Автореферат (1143287), страница 8
Текст из файла (страница 8)
семинара. – Ростов-на-Дону, 2012. – С. 157–161.58. Клунникова Ю.В., Куликова И.В. Разработка методики моделирования полупроводниковых элементов // Проблемы автоматизации. Региональное управление. Связь и автоматика: ВНК. – Геленджик, 2012. – С. 59–61.59. Малюков С.П., Куликова И.В., Клунникова Ю.В. Исследование тепловых процессовпри получении сапфира в ростовом оборудовании // Проблемы автоматизации.
Региональное управление. Связь и автоматика: тезисы докл. Всерос. конф. – Геленджик, 2012.– С. 50–52.60. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Исследование тепловых полей на процесс образования дефектов в сапфире // Миссия молодежи в науке: тезисы докл. Всерос. конф. –Ростов-на-Дону, 2012.
– С.97–98.61. Клунникова Ю.В., Куликова И.В., Саенко А.В. Разработка программного обеспеченияимитации процессов p-n переходов // Информационные технологии, системный анализ иуправление: ВНК. – Таганрог, 2012. – Т.2. – С. 161–164.62. Клунникова Ю.В., Куликова И.В., Саенко А.В. Разработка программного обеспеченияимитации процессов лазерной обработки // Информационные технологии, системныйанализ и управление: ВНК.
– Таганрог, 2012. – Т.3. – С. 159–161.63. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Куликова И.В., Саенко А.В. Разработка критериевоптимизации производства изделий из сапфира // Информационные технологии, системный анализ и управление: ВНК. – Таганрог, 2012. –T.1. – С. 74–75.64.
Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Бондарчук Д.А., Буй Т.Х. Исследование керамикидля создания средств с повышенными защитными свойствами // НК «Наука настоящего ибудущего». – С.-Петербург, 2016. – С. 325–326.65. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Математическая модель тепловых и термоупругихпроцессов при формировании кристаллов сапфира // Современные информационныетехнологии: тенденции и перспективы развития: тезисы докл. Всерос.
конф. – Ростов-наДону, 2013. – С. 232–233.66. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Численное исследование влияния температурныхполей на качество монокристаллов сапфира // Микроэлектроника и информатика: тезисыдокл. ВНК. – Москва, 2013. – С. 142.3767. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V. Complex Investigations of Sapphire Crystals Production// Physics and Mechanics of New Materials and Underwater Applications: International Symposium. – Kaohsiung, 2013. – pp. 58–59.68. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V., Minenkov D.V.
Simulation of Temperature Fields Distribution in the Sapphire Crystals for Defects Diagnostic // Proceedings of the IEEE Russia(North West Section). – vol. 5, 2013. – pp. 2–4.69. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В., Буй Т.Х. Численное моделированиетермоупругих напряжений при лазерной резке сапфира // ВНК «Математическое моделирование и биомеханика в современном университете».
– Ростов-на-Дону, 2016. – С. 69.70. Клунникова Ю.В., Куликова И.В. Исследование влияния режимов работы лазера натемпературное поле в обрабатываемой полупроводниковой структуре // Перспективныеразработки науки и техники: IX МНК. – Польша, 2013. – С. 13–15.71. Клунникова Ю.В., Кириллова Е.В., Малюков С.П., Саенко А.В., Буй Т.Х. Исследование влияния термоупругих напряжений в сапфире // ВНК «Математическое моделирование и биомеханика в современном университете» – Ростов-на-Дону, 2016.
– С. 66.72. Клунникова Ю.В., Куликова И.В., Бакай А.Е. Моделирование роста кристаллов сапфира методом Киропулоса // Фестиваль Недели науки Юга России. Материалы НК. –Ростов-на-Дону, 2013. – Т.1. – С. 416–417.73. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V. Investigations of defects formation on different stages ofsapphire crystals growth // Saint-Petersburg OPEN 2014: International School and Conference.– St. Petersburg, 2014. – pp. 127–128.74. Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P. Numerical Simulation of the Two-phase Stefan Problemfor Material Solidification // Intern. Symp.
