Щука А.А. Электроника (2005) (1152091), страница 169
Текст из файла (страница 169)
А, Вето А. В, Гольдшером А, И., Шилиным В, А., Скрылевым А. С. и др. создана серия приборов с зарядовой связью. Созданы интегральные схемы для наручных часов со степенью интеграции 1500 транзи- сторов на кристалл размером 2х2 мм, Под руководством Иванова Э, Е на заводе "Ангстрем" за пять месяцев бьп разработан и выпущен калькулятор на основе собственных БИС, 1974 В Научном Центре на заводе "Ангстрем" созданы первые отечественные микропроцессоры.
Под руководством Гуськова Г. Я. создана ЦВМ "Салют-31", предназначенная для управления аппаратурой земных станций спутниковой связи "Сургут", размещаемой на подвижных объектах и обеспечивающих дуплексную телефонно-телеграфную связь.
1976 Организован промьшьченный выпуск цифровых ИС серий 100 н 500 с быстродействием 2 нс для супер-ЭВМ "Эльбрус-2". На заводе "Ангстрем" создана БИС ЗУ динамического типа емкостью 4 Кбит. 1976 В НИИ "Пульсар" созданы КМОП БИС ЗУ с информационной емкостью 1 Кбит. Электронная промышленность выпустила 300 миллионов интегральных схем, из них 85% монолитных (полупроводниковых). На заводе "Ангстрем" была достигнута степень интеграции 20 000 транзисторов на кристалл.
В НПО "Зенит" под руководством Жильцова В. И. было разработано свыше 20 моделей лазеров на красителях с перестраиваемой частотой с точностью до 0,0001%. !977 В НИИМЭ разработан комплект микропроцессорных ТТЛШ серии 589. 1978 В НИИ "Пульсар" разработаны мощные МДП-транзисторы (КП905, КП907, КП908), позволившие достичь верхней границы дециметрового диапазона частот. Разработаны мощные полевые СВЧ-транзисторы на арсениде галлия с барьером Шозтки. В ПИИМЭ разработана ППЗУ типа ТТЛ-55бРТ5 лля космических систем и ЭВМ "Эльбрус".
Приложение 7ВВ 1919 НИИМЭ осуществил поставки ИС для обеспечения программы "Марс-Венера". На заводе "Ангстрем" создана первая однокристальная микро-ЭВМ, эквивалентная мини- ЭВМ. 1980 Заводом "Микрон" изготовлена 1О 000 000 интегральная схема. 1981 Министр ЬЦокин А. И., выступая на ХХУ1 съезде КПСС, подчеркнул высокий уровень развития отечественной электроники.
1983 В НИИМЭ организован промышленный выпуск базовых матричных кристаллов БМК И-200 и ЬМК И-300 для отечественных ЭВМ, 1984 В НИИТТ был разработан первый персональный компьютер ДВК-1, а иа заводе "Ангстрем" бьио налажено его серийное производство. 1988 В НИИМЭ получены тестовые образцы кристаллов ИС с топологической нормой 0,5 мкм с использованием электронно-лучевой литографии.
1986 Физик из МГУ Лихарев К. К, предсказал процесс одноэлектронного туннелирования и предложил приборы обработки информации на основе этого явления. В НИИМЭ выпущены первые ИС с программируемыми логическими матрицами серий 556 и 1556. !987 Вошел в строй Центр с использованием синхротронного излучения в Зеленограде. 1ИИ ФП в Зеленограде совместно с ЦНИИС создали и ввели в эксплуатацию первый з стране участок волоконно-оптической связи. 1988 1а заводе Ангстрем" создан первый 32-разрядный микропроцессор. 1989 1а заволе "Ангстрем" назажен выпуск СБИС памяти емкостью 1 Мбит. 1990 зПО 'Нау'шый центр" поставил для школ 300 000 вычислительных машин УК-НЦ.
!ОО 000 ДВК бьши поставлены на предприятия. 3 электронной промышленности насчитывалось 816 предприятий, организаций и филнаюв, из них 232 научные организации с филиачами, Удельный вес отрасли в общем ооъе ае промышленной продукции составлял 2,4%. ПРиложение 799 Новейший российский период На постсоветском этапе развития России заметных успехов в области вакуумной электроники не наблюдается. Проводимые реформы деформировали электронную промышленность, ряд ведущих предприятий вакуумной электроники на грани закрытия, другие после так называемого акционирования утратили производственный профиль деятельности.
Удельный вес отрасли снизился в 15 раз, эффективно работающие предприятия составляют всего несколько процентов. 1991 Обвал электронной промышленности СССР, обвал всех рынков сбыта предприятий "обо- ронки". Предприятия остались без финансового потенциала для конкурентной борьбы. 1992 НИИМП-Э3!АС совместно с НПО имени Лавочкина разрабатывают сисгемы спутниковой связи, предназначенной для оперативного обмена информацией в структурах банковской и финансовых систем. ОАО "Ангстрем" развернул свои разработки в интересах ГОго-Восгочной Азии. 1993 В Зеленограде учрежлено Российско-Китайское предприязие "Корона-Семикондактор" для производства СБИС с топологической нормой 0,8 мкм. В НИИМЭ разработаны ИС ЭСЛ на 10 000 вентилей с быстродействием 0,15 нс и поставлены в Китай.
