Диссертация (1149831), страница 9
Текст из файла (страница 9)
5.10: Траектории эмитированных электронов.Таблица 5.5: Параметры системы (рис. 5.10)1 , мкм 2 , мкм 3 , мкм 4 , мкм 5 , мкм 6 , мкм 7 , мкм 8 , мкм0.20.30.40.30.20.20.30.41 , мкм 2 , мкм 3 , мкм 4 , мкм 5 , мкм 6 , мкм 7 , мкм 8 , мкм0.80.91.82.53.23.84.55.21 , В2 , В3 , В4 , В5 , В6 , В7 , В8 , В20002000400400400000На рисунке 5.10 (таблица 5.5) меняются радиусы отверстий второгомодулятора 2 ; первой и второй фокусирующих диафрагм 3 , 4 ; второй и третьей дефокусирующих диафрагм 3 , 4 ; потенциалы 3 , 4 , 5 фокусирующихи потенциалы 6 , 7 , 8 дефокусирующих диафрагм.995.3ЗаключениеВ данной главе решены две задачи оптимизации.1) Определена оптимальная геометрия фокусирующей системы, со-стоящей из двух косоугольных линз, рассчитан ток системы и величина раствора электронного пучка на аноде.
Выбраны конфигурации системы с наибольшими значениями тока, а так же с наименьшими значениями радиуса растворапучка электронов.2) Решена задача оптимизации геометрических параметров электронной пушки с полевым катодом и потенциалов модуляторов, фокусирующихи дефокусирующих диафрагм для получения равномерной засветки анода.Расчеты проводились с использованием библиотеки численных расчетов deal.II и программы Gmsh.100Заключение1) Произведено моделирование диодных систем различных конфигураций.2) Произведён расчёт эмиссионных характеристик пучка электронной пушкис полевым катодом и системой фокусирующих линз косоугольной формы сучетом распределения пространственного заряда.3) Решена задача оптимизации конфигурации системы фокусирующих линздля управления пучком заряженных частиц электронной пушки с полевымкатодом в виде тонкого острия.4) Создан комплекс программ для реализации предложенных математическихмоделей электронных пушек с полевыми катодами.101Литература1.
А.А. Климаков. Моделирование электронной пушки с системой фокусирующих линз с учетом распределения пространственного заряда // ВестникСПБГУ, Cерия 10: Прикладная математика. Информатика.Процессыуправления. — 2013. — № 3. — С. 150—156.2. Виноградова Е. М., Егоров Н.
В., Климаков А. А. Математическое моделирование диодной системы с полевым острием цилиндрической формы //Журнал технической физики. — 2015. — Т. 85, № 2. — С. 20–23.3. Овсянников Д. А. , ЕгоровН. В. . Математическое моделирование системформирования электронных и ионных пучков. — СПб.: Изд-во С.-Петерб.ун-та., 1998. — С. 276.4. Павлов В.
Г. . Влияние объемного заряда эмитированных электронов на полевую электронную эмиссию // Журн. техн. физики. — 2004. — Т. 74(12).— С. 72 – 79.5. Swanson L.W., Bell A.E. Recent Advances in Field Electron Microscopy ofMetals / Ed. by L. Marton, Claire Marton. — Academic Press, 1973. — Vol. 32of Advances in Electronics and Electron Physics.
— Pp. 193 – 309.6. Talin A.A., Dean K.A., Jaskie J.E. Field emission displays: a critical review //Solid-State Electronics. — 2001. — Vol. 45, no. 6. — Pp. 963 – 976.1027. Егоров Н. В., Шешин Е. П. Автоэлектронная эмиссия. Принципы и приборы. — СПб.: Издат. Дом интеллект., 2011. — С. 704.8. Field emission properties of the graphenated carbon nanotube electrode /H. Zanin, H.J. Ceragioli, A.C.
Peterlevitz et al. // Applied Surface Science.— 2015. — Vol. 324, no. 0. — Pp. 174 – 178.9. A comparative study of nitrogen plasma effect on field emission characteristicsof single wall carbon nanotubes synthesized by plasma enhanced chemical vapordeposition / Avshish Kumar, Shama Parveen, Samina Husain et al. // AppliedSurface Science.
— 2014. — Vol. 322, no. 0. — Pp. 236 – 241.10. Field emission scanning electron microscopy (FE-SEM) as an approach fornanoparticle detection inside cells / M. Havrdova, K. Polakova, J. Skopaliket al. // Micron. — 2014. — Vol. 67, no. 0. — Pp. 149 – 154.11. Surface structure optimization for cost effective field emission of zinc oxidenanorods on glass substrate / F. Dehghan Nayeri, K. Narimani, M. Kolahdouzet al.
// Thin Solid Films. — 2014. — Vol. 571, Part 1, no. 0. — Pp. 154 – 160.12. Uh Hyung Soo, Park Sangsik. Improved field emission properties from carbon nanotubes grown onto micron-sized arrayed silicon pillars with pyramidalbases // Diamond and Related Materials. — 2014. — no. 0. — Pp. –.13. Jiruše Jaroslav, Havelka Miloslav, Lopour Filip. Novel field emission {SEM}column with beam deceleration technology // Ultramicroscopy. — 2014. —Vol. 146, no. 0. — Pp.
