Диссертация (1145326), страница 66
Текст из файла (страница 66)
Ниже порога перколяции измерения ε дают информацию об изменениях размеров проводящих кластеров,которые могут изменяться под действием электрического поля и температуры. В сильныхэлектрических полях размеры кластеров растут вдоль направления электрического поля.Повышение температуры приводит к росту размера локализации КЭС и к увеличению340диэлектрической проницаемости. Наблюдалось уменьшение диэлектрической проницаемости, связанное с уменьшением количества дефектов в матрице и уменьшением размералокализации КЭС при отжиге.(11) Большие значения диэлектрических и магнитных потерь в гранулированных структурах позволяют их рассматривать в качестве эффективных поглощающих покрытий электромагнитных волн в СВЧ диапазоне. На основе проведенных исследований изготовлены многослойные тонкие широкополосные поглощающие покрытия, содержащие слои aC:H(Co,Ni), с поглощением не менее 10 dB падающего электромагнитного излучения вдиапазоне частот 8 - 80 GHz.
Разработанные радиопоглощающие покрытия обладают преимуществами перед покрытиями, основанными на ферритах – по толщине, весу и частотной широкополосности поглощения.(12) Электронный транспорт в гранулированных структурах с ферромагнитными металлическими наночастицами, который происходит посредством неупругого резонансноготуннелирования через цепочку слаборасщепленных локализованных состояний в матрице, приводит к максимуму магнитосопротивления при определенной концентрации наночастиц и отсутствию насыщения магнитосопротивления в сильных магнитных полях,что экспериментально подтверждено при исследовании на гранулированных пленках aSiO2 (Co,Nb,Ta).(13) В гетероструктурах SiO2 (Co)/GaAs, где SiO2 (Co) является гранулированной пленкойSiO2 с наночастицами Co, наблюдается эффект гигантского инжекционного магнитосопротивления (IMR).
Эффект IMR наблюдается как до развития лавинного процесса вполупроводнике, так и при лавинообразовании, имеет положительные значения и обладает температурно-пиковым характером. Температурная локализация эффекта зависит отконцентрации Co и может сдвигаться приложенным электрическим полем. Для гетероструктур SiO2 (Co)/GaAs с 71 at.% Co значение IMR достигает 1000 (105 %) при лавинномпроцессе в GaAs при комнатной температуре.(14) Установлено, что IMR-эффект связан с формированием спин-зависимого барьера,прозрачность и высота которого управляется магнитным полем. Спин-зависимый потенциальный барьер образуется благодаря обменному взаимодействию между электронами обогащенного слоя в полупроводнике и d-электронами Co.
Действие спин-зависимого потенциального барьера усиливается рассеянием электронов назад на обменно-расщепленныхуровнях квантовой ямы (обогащенного слоя), образованной в интерфейсной области полупроводника, и накоплением заряда в яме. Большие значения магнитосопротивления вгетероструктурах SiO2 (Co)/GaAs при лавинном процессе могут быть объяснены влияниембарьера на развитие ударной электронной ионизации. Наличие дырок в области барьерапри лавинном процессе формирует положительную обратную связь, благодаря чему малые341изменения высоты барьера приводят к значительным изменениям распределения потенциала и тока.
Показано существенное влияние локализованных электронных состояний вобогащенном слое на высоту барьера.342Литература[1] Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology; Ed. Nalwa H.S.; American ScientificPublishers: Valencia, CA, 2004; Vol. 1.[2] Handbook of Theoretical and Computational Nanotechnology; Eds. Rieth M., SchommersW.; Atomistic Simulations - Algorithms and Methods, Vol. 2; Quantum and MolecularComputing, and Quantum Simulations, Vol. 3; American Scientific Publishers: Valencia,CA, 2006.[3] Aбрикосов A.A., Горьков Л.П. и Дзялошинский И.E., Методы квантовой теорииполя в статистической физике; Физматгиз: Москва, 1962.[4] Лифшиц E.M., Питаевский Л.П.
Статистическая физика, Часть 2; Наука: Москва,1978, 448 с.[5] Mancini F., Avella A. Adv. Phys. 2004, 53, 537-768.[6] Demler E., Hanke W., Zhang S.-C. Rev. Mod. Phys. 2004, 76, 909-974.[7] Изюмов Ю.А., Кассан-оглы Ф.А., Скрябин Ю.Н. Полевые методы в теории ферромагнетизма; Наука: Москва, 1974, 224 с.[8] Vaks V.G., Larkin A.I., Pikin S.A. Sov. Phys.–JETP 1967, 26, 188.[9] Vaks V.G., Larkin A.I., Pikin S.A. Sov. Phys.–JETP 1967, 26, 647.[10] Hubbard J.
Proc. Roy. Soc. A 1963, 276, 238.[11] Hubbard J. Proc. Roy. Soc. A 1964, 277, 237.[12] Изюмов Ю.А., Скрябин Ю.Н. Статистическая механика магнитоупорядоченныхсистем; Наука: Москва, 1987, 264 с.[13] Zaitsev R.O. Sov. Phys.–JETP 1976, 43, 574.[14] Zaitsev R.O. Sov.
