Диссертация (1149174), страница 17
Текст из файла (страница 17)
Эта модель предсказывает, что время затухания осцилляцийсигнала при положительных и отрицательных временах различно. Поэтому изучение этим методом квантовых биений такого типа позволяетодновременно изучать фазовую релаксацию на оптической частоте, атакже взаимную когерентность нескольких размерно-квантованных экситонных состояний.Выполненный цикл экспериментальных исследований позволяет поставить новые научные задачи по исследованию динамики экситонов в высококачественных гетероструктурах. В частности, наблюдаемое при малой плотности оптического возбуждения аномальное малое температурное уширение экситонных резонансов (см. рисунок 3.3(c)) требует отдельного исследования. Влитературе встречаются значения коэффициента температурно уширения напорядок больше (см.
раздел 1.1.2), чем в исследованных высококачественныхгетероструктурах. Также темой дальнейших исследований является изучениевзаимной когерентности экситонных состояний в зависимости от различныхвнешних условий, таких как дополнительная подсветка образца или изменениетемпературы, определяющих населенность резервуара неизлучающих экситонов.89Список сокращений и условных обозначенийКЯ - квантовая ямаLH - легкая дыркаHH - тяжелая дыркаFWM - четырех-волновое смешивание (сокращение принятое в иностранной литературе)TRFWM - четырех-волновое смешивание с временным разрешениемПШПВ - полуширина на полувысотеАОФ - акусто-оптический фильтрФЛ - фотолюминесценция90Список литературы1.
Frenkel J. On the Transformation of light into Heat in Solids. I // Phys.Rev. — 1931. — Vol. 37. — Pp. 17–44.2. Гросс Е., Кариев Н. // ДАН СССР. — 1952. — Т. 84. — С. 261.3. Гросс Е. Ф. Экситон и его движение в кристаллической решетке // Успехи физических наук. — 1962. — Т. 76, № 3. — С. 433—466.4. Gross E.
Optical and magneto-optical effects in semi-conductor crystals //Cechoslovackij fiziceskij zurnal B. — 1961. — Vol. 11, no. 9. — Pp. 617–626.5. Dingle R., Wiegmann W., Henry C. H. Quantum States of Confined Carriers in Very Thin Al Ga1− As-GaAs-Al Ga1− As Heterostructures // Phys.Rev. Lett. — 1974. — Vol. 33. — Pp. 827–830.6. Yu P., Cardona M. Fundamentals of Semiconductors. — Springer, 2002.7. Nozik A. J. Spectroscopy and hot electron relaxation dynamics in semiconductor quantum wells and quantum dots // Annual review of physicalchemistry. — 2001. — Vol.
52, no. 1. — Pp. 193–231.8. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках // м.: Физматгиз. — 1963. — Т. 496. — С. 8.9. Shah J. Hot carriers in semiconductor nanostructures: Physics and applications. — Elsevier, 2012.10. Pelouch W. S. [et al.] Comparison of hot-carrier relaxation in quantumwells and bulk GaAs at high carrier densities // Phys. Rev. B. — 1992.
—Vol. 45, issue 3. — Pp. 1450–1453.11. Rosenwaks Y. [et al.] Hot-carrier cooling in GaAs: quantum wells versusbulk // Physical Review B. — 1993. — Vol. 48, no. 19. — P. 14675.12. Deveaud B. [et al.] Enhanced radiative recombination of free excitons inGaAs quantum wells // Phys. Rev. Lett. — 1991. — Vol. 67. — Pp. 2355–2358.13. Deveaud B.
[et al.] Excitonic effects in the luminescence of quantum wells //Chemical Physics. — 2005. — Vol. 318. — Pp. 104–117.9114. Hanamura E. Rapid radiative decay and enhanced optical nonlinearity ofexcitons in a quantum well // Phys. Rev. B. — 1988. — Vol. 38. —Pp.
1228–1234.15. Rashba E. I., Gurgenishvili G. E. Edge absorption theory in semiconductors // Fiz. Tverd. Tela (Leningrad). — 1962. — Vol. 4. — P. 1029.16. Andreani L. C., Tassone F., Bassani F. Radiative lifetime of free excitonsin quantum wells // Solid State Communications. — 1991. — Vol. 77,no. 9. — Pp. 641–645.17. Vinattieri A.
