Диссертация (1143983), страница 16
Текст из файла (страница 16)
– No. 3. – P. 342-347. – P. 342-347.22.Takamizawa, H. Large capacitance multilayer ceramic capacitor / H. Takamizawa,K. Utsumi, M. Yonezawa, T. Ohno // IEEE Transactions on Components, Hybrids, andManufacturing Technology. – 1981. – Vol. 4. – No. 4. – P. 345-349.23.SMD Multilayer Ceramic Chip Capacitors. X7R Dielectric, 6.3 – 250 VDC(Commercial Grade) [Электронный ресурс] / KEMET Corporation. – Режим доступа:http://www.kemet.com/Lists/ProductCatalog/Attachments/53/KEM_C1002_X7R_SMD.pdf12024.Плетнев, П.
М. Современные керамические материалы функциональногоназначения / П. М. Плетнев. – Новосибирск: Изд-во СГУПСа, 2010. – 190 с.25.Мурашкевич, А. Н. Химическая технология материалов и изделийэлектронной техники: электронный конспект лекций для студентов специальности1-48 01 01 "Химическая технология неорганических веществ, материалов иизделий" специализации 1-48 01 01 13 "Химическая технология квантовой итвердотельной электроники".
Раздел I: Физико-химические основы и технологияэлектронной керамики / А. Н. Мурашкевич. – Минск: БГТУ, 2013. – 297 с.26.Поляков, А. А. Технология керамических радиоэлектронных материалов / А.А. Поляков. – М.: Радио и связь, 1989. – 200 с.27.Wang, S. F. Dielectric Properties of Fine‐Grained Barium Titanate Based X7RMaterials / S. F. Wang, G.
O. Dayton // Journal of the American Ceramic Society. – 1999.– Vol. 82. – No. 10. – P. 2677-2682.28.Дмитриева, А. В. Оптимизация технологии приготовления литьевыхшликеров для внутренних электродов многослойных керамических конденсаторов[Электронный ресурс]: магистерская диссертация: 22.04.01 / А. В. Дмитриева;СПбПУ Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта;науч.
рук. В. П. Пышков. СПб, 2016. URL: http://doi.org/10.18720/SPBPU/2/v16-303629.Панич, А. Е. Физика и технология сегнетокерамики / А. Е. Панич, М. Ф.Куприянов. – Ростов н/Д: Изд-во Ростовского ун-та, 1989. – 180 с.30.Hennings, D. F. K. Dielectric materials for sintering in reducing atmospheres / D.F. K.
Hennings // Journal of the European Ceramic Society. – 2001. – Vol. 21. – No. 1011. – P. 1637-1642.31.Haertling, G. H. Ferroelectric ceramics: history and technology / G. H. Haertling //Journal of the American Ceramic Society. – 1999. – Vol. 82. – No. 4. – P. 797-818.32.Chen, G. F. Low firing Y5V relaxor multilayer ceramic capacitors / G. F. Chen, S.L. Fu // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. –1989.
– Vol. 12. – No. 1. – P. 91-95.12133.Chen, G. F. Low firing Z5U relaxor multilayer ceramic capacitor / G. F. Chen, S.L. Fu // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology. –1988. – Vol. 11. – No. 4. – P. 600-603.34.Yonezawa M. New Low-Firing materials for multilayer capacitors / M. Yonezawa// Ferroelectrics. – 1986.
– Vol. 68. – No. 1. – P. 181-189.35.Kishi, H. Occupational sites and dielectric properties of rare-earth and Mnsubstituted BaTiO3 / H. Kishi, N. Kohzu, Y. Iguchi, J. Sugino, M. Kato, H. Ohsato, T.Okuda // Journal of the European Ceramic Society. – 2001. – Vol. 21. – No. 10-11. – P.1643-1647.36.Alam, M. A. Economics of rare earth elements in ceramic capacitors / M. A.
Alam,L. Zuga, M. G. Pecht // Ceramics International. – 2012. – Vol. 38. – No. 8. – P. 60916098.37.Sakabe, Y. Effects of rare-earth oxides on the reliability of X7R dielectrics / Y.Sakabe, Y. Hamaji, H. Sano, N. Wada // Japanese Journal of Applied Physics. – 2002. –Vol. 41. – No. 9R. – P. 5668.38.Lu, D. Y. A novel high-k ‘Y5V’barium titanate ceramics co-doped with lanthanumand cerium / D.