Phys.–JETP 1978, 48, 1193.[15] Westwanski B. Phys. Lett. A 1973, 44, 27-28.343[16] Maier T., Jarrell M., Pruschke T., Hettler M.H. Rev. Mod. Phys. 2005, 77, 1027-1080.[17] Kakehashi Y. Adv. Phys. 2004, 53, 497-536.[18] Batista C.D., Ortiz G. Adv. Phys. 2004, 53, 1-82.[19] Lutsev L.V. J. Phys. A: Math. Theor. 2007, 40, 11791-11814.[20] Lutsev L.V., Diagram technique for quantum models with internal Lie-group dynamics,in: Mathematical Physics Research Developments, Editor: Morris B.
Levy, (Nova SciencePublishers, Inc., 2009), pp. 141-188.[21] Виноградов A.M., Красильщик И.С., Лычагин В.В. Введение в геометрию нелинейных дифференциальных уравнений; Наука: Москва, 1986.[22] Vinogradov A. Cohomological Analysis of Partial Differential Equations and SecondaryCalculus, Translations of Mathematical Monographs, vol 204; American MathematicalSociety: Providence, RI, 2001.[23] Krasil’shchik J., Verbovetsky A. (1998). Homological Methods in Equations ofMathematical Physics. Preprint DIPS-7/98, http://diffiety.ac.ru[24] Steenrod N.E., Epstein D.B.A.
Cohomology Operations; Princeton University Press:Princeton, NY, 1962.[25] Kac V.G., Infinite dimensional Lie algebras; Cambridge University Press, NY, 1990.[26] Кац В.Г., Вертексные алгебры для начинающих; Издательство МЦНМО: Москва,2005.[27] Васильев A.Н. Функциональные методы в квантовой теории поля и статистике;Издательство Ленинградского университета: Ленинград, 1976, 296 с.[28] Назайкинский В.E., Стернин Б.Ю., Шаталов В.Е. Методы некоммутативного анализа; Техносфера: Москва, 2002, 336 с.[29] Dixmier J.
Algebres enveloppantes; Gauthier-Villars: Paris, 1974.[30] Goto M., Grosshans F. Semisimple Lie Algebras (Lecture Notes in Pure and AppliedMathematics) vol. 38; Marcel Dekker Inc.: New York, 1978.[31] Jacobson N. Lie Algebres; Wiley-Interscience: New York, 1962.[32] Kac V.G. Adv. Math. 1977, 26, 8-96.344[33] Griffiths P., Harris J. Principles of Algebraic Geometry; John Wiley and Sons: New York,1978.[34] Warner F.W. Foundations of Differentiable Manifolds and Lie Groups; Springer-Verlag:New York, 1983.[35] Springer G. Introduction to Riemann Surfaces; Chelsea: New York, 1981.[36] Lutsev L.V.
J. Phys.: Condens. Matter 2005, 17, 6057-6080.[37] Vedmedenko E.Y., Oepen H.P., Kirschner J. Phys. Rev. B 2003, 67, 012409.[38] Vedmedenko E.Y., Oepen H.P., Kirschner J. Phys. Rev. Lett. 2003, 90, 137203.[39] Ахиезер A.И., Барьяхтар В.Г., Пелетминский С.В. Спиновые волны; Наука: Москва,1967, 368 с.[40] Zubarev D.N. Nonequilibrium Statistical Thermodynamics; Plenum: New York, 1974.[41] Трев Ф. Введение в теорию псевдодифференциальных операторов и интегральныхоператоров Фурье. Псевдодифференциальные операторы. Т. 1; Мир: Москва, 1984,360 с.[42] Гуревич А.Г., Мелков Г.А. Магнитные колебания и волны; Наука: Москва, 1994,464с.[43] Гуревич А.Г. Магнитный резонанс в ферритах и антиферромагнетиках; Наука:Москва, 1973.[44] Луцев Л.В. ЖТФ 1995, 65(2), 41-54.[45] Soohoo R.F.
Magnetic Thin Films; New York: Harper and Row, 1965 .[46] Kalinikos B.A. and Slavin A.N. Journal of Physics C: Solid State Physics 1986, 19(35),7013.[47] Kalinikos B.A., Kozhus N.V., Kostylev M.P. and Slavin A.N. Journal of Physics C:Condensed Matter 1990, 2(49), 9861.[48] Linear and Nonlinear Spin Waves in magnetic films and superlattices, Ed. by M.G.Cottam, Singapore: World Scientific Publishing Co., 1994.[49] I.V. Rojdestvenski, M.G. Cottam, and A.N. Slavin, Phys. Rev.
B 1993, 48(17), 12768.[50] Зюзин А.М., Сабаев С.Н., Куляпин А.В., ФТТ 2003, 45(12), 2208.345[51] Guslienko K.Yu., Demokritov S.O., Hillebrands B., and Slavin A.N., Phys. Rev. B 2002,66(13), 132402.[52] Guslienko K.Yu. and Slavin A.N., Phys. Rev. B 2005, 72(1), 014463.[53] Grigorieva N.Yu. and Kalinikos B.A., Technical Physics 2009, 54(8), 1196.[54] Крупичка С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов; Т.1,2, Мир:Москва, 1973, 504 с.[55] Le Craw R.C.
and Spencer E.G. Journ. Phys. Soc. Japan 1962, 17 Suppl.B1, 401.[56] Kolokolov I.V, L’vov V.S. and Cherepanov V.B. Sov. Phys.-JETP 1984, 59(5), 1131.[57] Yakovlev Yu.M., Rubal’skaya E.V., Godes L.G., Lapovok B.L. and Bushueva T.N. Sov.Phys. Solid State 1971, 13(4), 1151.[58] Anisimov A.N., Shukyurov A.S., Gurevich A.G. and Emiryan L.M.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
