Диссертация (1145326), страница 69
Текст из файла (страница 69)
411.355[240] Луцев Л.В., Яковлев С.В., Алексеев А.Г., Старостин А.П., Козырев C.В., Сборниктрудов XIX международной школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники", Москва, 28 июня - 2 июля 2004 г., c.444.[241] Луцев Л.В., Яковлев С.В., Алексеев А.Г., Старостин А.П., Козырев C.В., Сборниктрудов 1 Всероссийской конференции по наноматериалам, Москва, 16-17 декабря2004 г., с. 79.[242] Yakovlev S.V., Lutsev L.V., Zvonareva T.K., Alexeyev A.G., Starostin A.P., KozyrevS.V., Moscow International Symposium on Magnetism, MISM-2005, Books of Abstract,Moscow, 25-30 June 2005, p.
393.[243] Lutsev L.V., Yakovlev S.V., Zvonareva T.K., Alexeyev A.G., Starostin A.P., Kozyrev S.V.,Abstracts of Invited Lectures Contributed Papers, 7th Biennial International Workshop"Fullerenes and Atomic Clusters", IWFAC’2005 (St. Petersburg, Russia, June 27 - July1, 2005), p. 214.[244] Nikolaychuk G.A., Lutsev L.V., Yakovlev S.V., and Petrov V.V., Abstracts of theInternational Conference "Functional Materials, ICFM - 2007", Ukraine, Crimea,Partenit, October 1 - 6, 2007, p. 344.[245] Николайчук Г.А., Яковлев С.В., Луцев Л.В., Петров В.В., Цветкова Е.А., МорозО.Ю., Наквасина Е.Ю., Трифонов С.А., Материалы 18 Международной Крымскойконференции "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии", Севастополь,Крым, Украина, 8 - 12 сентября 2008 г., с.
579.[246] Николайчук Г.А., Петров В.В., Луцев Л.В., Цветкова Е.А., Мороз О.Ю., НаквасинаЕ.А., Сборник трудов XXI Международной конференции "Новое в магнетизме имагнитных материалах", Москва, 28 июня - 4 июля 2009 г., c. 491.[247] Nikolaychuk G.A., Lutsev L.V., Yakovlev S.V., Ivanov V.P., Nikiforov A.V., ProkhorovA.S., Zhukova E.S., Gorshunov B.P., Abstracts of the International Conference"Functional Materials, ICFM - 2009", Ukraine, Crimea, Partenit, October 5 - 10, 2009,p.
304.[248] Луцев Л.В., Николайчук Г.А., Петров В.В., Яковлев С.В., Нанотехника 2008, 2(14),с. 36.[249] Алексеев А.Г., Штагер Е.А., Козырев C.В., Физические основы технологии Stealth.ВВМ: Санкт-Петербург, 2007, 284 с.356[250] Алексеев А.Г., Старостин А.П., Яковлев С.В., Луцев Л.В., Козырев C.В., Патентна изобретение RU 222 8565 C1, Радиопоглощающее покрытие и способ его получения, от 19 декабря 2002 г.[251] Яковлев С.В., Луцев Л.В., Николайчук Г.А., Петров В.В., Алферов А.В., МилевскийН.П., Патент на изобретение RU 2363714 С2, Электромагнитное поглощающеепокрытие, от 19 сентября 2007 г.[252] Wolf S.A., Awschalom D.D., Buhrman R.A., Daughton J.M., von Molnar S., Roukes M.L.,Chtchelkanova A.Y., and Treger D.M., Science 2001, 294, 1488.[253] Schmidt G., J.
Phys. D: Appl. Phys. 2005, 38(7), R107.[254] Žutic̀ I., Fabian J., and Das Sarma S., Rev. Mod. Phys. 2004, 76(2), 323.[255] Захарченя Б.П. и Коренев В.Л., УФН 2005, 175(6), 629.[256] Bertacco R., Riva M., Cantoni M., Ciccacci F., Portalupi M., Brambilla A., Duo L.,Vavassori P., Gustavsson F., George J.-M., Marangolo M., Eddrief M., and Etgens V.H.,Phys. Rev. B 2004, 69(5), 054421.[257] Schmidt G., Richter G., Grabs P., Gould C., Ferrand D., and Molenkamp L.W., Phys.Rev.
