Автореферат (1149282), страница 4
Текст из файла (страница 4)
Loshachenko, A. Bondarenko, O. Vyvenko, O. Kononchuk, Impact ofhydrogen on electrical levels and luminescence of dislocation network at theinterface of hydrophilically bonded silicon wafers // Physica status solidi (c)2013, 10(1), p. 36-39A. Loshachenko, O. Vyvenko, O. Kononchuk, Kinetics of Hydrogen Motionvia Dislocation Network in Hydrophilically // Solid State Phenomena, 2014,v. 205-206, p. 341-345.N. Vysotskii, A. Loshachenko, E.
Borisov, O. Vyvenko, Raman spectroscopy of monoatomic Hydrogen at dislocations in Silicon // Journal of Physics:Conference Series, 2016, 690 (1)Н.В. Высотский, А.С. Лошаченко, О.Ф. Вывенко, Атомная конфигурация и зарядовое состояние водорода на дислокациях в кремнии // ФТП2017, т. 51, вып. 3, с. 305-310Vysotskii, N.V., A.S. Loshachenko, O.F. Vyvenko. Atomic configurationand charge state of Hydrogen at dislocations in Silicon // Semiconductors,2017, 51 (3), p.
293-298.Цитируемая литература1.2.Zundel T., Weber J. Dissociation-Energies of Shallow-Acceptor HydrogenPairs in Silicon // Physical Review B. 1989. Т. 39. № 18. — C. 13549-13552.Matsubara M., Godet J., Pizzagalli L. Investigation of the interaction betweenhydrogen and screw dislocation in silicon by first-principles calculations //Journal of Physics: Condensed Matter.
2010. Т. 22. № 3. — C. 035803..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
