Автореферат (1149965), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

Агекян В.Ф., Борисов Е.В., Воробьев Л.Е., Мелентьев Г.А. и др. Оптические иэлектрические свойства микроструктур на основе GaN:Si с широким диапазономуровней легирования // Физика твёрдого тела. 2015. Том 57. № 4. С. 768-774. (личныйвклад – 50%)А2. Агекян В.Ф., Борисов Е.В., Серов А.Ю., Философов Н.Г. Оптические свойстваобъемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидриднойгазофазной эпитаксии // Физика твёрдого тела. 2017. Том 59. № 12.

С. 2392-2395.(личный вклад – 50%)16А3. Кудряшов Д.А., Гудовских А.С., Бабичев А.В., Филимонов А.В., Можаров А.М.,Агекян В.Ф., Борисов Е.В., Серов А.Ю., Философов Н.Г. Наноразмерные пленки Cu2O:формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных иоптических свойств // Физика и техника полупроводников. 2017. Том 51. №1. С. 111115. (личный вклад – 50%)СПИСОК ЦИТИРОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ1. Kornitzer K., Ebner T., Thonke K., Sauer R. Photoluminescence and reflectancespectroscopy of excitonic transitions in high-quality homoepitaxial GaN films // PhysicalReview B. 1999.

Vol. 60. №3. P. 1471-14732. Stepniewski R., Korona K. P., Wysmole, A., Baranowski J. M. Polariton effects inreflectance and emission spectra of homoepitaxial GaN // Physical Review B. 1997. Vol. 56.№23. P. 15151-151563. Levanyuk A.P., Osipov V.V. Edge luminescence of direct-gap semiconductors // PhysicsUspekhi. 1981. Vol. 24. №3. P. 187-2154. Permogorov S.A.

Excitons // North-Holland Publishing Company. Amsterdam. 1982. P.1775. Вербин С.Ю., Клочихин А.А., Пермогоров С.А. Резницкий А.Н. Физика твёрдоготела. 1980. Том 22. С. 20956. Гросс Е. Ф., Пермогоров С. А., Разбирин Б. С. Аннигиляция экситонов и экситонфононное взаимодействие // Успехи физических наук. 1971. Том 103. №3.

С. 431-4467. Buyanova I.A., Bergman J.P., Monemar B., Amano H. Effects of defect scattering on thephotoluminescence of exciton-polaritons in n-GaN // Solid State Communications. 1998. Vol.105. №8. P. 497-5018. Ткачман М.Г., Шубина Т.В., Жмерик И.Н., Иванов С.В. и др. Фононнаялюминесценция экситонов в слоях GaN, выращенных методами молекулярнопучковой и хлорид-гидридной газофазной эпитаксии // Физика и техникаполупроводников.

2003. Том 37. №5. С. 552-5569. Agekyan V.F., Borisov E.V., Vorobjev L.E., Melentyev G.A. et. al. Optical and ElectricalProperties of GaN: Si-Based Microstructures with a Wide Range of Doping Levels // Physicsof the Solid State. 2015. Vol. 57. №4. P. 787-79310. Elliott R.J. Symmetry of Excitons in Cu2O // Physical Review B. 1961. Vol.

124. №2. P.340-34511. Sun Y., Rivkin K., Chen J., Ketterson J.D. Strain splitting of 1s yellow orthoexciton ofepitaxial orthorhombic Cu2O films on MgO [110] // Physical Review B. 2002. Vol. 66. №24.P. 1-812. Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, А.В. Бабичев, А.В. Филимонов и др.Наноразмерные пленки Cu2O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления,исследование структурных и оптических свойств // Физика и техникаполупроводников.

2017. Том 51. №1. С. 111-115.

Характеристики

Список файлов диссертации