13-04-2020-МГТУ-ДИОДЫ-ДОП-МАТЕР (1171917), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Запирающий слой – диэлектрик, а объемные заряды (+Qобр, -Qобр) по обеимсторонам диэлектрика – обкладки конденсатора, созданные ионизированными атомами донорной иакцепторной примеси. Эту емкость называют барьерной емкостью.При постоянном напряжении барьернаяемкость определяется:QСбар = U обр .обрСбар = единицы ÷ сотни пФ.При прямом напряжении p-n-переходобладает диффузионной емкостьюCдиф.Зависимость барьерной (а) и диффузионной (б)емкости от приложенного напряженияДиффузионная емкость появляется в результате накопления подвижных носителей заряда в базе,когда после прохождения перехода носители не успевают рекомбинировать.СдифQдиф= U .прСдиф = десятки ÷ тысячи пФ.Сдиф >> СбарВлияние паразитных емкостейнеобходимо учитывать прииспользовании диодов на высокихчастотах и в импульсных схемах.13Импульсные диодыИмпульсные диоды предназначены для работы в высокочастотных и импульсных схемах.iдVDПри Uвх > 0 диод открывает и через него протекает прямой токRн >> rпрuвхIm прRнuвхtи >> tпUm0t-UmtиiдIm прt0Iобр устIm обрtспUm.RнКогдавходное напряжение меняет свою полярность напротивоположную (Uвх < 0) обратную для диода, последний запирается,но не мгновенно, а в течение некоторого времени – временивосстановления (tвос).После подачи запирающего напряжения диод остается в проводящемсостоянии и, =>, через него протекает обратный ток, величина которогоопределяется внешней цепью:Im обрtпtрасU − m .RнЧерез короткое время (tрас – время рассасывания) переход начинаетзапираться и в течение времени спада (tсп) обратный токэкспоненциально спадает до установившегося значения Iобр уст.Диаграммы на рисунке показаны в увеличенном временном масштабебез учета влияния барьерной емкости.tвос14Главная причина возникновения обратного импульса – разряд диффузионной емкости.

Накопленный зарядмгновенно исчезнуть не может, на это требуется время – время на рассасывание зарядов, образованныхподвижными носителями. Это время называется tрас – время рассасывания.tвос = tрас + tспЧем меньше tвос, тем лучше (т.е. диод быстрее запирается).Для хороших диодов - tвос = 1нс ÷ 1мкс.Время восстановления определяет максимальную рабочую частоту диода:fmax=11=T 10  t .восОсновные параметры импульсных диодов1.2.3.4.5.6.tвос – время восстановления (доли мкс);Cд – емкость диода (доли пФ ÷ неск. пФ);Uпр max – максимальное постоянное или Uпр и max – максимальное импульсное прямое напряжение;Iпр max, Iпр и max – максимальные постоянный или импульсный прямой токи;Uобр max, Uобр max – максимальное допустимое постоянное или импульсное обратное напряжение;tуст – время установления прямого напряжения диода (≤ доли мкс) – временной интервал от моментаподачи импульса прямого тока на диод до достижения заданного значения прямого напряжения нанем.Внешний вид импульсныхдиодовСоставить конспект по теме: диоды!15.

Характеристики

Список файлов учебной работы