[et al.] Exciton dynamics in GaAs quantum wells under resonant excitation // Phys. Rev. B. — 1994. — Vol. 50. — Pp. 10868–10879.18. Koch S. W. [et al.] Semiconductor excitons in new light // Nat Mater. —1994. — Vol. 5. — Pp. 523–531.19.
Bacher G. [et al.] Exciton dynamics in Inx Ga1−x As/GaAs quantum-wellheterostructures: Competition between capture and thermal emission //Phys. Rev. B. — 1993. — Vol. 47, issue 15. — Pp. 9545–9555.20. Vishnevsky D. V. [et al.] Multistability of cavity exciton polaritons affectedby the thermally generated exciton reservoir // Phys. Rev. B. — 2012.
—Vol. 85. — P. 155328.21. Wouters M. [et al.] Influence of a nonradiative reservoir on polariton spinmultistability // Phys. Rev. B. — 2013. — Vol. 87. — P. 045303.22. Gurioli M. [et al.] Temperature dependence of the radiative and nonradiative recombination time in GaAs/Alx Ga1−x As quantum-well structures //Phys. Rev. B. — 1991. — Vol.
44. — Pp. 3115–3124.23. Demirchyan S. S. [et al.] Qubits Based on Polariton Rabi Oscillators //Phys. Rev. Lett. — 2014. — Vol. 112. — P. 196403.24. Haug H., Doan T. D., Tran Thoai D. B. Quantum kinetic derivation ofthe nonequilibrium Gross-Pitaevskii equation for nonresonant excitation ofmicrocavity polaritons // Phys. Rev. B. — 2014. — Vol. 89.
— P. 155302.25. Belykh V. V., Sob’yanin D. N. Polariton linewidth and the reservoir temperature dynamics in a semiconductor microcavity // Phys. Rev. B. —2014. — Vol. 89. — P. 245312.9226. Piermarocchi C. [et al.] Nonequilibrium dynamics of free quantum-well excitons in time-resolved photoluminescence // Phys.
Rev. B. — 1996. —Vol. 53. — Pp. 15834–15841.27. Захарченя Б. П., Майер Ф. Оптическая ориентация. — Наука. Ленингр.отд-ние, 1989.28. Kusano J.-i. [et al.] Extremely slow energy relaxation of a two-dimensionalexciton in a GaAs superlattice structure // Physical Review B. — 1989. —Vol. 40, no. 3. — P. 1685.29. Feldmann J.
[et al.] Linewidth dependence of radiative exciton lifetimes inquantum wells // Phys. Rev. Lett. — 1987. — Vol. 59. — Pp. 2337–2340.30. Damen T. C. [et al.] Dynamics of exciton formation and relaxation in GaAsquantum wells // Phys. Rev. B. — 1990. — Vol. 42. — Pp. 7434–7438.31. Srinivas V. [et al.] Intrinsic linewidths and radiative lifetimes of free excitons in GaAs quantum wells // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 46. —Pp. 10193–10196.32. Szczytko J. [et al.] Determination of the Exciton Formation in QuantumWells from Time-Resolved Interband Luminescence // Phys.
Rev. Lett. —2004. — Vol. 93. — P. 137401.33. Roussignol P. [et al.] Dynamics of exciton relaxation in GaAs/Alx Ga1−x Asquantum wells // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 45. — Pp. 6965–6968.34. Kappei L. [et al.] Direct Observation of the Mott Transition in an OpticallyExcited Semiconductor Quantum Well // Phys. Rev. Lett. — 2005. —Vol. 94. — P.
147403.35. Bajoni D. [et al.] Exciton dynamics in the presence of an electron gas inGaAs quantum wells // physica status solidi (b). — 2006. — Vol. 243,no. 10. — Pp. 2384–2388.36. Portella-Oberli M. T. [et al.] Dynamics of Trion Formation in In Ga1− AsQuantum Wells // Phys. Rev.