1994 Правительством РФ принята "Российская государственная программа развития электронной техники" на период 1995 †20 годы. Реальное финансирование составило 1Овв от предусмотренных бюджетных ассигнований. 1999 Российская элекгроника имела годовые объемы вложений 150 млн долларов, а мировой рынок оценивается в 210 млрд долларов. В России только на заводах "Ангсгрем" и "Микрон" в Зеленограде можно производить СБИС с топологической нормой 1,2 мкм. !996 Разработана и принята целевая программа "Электронная промыцшенность Москвы— России ХХ! века". Правительством создана холдинговая компания "Российская электроника", в которую вошли 32 предприятия и научно-исследовательских институтов бывшей электронной промышленности.
Компанию возглавил Генеральный директор завода "Ангстрем" Дшхунян В. Л. (рис. П.31), замесгителем стал Андреев А. С. 1997 На заводе "Микрон" введена производственная линна по выпуску СБИС с проектныл1и нормами 0,8 мкм на пластинах 150 мм. Приложение Рие. П.З1. Валерий Леонидович Дшхуняи— конструктор иэделий микроэлектроники, генеральный директор ОАО "Российская электроника" 1 НИИМЭ разработана элементная база БиКМОП ИС на основе самосовмещенной техюлогии. >азработана и принята целевая программа "Электронная промышленность Москвы— 'оссии ХХ! века". 998 1а СП "Корона" начато промышленное производство СБИС на пластинах кремния диатетром 150 мм с топологическими нормами О,э мкм. !казом Президента РФ и Постановлением Правительства создана холдинговая компания Российская электроника", в которую вошли 32 предприятия и научно-исследовательских ,нститута бывшей электронной промышленности.
999 :оздано Российское агентство по системам управления, призванное координировать начную и производственную деятельность в сфере радиоэлектронике. 'дачось увеличить производство изделий электронной техники на 147% по сравнению предыдущим годом. >бьем привлеченных инвестиций в три раза превосходит объем государственных ассигований.
'.отрудники НПП "Исток" создали мощные многолучевые клистроны в дециметровом иапазоне для телевизионных передатчиков, 000 кадемик Алферов Ж. И. удостоен Нобелевской премии за основополагающие работы области информационных и коммуникационных технологий, в частности за открытие аления суперинжекции в гетероструктурах, открытия идеальных гетероструктур А1АзаАз, создание полупроводниковых лазеров на двойных гетероструктурах, создания пер мх биполярных гетеротранзисторов, солнечных батарей на гетероструктурах.
001 первые в мире в ФТИ РАН и АОЗТ "Светлана" разработан лавинно-пролетный диод на :нове карбида кремния. 002 кадемнк Месяц Г. А. первым получил премию по энергетике за выдающиеся работы области взрывной автоэлектронной эмиссии. 791 ПРиложение 2003 Российские физики академики Гинзбург В. Л. (рис. П.32) и Абрикосов А. А. получили Нобелевскую преминз по физике за работы в области сверхпроводимости и сверхтекучести. Рис. П.З2. Виталий Лазаревич Гинзбург— советский академик АН СССР, лауреат Нобелевской премии ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ Автоволна 755 Акустозлектроника 618 Амплитрон 125 Аналоговый интегратор 453 Анод 110 Аподизация преобразователя 647 Арифметическое логическое устройство 438 Аркотрон 164 Базовый матричный кристалл 371, 460 Барьер 11!оп кп 230 БИСГ!И11-прибор 712 Боломстр 205 Вакуум 27 О вгясокий 34 О низкий 33 О средний 34 Вакуумметр; О магнитный 45 О тепловой 39 О электронно-иопизационный 42 Варистор 205 Вентиль ртутный 164 Видикон 129 Вихри Абрикосова 728 Волна: О Гуляева-Блгоштсйна 628 О Лява 628 О магнитостатическая 726 О магнито-упрутая 727 О пространственного заряда 687 О Рэлся 628 О спиралыия 728 О Стоунли 628 Волновод 559 Волоконный световод 565 Вольтамперная характеристика р — и-перехода 225 Вторично-электронный умножитель 136 Вычитатель 454 Г Газоразрядная индикаторная панель 166 Газотро~~ 164 Гексод !! 5 Геликон 687, 694, 728 Генератор 447 Гептод !15 Герметизация 338 1 стеро~ ~ереход 205, 227 О анизотипный 227 О изотипный 227 Ге.героструктура 227, 254 О двойная 541 Голография 599 Графекон 133 Давление газа 28 Двумерный электронный газ 228, 255 Дебаевский радиус экрапирования 151 Декатрон 165 Декод 116 Дсматрон 125 Демультиплексор 382 Детектор 448 Дефект: О примесный 210 О точечный 210 Дефлсктор 569 О акустооптический 760 Дешифратор 382, 433 Диафрагма 83 Предметный указатель 793 Динамическая неоднородность 621 Диод 1! 0 0 1МРАТТ 203 О р — 1 — п 576 0 ТКАРРАТ 203 0 Ганна 204, 619 0 лавинно-пролетный 203 0 туннельны й 202 0 Шоттки 290 Дислокация 210 Дисплей ! 27 Диссекторы 131 Диффере|щиальный усилитель 450 Дифференциатор 453 Диффузионная длина 219 Диффузия: 0 в замкнутой системе 32! 0 в открытой системе 321 0 внедрения 320 0 высокотемпературная 322 0 замещения 320 0 радиационно-стимулированная 326 Диэлектрик 188 Добротность 296, 632 0 резо~ ~атора 526 Домен: 0 Ганна 685, 720 0 сегнетоэлектрический 67! 0 цилиндрический магнитный 724 Доменная граница 725 Дырка 188, 211 Емкость: 0 диффузионная 225 0 барьерная 225 Закон: 0 Больцмапа 515 0 Мура 475 0 Пашена 159 О Снелля 83 0 Столетова 61 0 Фаулера 62 0 Фаулера-Нордгейма 65 0 Фика 320 0 Эйнштейна 61 Замедляющая система 91 Запоминающее устройство 406.