Y. Lu, X. Y. Sun, M. Toda // Journal of Physics and Chemistry of Solids.– 2007. – Vol. 68. – No. 4. – P. 650-664.39.Lu, D. Y. Novel X7R BaTiO3 ceramics co-doped with La3+ and Ca2+ ions / D. Y.Lu, Y. Yue, X.Y. Sun // Journal of Alloys and Compounds. – 2014. – Vol. 586. – P. 136141.40.Wang, Y. Phase composition, microstructure, and dielectric properties ofdysprosium-doped Ba(Zr0.1Ti0.9)O3-based Y5V ceramics with high permittivity / Y.Wang, B. Cui, L. Zhang, Z. Hu, Y.
Wang // Ceramics International. – 2014. – Vol. 40. –No. 8. – P. 11681-11688.41.Lu, D. Y. Defect chemistry of a high-k ‘Y5V’ (Ba0.95Eu0.05)TiO3 ceramic / D.Y.Lu, L. Zhang, X. Y. Sun // Ceramics International. – 2013. – Vol. 39. – No. 6. – P. 63696377.12242.Qi, J. Doping behavior of ytterbium oxide in Ba(Ti 1−yZry)O3 dielectric ceramics /J. Qi, Z. Gui, Y. Wang, Q. Li, T. Li, L.
Li // Journal of Materials Science Letters. – 2002.– Vol. 21. – No. 5. – P. 405-406.43.Saito, H. X7R multilayer ceramic capacitors with nickel electrodes / H. Saito, H.Chazono, H. Kishi, N. Yamaoka // Japanese Journal of Applied Physics. – 1991. – Vol.30. – No. 9S. – P. 2307-2310.44.Kim, H. D. Dielectric and electrical properties of a X7R multilayer ceramiccapacitor / H. D. Kim, J. T. Song // Journal of Ceramic Processing Research.
– 2011. –Vol. 12. – No. 3. – P. 322-326.45.Bultitude, J. Miniaturization of High Voltage BME X7R Multi-Layer CeramicCapacitors for use in Automotive Applications [Электронный ресурс] / J. Bultitude, J.Magee, L. Jones, B. Xu, C. Antoniades, R. Phillips,A. Gurav. – Режим доступа:https://www.digikey.com/en/pdf/k/kemet/miniaturization-high-voltage-bme-x7r-mlcc46.Bultitude, J. Application Considerations for High Voltage BME Multi-LayerCeramic Capacitors [Электронный ресурс] / J.
Bultitude, J. Magee, M. Laps, C. Nender,L.Jones,B.Sloka,A.Gurav.–Режимдоступа:http://www.kemet.com/ProductCatalog%20Documents/TestPDF1%202%20June.pdf47.Nair, K. M. Ceramic Materials and Multilayer Electronic Devices / K. M. Nair, A.S. Bhalla, S.-I. Hirano, D. Suvorov, R. W. Schwartz, W. Zhu. – Westerville: WileyAmerican Ceramic Society, 2004. – 496 p.48.Multilayer Ceramic Chip Capacitors. CF Series [Электронный ресурс] / KyoceraCorporation.–Режимдоступа:https://global.kyocera.com/prdct/electro/product/capacitor/ceramic/cf.html49.Boser, O.
High frequency behavior of ceramic multilayer capacitors / O. Boser, V.Newsome // IEEE Transactions on Components, Hybrids, and ManufacturingTechnology. – 1987. – Vol. 10. – No. 3. – P. 437-439.50.LW Reversed Low ESL Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose[Электронный ресурс] / Murata Manufacturing Co., Ltd. – Режим доступа:https://psearch.en.murata.com/capacitor/lineup/lll/12351.AVX Low Inductance Capacitors [Электронный ресурс] / AVX Corporation. –Режимдоступа:https://www.mouser.com/catalog/supplier/library/pdf/AVXLowInductanceCaps.pdf52.3 Terminals Low ESL Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose[Электронный ресурс] / Murata Manufacturing Co., Ltd.
– Режим доступа:https://psearch.en.murata.com/capacitor/lineup/nfm/53.Togashi, M. ESR Control Multilayer Ceramic Capacitors [Электронный ресурс]/M.Togashi.–Режимдоступа:https://product.tdk.com/en/products/emc/guidebook/eemc_product_02.pdf54.Желудев, И. С. Основы сегнетоэлектричества / И. С. Желудев. – М.:Атомиздат, 1973. – 472 с.55.Coondoo, I.
