Щука А.А. Электроника (2005) (1152091), страница 168
Текст из файла (страница 168)
П.21. Апександр Михайлович Прохоров— основоположник квантовой электроники, директор созданного им ИОФАНа, академик АН СССР Рис. П.22. Николай Геннадьевич Басов— основоположник квантовой электроники, директор ФАН АН СССР. академик АН СССР 1а орбиту выведен первый в истории человечества искусственный спутник Земли на ос ове отечественной электронной элементной базы. зизик Келдыш Л. В. построил систематическую теорию туннельных явлений в полупро одниках. 1 НИИ "Пульсар" были разработаны кремниевые сплавные транзисторы типов П10! П06. 1 СССР выпущено 2,7 миллиона транзисторов 998 1 СССР начато серийное производство фотодиодов, 'ышло Постановление СМ СССР о строительстве под Москвой города-спутника (ныне еленоград).
амм И. Е. совместно с Франком И.М. и Черенковым П. А, удостоен Нобелевской преии по физике за открытие и объяснение "эффекта Черенкова" ---эффекта сверхсветового пектрона. "шушены первые германиевые транзисторы П605-П609, работающие на частотах до ОО МГц с мощностью до 1О Вт, изготовленные по конверсионной технологии, предло:енной Стружинским В. А. 'изик Прохоров А. М, впервые предложил использовать резонатор открытого типа в вантовых усилителях и генераторах. 999 'изикам Басову Н. Г. и Прохорову А.М. присуждена Ленинская премия за разработкУ ового принципа генерации н усиления электромагнитных колебаний, создание молекуярных генераторов и усилителей.
1нженером Галинским Н. Д, разработан высокочувствительный суперортикон ЛИ-201, оторый широко использовался в студийной аппаратуре и получил гран-при на выставке Брюсселе. 1нженер Щиголь Ф. А. Разработал первые кремниевые сплавные транзисторы типа П501- 1503. Приложение 783 н Поп„ Ю,М. пРедложили использов~~~ гюлУпйоводнн'н для создания лазеров. Физики Тагер А. С., Мельников А. И., Цебиев А.М., Кобельков Г. П. сделали открытие явления генерации и усиления СВЧ-колебаний при лавинном пробое полупроводниковых диодов, Идея акаделзика Вула Б.М, о применении электронно-дырочного перехода в качестве переменной емкости позволила создать варикап типа Д901, а также умножительные лиоды. 1960 Созданы образцы микромодульной техники на основе миниатюрных элементов.
Главным конструктором Носовым Ю. Р. (рис. П.23) в НИИ "Сапфир" разработаны им- пульсные диоды для ЭВМ. Рис. П.24. Владислав Иванович Пустовойт— советский, русский физик, член корреспондент АН СССР Рис. П.23. Юрий Романович Носов— советский, русский ученый, инженер 1961 Запущен в космический полет Гагарин!О. А. Вся электроника для систем связи и управ- ления изготовлена на основе отечественной элементной базы. Шокин А. И, назначен Председателем Государственного Комитета Совета Министров СССР по электронной технике. Физики Пустовойт В. И.
(рис. П.24) и Герценштейн М. Е. открыли эффект усиления ульт- развука в полупроводниковых пьезопроводящих кристаллах. Физики Раутиан С. Г. и Собельман И. И. предложили использовать органические ком- плексные соединения в качестве генерирующих сред для лазеров. 1962 Под руководством академика Капицы П. Л. создан оригинальный тнп СВЧ-генератора магнетронного типа — нигатрон (рис.
П.25). Под руководством Горфннкеля Б. И. в Саратове разработана серия ламп для новых моделей унифицированных телевизоров (1Ц21П, 6Д20П, 6П36С, 6Ф5П, 6К13П, 61!24П) со сроком до:повечности 1О 000 часов. Вышло Постановление ЦК КПСС и СМ СССР о создании Научного Центра микроэлектроники в Зеленограде. Приложение 7В4 Физик Денисюк Ю. Н.
впервые предложил и осушествил запись голограмм в трехмерных средах. Физик Келдьпп Л. В. предложил использовать пространственно-периодические поля.— сверхрешетки для управления электронным спектром и электронными свойствами крн- стачла. Физики Хохлов Р. В. (рис. П.26) и Ахманов С. А, предложили новый тип генератора коге- рентных колебаний — параметрический генератор.
Создана первая отечественная интегральная схелза на кремнии, в которой использовались кремниевые сплавные транзисторы. Рис. П.25. Петр Леонидович Капица — советский физик, автор работ в различных областях физики, в том числе создал обшую теорию электронных приборов магнетронного типа, создатель Института физических проблем АН СССР, академик АН СССР Рис. П.24, Рем Викторович Хохлов— советский физик, академик АН СССР 1963 Создан Центр микроэлектроники в Зеленограде, первым директором которого стал Лу- кин Ф. В.
