Автореферат (1143796), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

На основе полученных результатов можно сделатьследующие выводы:1. Морфология и шероховатость поверхности фоторезистивных слоевзависит от их состава и режимов термообработки. Показано, что наименьшаяшероховатость поверхности достигается для фоторезиста марки ФП 4-04,подвергнутого двухступенчатой термообработке при температурах 90 и 120ºС, и составляет 0,3 нм;2. Экспериментально изучено влияние конструкции реакционныхкамер, способа возбуждения ВЧ разряда и технологических параметровпроцессов травления на скорость роста и шероховатость поверхноститравления фоторезистивных слоев. Показано, что наибольшее влияние нашероховатость поверхности травления оказывает ее бомбардировказаряженными частицами плазмы.

Выявлено, что плазмохимическоетравление в установках с удаленной кислородной плазмой обеспечиваетлучший контроль скорости травления и минимальную шероховатостьповерхности.193. Получены новые знания о физико-химических закономерностяхплазмохимического травления фоторезистивных слоев в установках судаленной плазмой, включающие данные о характере влияния основныхтехнологических параметров процесса на скорость травления ишероховатость поверхности обрабатываемых фоторезистивных слоев.Показано, что удаление обрабатываемых образцов с нанесеннойфоторезистивной пленкой от области генерации ВЧ разряда сопровождаетсямонотонным уменьшением скорости травления при сохранении низкойшероховатости поверхности. Определены оптимальные условия проведенияпроцесса травления, обеспечивающие скорость травления в диапазоне 4-10нм/мин, позволяющие с высокой точностью достигать заданной толщиныфоторезистивной пленки при сохранении низкой шероховатости поверхности(0,2-0,3 нм).4.

Установлено, что изменения в скорости травления фоторезистивныхслоев при варьировании технологическими параметрами процессакоррелируютссоответствующимиизменениямиотносительныхинтенсивностей эмиссионных линий атомарного кислорода, что позволяетпредположить определяющую роль этого компонента при травлениифоторезистивных слоев.5.

Разработанная технология "подгонки" толщины фоторезистивногослоя за счет применения плазмохимического травления в установке судаленной плазмой опробована в процессе изготовления опытных партийвысокочастотногопереключателярезистивно-емкостноготипасэлектростатическим приводом. Результаты испытаний созданных приборовсвидетельствуют о высокой эффективности разработанной технологии,заключающейся в возможности контроля скорости травления с высокойточностью и предельно низкой шероховатости обрабатываемой поверхности.Публикации по теме диссертации1. Спешилова А.Б., Александров С.Е., Соловьев Ю.В., Еремейчик О.И.Исследование морфологии поверхности пленок фоторезистов методамиатомно-силовой микроскопии для примененийв микросистемнойтехнике//Научно-технические ведомости СПбГТУ, №4, 2006, с.

105-1092. Александров С.Е., Спешилова А.Б., Соловьев Ю.В., Еремейчик О.И.Исследование влияния различных режимов термической и плазмохимическойобработки на морфологию поверхности фоторезистивных пленок методамиатомно-силовой микроскопии // Мат. Χ Всеросс. Конф. по проблемам науки и20высшей школы, «Фунд. Исслед. в техн. университетах», 2006г.

Изд.: СПб, издво Политехнического университета. c.3273. Александров С.Е., Спешилова А.Б., Соловьев Ю.В., Еремейчик О.И.,Волков В.В. Исследование методами атомно-силовой микроскопии морфологииповерхности пленок фоторезистов // Мат. Третьей всеросс. конф. Химияповерхности и нанотехнология, СПб 24 сент. - 01 окт., 2006, с.207-2084. S.E. Alexandrov, A.B. Speshilova, Y.V.

Soloviev and O.I. Eremeychik AFMInvestigation of Thin Post-Baked Photoresistive Films for Microsystem TechnologyApplication // Semiconductors Vol. 41, No. 4, 2007 p. 469-4725. Ю.В. Соловьев, В.В. Волков, С.Е. Александров, А.Б. СпешиловаМЭМС-переключатель резистивно-емкостного типа // Нано- и микросистемнаятехника, №7, 2007, с. 65-686. А.Б. Спешилова, С.Е. Александров, Л.А. Филатов. Плазмохимическоетравление тонких фоторезистивных слоев // Научно-технические ведомостиСПбГТУ, №2, 2008, с. 107-1127.

A.B. Speshilova, Y.V. Solov`ev, S.E. Alexandrov Plasma chemical etchingof photoresist layers based on diazonaphthoquinones in an installation with remoteoxygen plasma // Russian Journal of Applied Chemistry Vol. 89, No. 8, 2016 p.1317-1321 DOI: 10.1134/S107042721608016421.

Характеристики

Список файлов диссертации