441. 678 0 акустическое 662 0 голографическое 602 О на мапщтных вихрях 736 О на ПЗС 709 0 на цилиндрических магнитных доменах 734 0 оперативное 406 0 оптическое 745 0 перепрограммируемое 406 0 постоянное 406 Зарядовый пакет 684 Затвор 195, 248 0 плавающий 4! 3 Затравка 303 Зона: О валентная 188, 215 0 запрещенная 188.
215 0 проводимости 188, 215 И Игнитрон 164 Излуч атель: 0 когерентный 593 0 некогерентный 591 Излучение: 0 корпускулярное 154 0 синхротронцое 153 0 тормозное 153 О циклотронное 153 Изокон 131 Иконоскоп 128 Инжектрон 126 Инжекция 223, 259 И~~тегральная оптика 583 0 элементная база 584 Интегральная схема 197, 365 0 аналоговая 371, 447 0 большая 370 О гибридная 370 0 заказная 461 0 комбинированная 370 О малая 370 О монолитная арсенид-галлиевая 473 0 полузаказная 460 0 полупроводниковая 368 0 программируемая логическая 464 0 сверхбольшая 200, 370 0 ультрабольшая 370 0 цифровая 370 ыо 543, гсгрально-оптическая схема 587 гибридная 587 монолитная 589 гегральпый: диод 288 конденсатор 293 резистор 291 стабилитрон 288 герфсреггцио«г««ая картина 599 ~гнал имплантация 323 иная литография 314 ношаблон 314 «эк 195, 248 «микон 129 ил 248 встроенный 250 и««дуцпрованный 249 «алл««рованг«е 323 «тилевер 176 эматрог« 126 эсинотрон 122 год 11О годолгомпнссценцпя 96 «нтовая: нить 481 точка 481, 483, 491 штовое ограничение 480 штовый: интерфсрометр 492 каскадньш лазер 492 логический элемент 491 колодец 228 переход 511 ~ескоп 126 «строн 89, 118 ерентность 598 света 529 ланда 438 лпаратор 382, 455 лплемептарнан структура 251 лпрессин 67 «вольвер 659, 719 «тинуальная среда 631 «типуум 27 гтрасткоп 131 >релнтор 702 >ффициег«т: диффузии 320 инжекпип 259 Предметный указатель О металлизацип 633 О Эйнштейна: для вынужденного испускания 513 длн ггоглопгепия 512 для спонтанного испусканин 512 О электрохимической связи 631 Кремний 302 Кремпикон 130 Кристалл: О ионный 209 О ковале~тный 210 О металлический 210 О молекулнрный 210 Критерий Кнудсспа 33 Кроссовер 67 Лазер 203, 525 О газовый 544 О газодинамический 550 О гетеро- 541, 593 О жидкостный 542 О инжекционный 540 О ионный 546 О молекулнр~ый 547 О на парах металла 552 О на свободных электронах 553 О полупроводниковый 538 О с распределенной обратной связ 593 О с распределенным брсгговским отражателем 593 О твердотельный 536 О химический 551 О эксимерный 549 Лампа: О бегущей волны 121 О генераторная 116 О модуляторная !18 О обратной волны 121 О приемно-усилительная 1!7 О прямой волны 121 О электронная 1!О Легирование 319 Линза: О геодезическая 584 О голограммная 602 О иммерсионнан 84 О короткая магнитная 88 О Лгонеберга 584 О одиночная 85 Е7Рег1мегный указа гель О Френеля 584 О электронная 83 Линия задержки 640, 701.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