Инженер Щиголь Ф. А. разработал планарный транзистор 2Т312 и его бескорпусной аналог 2Т319, ставший основным активным элементом гибридных схем. Физики Басов Н. Г. и Ораевский А. Н. предложили использовать быстропротекаюшие химические реакции для создания уровней инверсной заселенности и создания на их основе химических лазеров. Физики Басов Н, Г., Вул Б.М., Попов Ю.М.
с сотрудниками создали первый полупро. водниковый лазер. 1964 Физикам, основателям квантовой электроники Басову Н. Г. и Прохорову А.М. была присуждена Нобелевская премия по физике за основополагающие работы по квантовой электронике. На заволе "Ангстрем" при НИИ точной технологии созданы первые интегральные схемы "Тропа" с 20-ю элементами на кристалле, выполняющей функцию транзисторной логики с резистнаными связями.
Приложение 755 Физики Гуляев Ю. В. и Пустовойт В. И, открыли эффект акустозлекгронного взаимодей- ствия поверхностных акустических волн и электронов в прилегающем полупроводнике и предложили использовать это явление в акустоэлектронных устройствах. Физик Гуляев Ю, В (рис. П 27) открыл и исследовал акустомагнетоэлектрический эффект. Рис. П,27. Юрий Васильевич Гуляев— советский, русский физик, академик ЯН СССР Рис. П.28. Апександр Иванович цуокин— крупный государственный деятепь, первый министр электроннои промышленности СССР и России 1966 Государственный Комитет преобраюван в Министерство электронной промышленности СССР во главе с Министром Шокиным А.
И. (рис, П.28). В НИИМЭ в Зеленограде создана технология и начат выпуск первых планарных транзи- сторов "Плоскость". Под руководством Малина Б. В, в НИИ-35 (ныне НИИ "Пульсар" ) была создана первая серия кремниевых интегральных схем ТС-100 (степень интеграции — 37 элементов на кристалле). 1966 Физики Прохоров А. М и Конюхов В. К.
предложили идею создания гюодинамического лазера на смеси углекислого газа и азота. Учеными Тагером А. С. и Вальд-Перловым В. М. созданы первые лавинно-пролетные диоды. В НИИ 'Т1ульсар" начал работать первый экспериментальный цех по производству пла- нарных интегральных схем. В НИИМЭ под руководством доктора наук Валиева К. А. начат выпуск логических и ли- нейных интегральных схем. Физик Месяц Г. А. (рис. П.29) открьш явление взрывной электронной эмиссии и провел его фундаментальное исследование.
1967 Созданы первые транзисторы в пластмассовых корпусах типа КТ-315, которые стали по ставляться в 27 стран мира. Физик ! узтяев Ю. В. с сотрудниками открыл акустомагнстоэлектрический эффект. Ди илом на открытие был получен в 1974 году. тве 17рнложение Рис. П.зе. Геннадий Андреевич Месяц— советский, русский фиаик, академик АН СССР Рис. П.ЗО. Жорес Иванович Алферов— советский физик, академик АН СССР, лауреат Нобелевской премии 1968 Физик Алферов Ж.
И. (рис. П.ЗО) с сотрудниками предложил конструкции лазеров на основе гетеропереходов. НИИ "Пульсар" выпустил партию первых гибридных тонкопленочных ИС с планарными бескорпусными транзисторами типов КД910, КД911, КТ313, предназначенных для теле- видения, радиовегцания и связи. В НИИ МЭ разработаны цифровые и линейные ИС массового применения (серия 155). 1969 В НИИ "Пульсар" под руководством Бачурина В. В, созданы мощные высокочастотные МДП-транзисторы СВЧ-диапазона. Физик Алферов Ж. И, сформулировал н практически реализовал свои идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы СаАз-А!Аз. Физик Гуляев 1О. В.
открыл акустоэлектронные волны "волны Гуляева — Блюстейна", не обладающие диспершией и нашедшие широкое применение в современной акустоэлек- тронике. 1970 1971 Введен в эксплуатацию завод цветных кинескопов "Хроматрон". 1972 Созданы генераторные лампы с магнитной фокусировкой электронного потока (ГК-12А ГК-!ЗА) и полезной мощностью до 100 кВт на частоте 3 МГц. Разработаны генераторные гетроды (Гу74Б, Г'У77Б, Гу78Б) мощностью до 2,5 кВт. В стране было выпущено З,б миллионов интегральных схем б9-тн серий, нз которых 7 серий по МОП-технологии, 32 серии по биполярной технологии. В НИИМЭ разработаны функциональные приборы на полевых транзисторах с затвором Шоттки и приборами Ганна на одном кристалле.
Прилоягение 787 Физики Алферов Ж. И,, Андреев В М., Гарбузов Д. 3., Корольков В. И. н Третьяков Д. Н. удостоены Ленинской премии за работы в области физики гетероструктур. В НИИФП в Зеленограде изготовлены линейные ПЗС-приборы с поверхностным каналом. Физик Абрикосов А. А. выдвинул идею о высокотемпературной сверхпроводимости 'ме- таллического зкситония", 1973 В НИИ "Пульсар" Кузнецовым К).
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
