обозначаются на схемах и маркируются тиристорыразных типов?183Библиографический список1.2.3.4.5.6.7.8.9.10.11.12.13.14.Батушев, В.А.Электронные приборы: Учебник для вузов/ В.А.
Батушев. – М.: Высшая школа, 1980. – 383 с.Галкин, В.И.Промышленная электроника: Учеб. пособие/ В.И. Галкин. – Мн.: Выш. шк., 1989. – 336 с.Гусев, В.Г. Электроника: Учебник для вузов – 2-е изд., перераб. идоп. / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. – М.: Высшая школа, 1991. – 622 с.Жеребцов, И.П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп./ И.П. Жеребцов.
– Л.: Энергоатомиздат, 1990. – 352 с.Забродин, Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для вузов/ Ю.С. Забродин. – М.: Высшая школа, 1982. – 496 с.Игумнов, Д.В. Полупроводниковые устройства непрерывногодействия / Д.В. Игумнов, Г.П. Костюнина. – М.: Радио и связь,1990. – 256 с.Лачин, В.И.Электроника: Учеб. пособие. – 4-е изд./ В.И. Лачин, Н.С. Савёлов.
– Ростов н/Д : Феникс, 2004. – 576 с.Левинштейн, М.Е.Барьеры (От кристалла до интегральнойсхемы) / М.Е. Левинштейн, Г.С. Симин. – М.: Наука, 1987. – 320 с.Манаев, Е.И. Основы радиоэлектроники: Учеб. пособие. – 2-еизд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1985. – 504 с.Милькевич, Е.А. Методические указания к лабораторным работампо курсу “Промышленная электроника”.
Ч.1, 2/ Сост.:Е.А. Милькевич, А.В. Белоусов. – Белгород: Изд-во БТИСМ, 1986.Основыпромышленнойэлектроники: Учебник для вузов/ В.Г. Герасимов, О.М. Князьков, А.Е. Краснопольский,В.В. Сухоруков; под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Высшая школа,1986. – 336 с.Пасынков, В.В. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов.– 5-е изд., исправл. / В.В.
Пасынков, Л.К. Чиркин. – СПб.: Лань,2001. – 480 с.Шуренков, В.В. Физика контактных явлений: Учеб. пособие/ В.В. Шуренков, В.В. Беклемишев, А.М. Коршунов. – М.: Изд-воМИФИ, 1988. – 80 с.Электронные приборы: Учебник для вузов / В.Н. Дулин,Н.А. Аваев, В.П. Демин и др.; под ред.
Г.Г. Шишкина. – М.:Энергоатомиздат, 1989. – 495 с.184СодержаниеВведение ..........................................................................................3Раздел 1. Теоретические сведения ...............................................4Глава 1. Принципы зонной теории твердого тела ...........................Глава 2. Электропроводность полупроводников ............................Глава 3. Движение носителей заряда ..............................................Глава 4.
Электронно-дырочный и металло-полупроводниковыйпереходы ..........................................................................................Глава 5. Полупроводниковые приборы ..........................................5.1. Диоды .......................................................................................5.2.
Биполярные транзисторы .........................................................5.3. Тиристоры ................................................................................5.4. Полевые транзисторы ...............................................................4103542797991125139Раздел 2.
Лабораторный практикум ...........................................148Глава 6. Лаборатория электроники .................................................Глава 7. Лабораторные работы №1-2. Полупроводниковые диодыв схемах выпрямления и стабилизации напряжения, а такжевысокочастотные и импульсные диоды...........................................Глава 8. Лабораторные работы №3-4. Биполярный транзистор врежимах постоянного тока и усиления малых сигналов ................Глава 9. Лабораторная работа №5. Полевые транзисторы .............Глава 10.
Лабораторная работа №6. Диодные и триодныетиристоры .......................................................................................148Библиографический список ............................................................183Содержание .....................................................................................184151161171176Учебное изданиеВеличко Дмитрий ВалерьевичРубанов Василий ГригорьевичПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИУСТРОЙСТВАУчебное пособиеПодписано в печать 4.04.06.
Формат 60x84/16. Усл. печ. л. 11,5. Уч.-изд. л.11,6.Тираж 100 экз.Заказ №ЦенаОтпечатано в Белгородском государственном технологическом университетеим. В.Г. Шухова.308012, г. Белгород, ул. Костюкова, 46.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
