Диссертация (1150477), страница 23
Текст из файла (страница 23)
� P. 13614.120. Ren Z., Taskin A. A., Sasaki S., Segawa K., Ando Y. Large bulk resistivity and surfacequantum oscillations in the topological insulator Bi2 Te2 Se // Phys. Rev. B. � 2010. �Vol. 82. � P. 241306.121. Austin I. G., Sheard A.
Some optical properties of Bi2 Te3 -Bi2 Se3 alloys // Journal of Electronics and Control. � 1957. � Vol. 3. � P. 236.122. Cho K.-W., Kim I.-H. Thermoelectric properties of the flash-evaporated n-type Bi2 Te2.4 Se0.6thin films // Materials Letters. � 2005.
� Vol. 59. � P. 966.123. Ren Z., Taskin A. A., Sasaki S., Segawa K., Ando Y. Optimizing Bi2 x Sbx Te3 y Sey solidsolutions to approach the intrinsic topological insulator regime // Phys. Rev. B. � 2011. �Vol. 84. � P. 165311.124. Kadhim A., Hmood A., Abu Hassan H. Thermoelectric generation device based on p-typeBi0.4 Sb1.6 Te3 and n-type Bi2 Se0.6 Te2.4 bulk materials prepared by solid state microwave synthesis // Solid State Communications.
� 2013. � Vol. 166. � P. 44.125. Neupane M., Basak S., Alidoust N., Xu S.-Y., Liu Chang, Belopolski I., Bian G., Xiong J.,Ji H., Jia S., Mo S.-K., Bissen M., Severson M., Lin H., Ong N. P., Durakiewicz T.,Cava R. J., Bansil A., Hasan M. Z. Oscillatory surface dichroism of the insulating topologicalinsulator Bi2 Te2 Se // Phys.
Rev. B. � 2013. � Vol. 88. � P. 165129.126. Bahramy M. S., King P. D. C, de la Torre A., Chang J., Shi M., Patthey L., Balakrishnan G.,Hofmann Ph., Arita R., Nagaosa N., Baumberger F. Emergent quantum confinement attopological insulator surfaces // Nature Communications. � 2012.
� Vol. 3. � P. 1159.112127. Eremeev S V, Vergniory M G, Menshchikova T V, Shaposhnikov A A, Chulkov E V. The effectof van der Waal’s gap expansions on the surface electronic structure of layered topologicalinsulators // New Journal of Physics. � 2012. � Vol. 14. � P. 113030.128. Eremeev S. V., Landolt G., Menshchikova T. V., Slomski B., Koroteev Y. M., Aliev Z. S.,Babanly M. B., Henk J., Ernst A., Patthey L., Eich A., Khajetoorians A. A., Hagemeister J.,Pietzsch O., Wiebe J., Wiesendanger R., Echenique P. M., Tsirkin S. S., Amiraslanov I.
R.,Dil J. H., Chulkov E. V. Atom-specific spin mapping and buried topological states in ahomologous series of topological insulators // Nature Communications. � 2012. � Vol. 3. �P. 635.129. Kuroda K., Miyahara H., Ye M., Eremeev S. V., Koroteev Yu. M., Krasovskii E. E.,Chulkov E. V., Hiramoto S., Moriyoshi C., Kuroiwa Y., Miyamoto K., Okuda T., Arita M.,Shimada K., Namatame H., Taniguchi M., Ueda Y., Kimura A. Experimental verification ofPbBi2 Te4 as a 3D topological insulator // Phys.
Rev. Lett. � 2012. � Vol. 108. � P. 206803.130. Bos J. W. G., Zandbergen H. W., Lee M.-H., Ong N. P., Cava R. J. Structures and thermoelectric properties of the infinitely adaptive series (Bi2 )m (Bi2 Te3 )n // Phys. Rev. B. � 2007.� Vol. 75. � P. 195203.131. Gibson Q. D., Schoop L. M., Weber A. P., Ji Huiwen, Nadj-Perge S., Drozdov I. K., Beidenkopf H., Sadowski J. T., Fedorov A., Yazdani A., Valla T., Cava R. J.
Terminationdependent topological surface states of the natural superlattice phase Bi4 Se3 // Phys. Rev.B. � 2013. � Vol. 88. � P. 081108.Список сокращений и терминовСТМ - сканирующая туннельная микроскопияСТС - сканирующая туннельная микроскопияЗБ - зона БриллюэнапЗБ - поверхностная зоны БриллюэнаCVD - химическое осаждение из газовой фазы (chemical vapor deposition)ФЭС (PES) - фотоэлектронная спектроскопияФЭСУР (ARPES) - фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешениемСпин-разрешенная ФЭСУР (SR-ARPES) - фотоэлектронная спектроскопия с угловым испиновым разрешениемРФЭС (XPS) - рентегновская фотоэлектронная спектроскопияПШПВ (FWHM) - ширина пика на уровне половинной амплитудыСИ - синхротронное излучениеДМЭ (LEED) - дифракция медленных электроновнА - нано амперы (1⇥109A)КЭС - квантовые электронные состоянияМС - монослой (слой толщиной в один атом)РЦ ФМИП - Ресурсный центр Научного парка СПбГУ �Физические методы исследованияповерхности�КЭХ - квантовый эффект ХоллаС.О.
- спин-орбитальноеТФП (DFT) - теория функционала плотностиТИ - топологический изолятор3D - трехмерный2D - двумерныйПСС - приближение сильной связи113.