Letters 2001, 87(22), 227203.[258] Ohno Y., Yong D.K., Beschoten B., Matsukura F., Ohno F., and Awschalom D.D., Nature1999, 402, 790.[259] Jonker B.T., Park Y.D., Bennett B.R., Cheong H.D., Kioseoglou G., and Petrou A., Phys.Rev. B 2000, 62(12), 8180.[260] Hirohata A., Xu Y.B., Guertler C.M., and Bland J.A.C., J. Appl. Phys. 2000, 87(9),4670.[261] Hirohata A., Xu Y.B., Guertler C.M., Bland J.A.C., and Holmes S.N., Phys. Rev.
B 2001,63(10), 104425.[262] Isakovic A.F., Carr D.M., Strand J., Schultz B.D., Palmstrøm C.J., and Crowell P.A.,Phys. Rev. B 2001, 64(16), 161304(R).[263] Xiong Z.H., Wu D., Vardeny Z.V., and Shi J., Nature 2004, 427, 821.[264] Hanbicki A.T., Jonker B.T., Istkos G., Kioseoglou G., and Petrou A., Appl. Phys. Lett.2002, 80(7), 1240.357[265] Zhu H.J., Ramsteiner M., Kostial H., Wassermeier M., Schönherr H.-P., and Ploog K.H.,Phys. Rev. Letters 2001, 87(1), 016601.[266] Hammar P.R., Bennett B.R., Yang M.J., and Johnson M., Phys. Rev.
Letters 1999, 83(1),203.[267] Hammar P.R. and Johnson M., Appl. Phys. Letters 2001, 79(16), 2591.[268] Jiang X., Wang R., Shelby R.M., Macfarlane R.M., Bank S.R., Harris J.S., and ParkinS.S.P., Phys. Rev. Letters 2005, 94(5), 056601.[269] Mattana R., George J.-M., Jaffres H., Nguyen Van Dau F., Fert A., Lepine B., GuivarchA., and Jezequel G., Phys.
Rev. Letters 2003, 90(16), 166601.[270] Jonker B.T., Kioseoglou G., Hanbicki A.T., Li C.H., and Thompson P.E., Nature Physics2007, 3(8), 542.[271] Baibich M.N., Broto J.M., Fert A., Nguyen Van Dau F., Petroff F., Etienne P., CreuzetG., Friederich A., and Chazelas J., Phys. Rev. Lett. 1988, 61(21), 2472.[272] Binasch G., Grunberg P., Saurenbach F., and Zinn W., Phys. Rev. B 1989, 39(7), 4828.[273] Bass J. and Pratt W.P.(Jr.), J.
Magn. Magn. Mater. 1999, 200(1-3), 274.[274] Gijs M.A.M. and Bauer G.E.W., Adv. Phys. 1997, 46(3/4), 285.[275] Moodera J.S., Kinder L.R., Wong T.M., and Meservey R., Phys. Rev. Lett. 1995, 74(16),3273.[276] Moodera J.S. and Mathon G., J. Magn. Magn. Mater. 1999, 200(1-3), 248.[277] Han X.-F. , Oogane M., Kubota H., Ando Y., and Miyazaki T., Appl. Phys. Lett. 2000,77(2), 283.[278] Tsymbal E.Y., Mryasov O.N., and LeClair P.R., J.
Phys.: Condens. Matter 2003, 15(4),R109.[279] De Teresa J.M., Barthelemy A., Fert A., Contour J.P., Montaigne F., and Seneor P.,Science 1999, 286, 507.[280] Parkin S.S.P., Kaiser C., Panchula A., Rice P.M., Hughes B., Samant M., and Yang S.-H.,Nature Materials 2004, 3, 862.[281] Yuasa S., Nagahama T., Fukushima A., Suzuki Y., and Ando K., Nature Materials 2004,3, 868.358[282] Yuasa S., Fukushima A., Kubota H., Suzuki Y., and Ando K., Applied Physics Letters2006, 89(4), 042505.[283] Tiusan C., Greullet F., Hehn M., Montaigne F., Andrieu S., and Schuhl A., J. Phys.:Condens. Matter 2007, 19(16), 165201.[284] Lee Y.M., Hayakawa J., Ikeda S., Matsukura F., and Ohno H., Applied Physics Letters2007, 90(21), 212507.[285] Samuilov V.A., Ksenevich V.K., Remenyi G., Kiss G., and Pödör B., Semicond.