27 – 32.14. The development of a 200 kV monochromated field emission electron source /Masaki Mukai, Judy S. Kim, Kazuya Omoto et al. // Ultramicroscopy. — 2014.— Vol. 140, no. 0. — Pp. 37 – 43.10315. Hawkes P.W. Examples of electrostatic electron optics: The Farrand and Elektros microscopes and electron mirrors // Ultramicroscopy. — 2012. — Vol. 119,no. 0. — Pp. 9 – 17.
— Special Issue: Gertrude F. Rempfer 100th BirthdayMemorial.16. Edgcombe C.J, Valdrè U. The enhancement factor and the characterization ofamorphous carbon field emitters // Solid-State Electronics. — 2001. — Vol. 45,no. 6. — Pp. 857 – 863.17. Lange D.A., Sujata K., Jennings H.M. Observations of wet cement using electron microscopy // Ultramicroscopy. — 1991. — Vol. 37, no. 1–4. — Pp.
234 –238.18. Enhancing electrical conductivity and electron field emission property offree standing diamond films by employing embedded Ag nanoparticles /Yanyan Shen, Yu Qiao, Zhiyong He, Shengwang Yu // Materials Letters. —2015. — Vol. 139, no. 0. — Pp. 322 – 324.19. Magnetic and field emission studies of atom beam sputtered Ni:SiO2 granularfilms / Hardeep Kumar, Santanu Ghosh, D.K. Avasthi et al. // Vacuum. —2010. — Vol. 85, no.
2. — Pp. 139 – 144.20. Завьялов М. А., Переводчиков В. И., Сыровой В. А. Проблемы электроннооптических систем для перспективных пучково-плазменных приборовСВЧ // Прикладная физика. — 2000. — Т. 2. — С. 122 – 132.21. Сыровой В. А. Торцевые формирующие электроды для плотных электронных пучков и осесимметричные бриллюэновские образования // Радиотехника и электроника.
— 2008. — Т. 53(4). — С. 494 – 512.22. Акимов П. И. Использование ионов для усиления тока электронных пушек // Прикладная физика. — 2002. — Т. 4. — С. 90 – 101.10423. Lányi Š. Shape dependence of the capacitance of scanning capacitance microscope probes // Ultramicroscopy. — 2008. — Vol. 108, no.
8. — Pp. 712 –717.24. Egorov N. V., Vinogradova E. M. Mathematical modeling of the electron beamformatting systems on the basis of field emission cathodes with variousshapes // Vacuum. — 2004. — Vol. 72. — Pp. 103 – 111.25. Egorov N. V. , Vinogradova E. M. . Mathematical model of electron gun on thefield emission electron cathode basis // Vacuum. — 2000. — Vol. 57. — Pp. 267–281.26. Vinogradova E. M., Egorov N. V. Математическое моделирование электронной пушки на основе полевого электронного катода // Радиотехника иэлектроника. — 2004. — Т.
49(2). — С. 251–256.27. Виноградова Е. М., Егоров Н. В., Баранов Р. Ю. Расчет электростатического поля системы соосных аксиально-симметричных электродов // Радиотехника и электроника. — 2007. — Т. 52(2). — С. 225–230.28. Виноградова Е. М., Егоров Н. В. Математическое моделирование диоднойсистемы на основе полевого эмиттера // Журнал технической физики. —2011. — Т. 81(9).
— С. 1 – 5.29. Климаков А. А. Моделирование электростатической линзы // Процессыуправления и устойчивость: труды 42-й междунар. науч. конференции аспирантов и студентов / под ред. А. С. Ерёмина, Н. В. Смирнова. СПб.:Издат. Дом С.-Петерб. гос. ун-та. — 2011. — С. 139 – 144.30. Development of {TEM} and {SEM} High brightness electron guns using coldfield emission from a carbon nanotip / F.
Houdellier, L. de Knoop, C. Gatelet al. // Ultramicroscopy. — 2014. — no. 0. — Pp. –.10531. Influence of charge deposition in a field-emission display panel / Lei Wei, Xiaobing Zhang, Chaogang Lou, ZuoYa Zhu // Applied Surface Science. — 2008.— Vol. 254, no. 7. — Pp. 2096 – 2101.32.
Marchiando J. F., Kopanski J. J., Lowney J. R. Model database for determining dopant profiles from scanning capacitance microscope measurements //Journal of vacuum science and technology. B, Microelectronics and nanometerstructures processing, measurement and phenomena. — 1998. — Vol. 16. —Pp. 463—470.33. Bruce N.C., Garcia-Valenzuela A., Kouznetsov D. The lateral resolution limitfor imaging periodic conducting surfaces in capacitive microscopy // J. Phys.D: Appl.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