Lett. — 2009. — Vol. 102. — P. 096402.37. Basu P. K., Ray P. Energy relaxation of hot two-dimensional excitons ina GaAs quantum well by exciton-phonon interaction // Phys. Rev. B. —1992. — Vol. 45. — Pp. 1907–1910.9338. Citrin D. S. Radiative lifetimes of excitons in quantum wells: Localizationand phase-coherence effects // Phys. Rev. B. — 1993. — Vol. 47. —Pp. 3832–3841.39. Ciuti C. [et al.] Role of the exchange of carriers in elastic exciton-excitonscattering in quantum wells // Phys. Rev.
B. — 1998. — Vol. 58. —Pp. 7926–7933.40. Ivanov A. L., Littlewood P. B., Haug H. Bose-Einstein statistics in thermalization and photoluminescence of quantum-well excitons // Phys. Rev.B. — 1999. — Vol. 59. — Pp. 5032–5048.41. Piermarocchi C. [et al.] Photoluminescence and Carrier Dynamics in GaAsQuantum Wells // physica status solidi (a). — 1997. — Vol. 164.
—Pp. 221–225.42. Kavokin A. V. Exciton oscillator strength in quantum wells: From localizedto free resonant states // Phys. Rev. B. — 1994. — Vol. 50. — Pp. 8000–8003.43. Gurioli M. [et al.] Temperature dependence of the radiative and nonradiative recombination time in GaAs/Alx Ga1−x As quantum-well structures //Phys. Rev. B. — 1991. — Vol. 44. — Pp. 3115–3124.44. Eccleston R.
[et al.] Density-dependent exciton radiative lifetimes in GaAsquantum wells // Phys. Rev. B. — 1992. — Vol. 45. — Pp. 11403–11406.45. Finkelstein G. [et al.] Charged exciton dynamics in GaAs quantum wells //Phys. Rev. B. — 1998. — Vol. 58. — Pp. 12637–12640.46. Schultheis L. [et al.] Optical dephasing of homogeneously broadened twodimensional exciton transitions in GaAs quantum wells // Phys. Rev.
B. —1986. — Vol. 34. — Pp. 9027–9030.47. Honold A. [et al.] Collision broadening of two-dimensional excitons in aGaAs single quantum well // Phys. Rev. B. — 1989. — Vol. 40. —Pp. 6442–6445.48. Kim D.-S. [et al.] Unusually slow temporal evolution of femtosecond fourwave-mixing signals in intrinsic GaAs quantum wells: Direct evidence forthe dominance of interaction effects // Phys. Rev.
Lett. — 1992. — Vol.69. — Pp. 2725–2728.9449. Duer R. [et al.] Momentum Redistribution Times of Resonantly Photogenerated 2D Excitons // Phys. Rev. Lett. — 1997. — Vol. 78. — Pp. 3919–3922.50. Borri P. [et al.] Well-width dependence of exciton-phonon scattering inIn Ga1− As/GaAs single quantum wells // Phys. Rev. B. — 1999. —Vol. 59. — Pp. 2215–2222.51. Chemla D. S., Shah J. Many-body and correlation effects in semiconductors // Nature. — 2001. — Vol.
411. — Pp. 549–557.52. Smith R. P. [et al.] Extraction of Many-Body Configurations from NonlinearAbsorption in Semiconductor Quantum Wells // Phys. Rev. Lett. —2010. — Vol. 104. — P. 247401.53. Poltavtsev S. V., Stroganov B. V. Experimental investigation of the oscillator strength of the exciton transition in GaAs single quantum wells //Physics of the Solid State. — 2010. — Vol. 52, no. 9. — Pp. 1899–1905.54. Poltavtsev S. [et al.] Extremely low inhomogeneous broadening of excitonlines in shallow (In,Ga)As/GaAs quantum wells // Solid State Communications.
— 2014. — Vol. 199. — Pp. 47–51.55. Grigoryev P. S. [et al.] Excitons in asymmetric quantum wells //arXiv.org:1602.03720. — 2016.56. Khramtsov E. S. [et al.] Excitons in square quantum wells: microscopicmodeling and experiment // arXiv.org:1508.00480. — 2015.57.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