Sci.Technol. 1999, 14(12), 1084.[286] Akinaga H., Mizuguchi M., Ono K., and Oshima M., Applied Physics Letters 2000, 76(3),357.[287] Sun Z.G., Mizuguchi M., Manago T., and Akinaga H., Applied Physics Letters 2004,85(23), 5643.[288] Akinaga H., Semicond. Sci. Technol. 2002, 17(4), 322.[289] Yokoyama M., Ogawa T., Nazmul A.M., and Tanaka M., J. Appl.
Phys. 2006, 99(8),08D502.[290] Akinaga H., De Boeck J., Borghs G., Miyanishi S., Asamitsu A., Van Roy W., TomiokaY., and Kuo L.H., Applied Physics Letters 1998, 72(25), 3368.[291] Schoonus J.J.H.M., Bloom F.L., Wagemans W., Swagten H.J.M., and Koopmans B.,Phys. Rev. Lett. 2008, 100(12), 127202.[292] Schoonus J.J.H.M., Kohlhepp J.T., Swagten H.J.M., and Koopmans B., J. Appl. Phys.2008, 103(7), 07F309.[293] Nordling J., Millen R.L., Bullen H.A., Porter M.D., Tondra M., and Granger M.C., Anal.Chem. 2008, 80(21), 7930.[294] Millen R.L., Nordling J., Bullen H.A., Porter M.D., Tondra M., and Granger M.C., Anal.Chem.
2008, 80(21), 7940.[295] Appelbaum I., Russel K.J., Monsma D.J., Narayanamurti V., Marcus C.M., Hanson M.P.,and Gossard A.C., Applied Physics Letters 2003, 83(22), 4571.[296] Appelbaum I. and Monsma D.J., Applied Physics Letters 2007, 90(26), 262501.[297] Russell K.J., Appelbaum I., Wei Yi, Monsma D.J., Capasso F., Marcus C.M.,Narayanamurti V., Hanson M.P., and Gossard A.C., Applied Physics Letters 2004, 85(19),4502.359[298] Lutsev L.V., Stognij A.I., Novitskii N.N., Shulenkov A.S., Solid State Phenomena 2011,168-169, 23.[299] Mathon J., Phys.
Rev. B 1997, 56(18), 11810.[300] Tsymbal E.Y. and Pettifor D.G., J. Phys.: Condens. Matter 1997, 9(30), L411.[301] Helman J.S. and Abeles B., Phys. Rev. Lett. 1976, 37(21), 1429.[302] Мейлихов Е.З., Раке Б., Ракото Х.,ЖЭТФ 2001, 119(5), 937.[303] Мейлихов Е.З., ЖЭТФ 2000, 117(6), 1136.[304] Gittleman J.I., Goldstein Y., and Bozowski S., Phys. Rev.
B 1972, 5(9), 3609.[305] Furubayashi T. and Nakatani I., J. Appl. Phys. 1996, 79(8), 6258.[306] Milner A., Gerber A., Groisman B., Karpovsky M., and Gladkikh A., Phys. Rev. Lett.1996, 76(3), 475.[307] Inoue J. and Maekawa S., Phys. Rev.B 1996, 53(18), R11927.[308] Mitani S., Takahashi S., Takanashi K., Yakushiji K., Maekawa S., and Fujimori H., Phys.Rev.
Lett. 1998, 81(13), 2799.[309] Mitani S., Fujimori H., and Ohnuma S., J. Magn. Magn. Mater. 1997, 165(1-3), 141.[310] Averin D.V. and Nazarov Yu.V., Phys. Rev. Lett. 1990, 65(19), 2446.[311] Takahashi S. and Maekawa S., Phys. Rev. Lett. 1998, 80(8), 1758.[312] Zhu T. and Wang Y.J., Phys. Rev.B 1999, 60(17), 11918.[313] Honda S., Okada T., Nawate M., and Tokumoto M., Phys. Rev.B 1997, 56(22), 14566.[314] Ge S.H., Zhang S.B., Chi J.H., Zhang Z.G., Li C.X., and Gan R.J., J.
Phys. D: Appl.Phys. 2000, 33, 917.[315] Sankar S., Dieny B., and Berkowitz A.E., J. Appl. Phys. 1997, 81(8), 5512.[316] Tsymbal E.Y. and Pettifor D.G., Phys. Rev. B 1998, 58(1), 432.[317] Bratkovsky A.M., Phys. Rev. B 1997, 56(5), 2344.[318] Ведяев А.В., Багрец Д.А., Багрец А.А., Диени Б., Сборник трудов XVII Международной школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники",Москва, 2000, с.622.360[319] Holdenried M., Hackenbroich B., and Micklitz H., J.