Ferroelectrics / I. Coondoo. – Rijeka: InTech, 2010. – 450 p.56.Борисова, М. Э. Физика диэлектриков. Физические основы активныхдиэлектриков: учеб. пособие / М. Э. Борисова. – СПб: Изд-во Политехн. ун-та, 2014.–120 с.57.Поплавко, Ю. М. Физика активных диэлектриков: учеб. пособие / Ю. М.Поплавко, Л.
П. Переверзева, И. П. Раевский. – Ростов н/Д: Изд-во ЮФУ, 2009. –480 с.58.Gonzalo, J. A. Ferroelectricity: The Fundamentals Collection / J. A. Gonzalo, B.Jimenez. – Weinheim: Wiley-VCH, 2005. – 194 p.59.Lallart, M. Ferroelectrics – Physical effects / M. Lallart. – Rijeka: InTech, 2011. –654 p.60.Setter, N. Ferroelectric Ceramics: Tutorial reviews, theory, processing, andapplications / N. Setter, E. L.
Colla. – Basel: Birkhäuser Basel, 1993. – 383 p.61.Барфут, Д. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений / Пер. с англ.Н. Р. Иванова. – М.: Мир, 1970. – 352 с.62.Смоленский, Г. А. Физика сегнето-электрических явлений / Г. А.Смоленский, В. А. Боков, И. А.
Исупов и др. – Л.: Наука, 1985. – 396 с.63.Смоленский, Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А.Смоленский, Н. Н. Крайник. – М.: Наука, 1968. – 184 с.12464.Сидоркин, А. С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственныхматериалах / Сидоркин А. С. – М.: Физматлит, 2000. – 239 с.65.Барфут, Дж. Полярные диэлектрики и их применения / Дж. Барфут, Дж.Тейлор; пер.
с англ. под ред. Л. А. Шувалова. – М.: Мир, 1981. – 526 с.66.Иона, Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы: Пер. с англ. / Ф. Иона, Д. Ширане.– М.: Мир, 1965. – 555 с.67.Струков, Б. А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений вкристаллах: учеб. пособие для вузов. / Б. А. Струков, А. П. Леванюк. – М.: Наука.Физматлит, 1995. – 301 c.68.Лайнс, М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М.
Лайнс, А.Гласс. – М.: Мир, 1981. – 736 с.69.Поплавко, Ю. М. Физика диэлектриков: учеб. пособие для вузов / Ю. М.Поплавко. – Киев: Вища школа, 1980. – 400 с.70.Борисова, М. Э. Физика диэлектриков: учеб. пособие / М. Э. Борисова, С. Н.Койков. – Л.: Изд-во ЛГУ, 1979. – 240 с.71.Ландау, Л.
Д. Теоретическая физика: в 10 т.: учеб. пособие для физ.специальностей вузов. Т. 8: Электродинамика сплошных сред / Л. Д. Ландау, Е. М.Лифшиц. – М.: Физматлит, 2001. – 651 с.72.Рабе, К. М. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд / К. М. Рабе, Ч.Г. Ан, Ж.-М. Трискон.
– М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. – 440 с.73.Холоденко, Л. П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типатитаната бария / Л. П. Холоденко. – Рига: Зинатне, 1971. – 227 с.74.Lallart, M. Ferroelectrics: Characterization and Modeling / M. Lallart. – Rijeka:InTech, 2011. – 586 p.75.Johnson, K.
M. Variation of dielectric constant with voltage in ferroelectrics andits application to parametric devices / K. M. Johnson // Journal of Applied Physics. –1962. – Vol. 33. – No. 9. – P. 2826-2831.76.Qiu, J. Dielectric tunability transition in Ba0.6Sr0.4TiO3-based capacitors / J. Qiu, G.Liu, J.
Sakai, F. Gervais, J. Wolfman //Journal of Applied Physics. – 2011. – Vol. 110. –No. 6. – P. 064114.12577.Curecheriu, L. P. Nonlinear dielectric properties of Ba1−xSrxTiO3 ceramics / L. P.Curecheriu, L. Mitoseriu, A. Ianculescu // Journal of Alloys and Compounds. – 2009. –Vol. 482. – No. 1-2.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
