Автореферат (1143287), страница 9
Текст из файла (страница 9)
122–123.115. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Саенко А.В., Буй Т.Х., Бондарчук Д.А. Расчеттермических напряжений в структурах пленка-сапфир в программе ANSYS // НШ «Синхротронные и нейтронные исследования». – Москва, 2017. – С. 27–28.116. Klunnikova Yu.V. Mechanism of Defects Formation in Sapphire Crystals // RACIRISummer School. – Sweden, 2017. – P. 35.40117. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Чередниченко Д.И., Саенко А.В. Исследованиеначальной стадии процесса роста кристаллов сапфира // ВНК «Математическое моделирование и биомеханика в современном университете».
– Ростов-на-Дону, 2017. – С. 68.118. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V., Cherednichenko D.I. Investigation of Shape FactorInfluence on Sapphire Crystal Quality // Physics and Mechanics of New Materials and TheirApplications: Conf. – India, 2017. – P. 143–144.119. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V., Sayenko A.V., Sarychev D.A., Kitaev V.V. Investigation of Iron Oxide Film on Sapphire Substrate // Physics and Mechanics of New Materials andTheir Applications: Conf. – India, 2017. – P.
114.120. Клунникова Ю.В., Малюков С.П. Управление процессом кристаллизации сапфира вростовых установках нового поколения// Проблемы автоматизации. Региональное управление. Связь и автоматика: ВНК. – Геленджик, 2017. – С. 46–49.121. Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P., Sayenko A.V., Tolstunov M.I. Investigation of Titanium Oxide Film on Sapphire Substrate for Gas Sensor// OPEN 2018: International School andConference. – St. Petersburg, 2018. – P. 75–76.122. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Тимощенко Д.В.
Использование современныхинформационных технологий при изучении структуры кристаллов // Современные информационные технологии: тенденции и перспективы развития: ВНК. – Ростов-на-Дону,2018. – С. 95–96.123. Клунникова Ю.В. Исследование отжига пленок оксида железа лазером на подложкахсапфира // Актуальные проблемы микро- и наноэлектроники: ВНК. – Уфа, 2018. – С. 74.124.
Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P., Krayushkin V.A. Investigation of Oxide Films onSapphire Substrate // Physics and Mechanics of New Materials and Their Applications: Conf. –Rep. of Korea, 2018. – P. 205–206.125. Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P., Timoshchenko D.V. Investigation of Growth and Processing Parameters Influence on Sapphire Properties // Physics and Mechanics of New Materials and Their Applications: Conf. – Rep.
of Korea, 2018. – P. 206–207.126. Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P., Gukov B.M. Research of Thermoelastic Stresses inSapphire Substrates // Physics and Mechanics of New Materials and Their Applications: Conf.– Rep. of Korea, 2018. – P. 205.127. Саенко А.В., Малюков С.П. Клунникова Ю.В.
Численная модель лазерного отжигапленки аморфного кремния // XIX Всероссийская конференция молодых ученых по математическому моделированию и информационным технологиям. Кемерово, 2018. – С.40-41.128. Клунникова Ю.В., Аникеев М.В. Применение методов машинного обучения дляпрогнозирования поведения дефектной структуры кристаллов сапфира // IV форум смеждународным участием «Новые материалы и перспективные материалы». – Т.3 –Москва, 2018.
– С. 147-148.В публикациях в соавторстве лично автору принадлежат: в [19, 26, 52, 55, 63, 86,128] – модель оптимизации ТП роста и обработки сапфира; в [10, 17, 18, 34, 42–48, 50, 62,76, 79, 82, 84, 104, 115, 120] – создание алгоритмов и программ расчета параметровполучения и обработки сапфира; в [7, 9, 12, 14-16, 20, 22, 25, 30, 32, 33, 53, 54, 56–57, 65–69, 71, 72, 74, 75, 78, 85, 96, 97, 102, 104, 105, 106, 109, 110, 112, 117, 118, 122, 124] –математические модели роста и обработки сапфира; в [11, 13, 23, 24, 28, 29, 31, 35-37, 40,49, 51, 59, 60, 64, 70, 73, 77, 80, 81, 87–93, 95, 100, 108, 111, 113, 114, 121, 125-126] –проведение эксперимента и экспериментальные результаты по исследованию; в [6, 8, 21,27, 38, 39, 41, 58, 61, 83, 99, 101, 107, 119, 127] – физико-технологические основыизготовления изделий из сапфира; в [1-5, 94, 98, 116, 123] – единоличное авторство вработах..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