– Khon Kaen, 2014. – P. 47.75. Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P., Parinov I.A. Simulation of Defects Formation in Sapphire Crystals Growth Process // Intern. Symp. – Khon Kaen, 2014. – pp. 48–49.76. Клунникова Ю.В., Куликова И.В. Разработка программного обеспечения для проведения численного эксперимента в научных и образовательных проектах // Современныеинформационные технологии: тенденции и перспективы развития: ВНК. – Ростов-наДону, 2014.
– С. 243–244.77. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В. Лазерная обработка сапфира для микро- и наноэлектроники // Труды МНК «Нанотехнологии в электронике и МЭМС». – Таганрог, 2014. – С. 18–19.78. Клунникова Ю.В., Саенко А.В., Буй Т.Х. Численное моделирование распределениятемпературы в структуре пленка-сапфир при лазерном воздействии // 12-я КурчатовскаяНШ.
– Москва, 2014. – С. 188.79. Клунникова Ю.В., Борисенко И.О. Разработка базы знаний экспертной системы дляполучения монокристаллов кремния // Проблемы автоматизации. Региональноеуправление. Связь и автоматика: тезисы докл. Всерос. конф. – Геленджик, 2014. – С. 30–32.80. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В., Бондарчук Д.А., Мишнев В.Д.Исследование спая на основе сапфира и стекловидного диэлектрика // МНК «Science andcivilization». – Sheffield, 2015.
– P. 74–76.81. Клунникова Ю.В., Саенко А.В., Малюков С.П. Исследование пленок на сапфире привоздействии лазера // Миссия молодежи в науке: тезисы докл. Всерос. конф. – Ростов-наДону, 2015. – С.148–151.82. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Приступчик Н.К., Куликова И.В. Разработка программного обеспечения имитации формирования дефектов в процессе роста сапфира //Информационные технологии, системный анализ и управление: тезисы докл. Всерос.конф.
– Таганрог, 2014. – С. 203–205.3883. Клунникова Ю.В., Саенко А.В., Бондарчук Д.А. Разработка тонкопленочных структурс использованием лазерных технологий // Информационные технологии, системный анализ и управление: ВНК. – Таганрог, 2014. – С. 12–15.84. Приступчик Н.К., Куликова И.В., Клунникова Ю.В., Занько В.Э., Савостьянова А.И.Методика моделирования цифро-аналоговых преобразователей на основе резисторныхматриц // ВНК. – Таганрог, 2014.
– С. 243–245.85. Малюков С.П., Клунникова Ю.В, Буй Т.Х. Использование системы ANSYS для моделирования процесса лазерной обработки структуры пленка-сапфира // ВНК. – Ростов-наДону, 2015. – С. 354–355.86. Малюков С.П., Клунникова Ю.В. Оптимизация производства отечественного сапфира// Современная электроника. – № 6.
– 2015. – С. 24–31.87. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V., Sayenko A.V. Study of Film Properties on SapphireSurface // International Symposium. – Azov, 2015. – P. 159.88. Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P. Study of the Bubbles Ascent Dynamics in the SapphireGrowth Process // International Symp. – Azov, 2015. – P.
132.89. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V., Bui T.H. Model Development of Inorganic Glassy Dielectric Laser Proccessing // Intern. Symp. – Azov, 2015. – P. 158.90. Malyukov S.P., Klunnikova Yu.V., Saenko A.V., Bondarchuk D.A. Features of GlassyDielectric and Sapphire Juncture Formation // Intern. Symp.
– Azov, 2015. – P. 160.91. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В., Бондарчук Д.А., Мишнев В.Д. Исследование спая на основе сапфира и стекловидного диэлектрика // XI МНК «Будущие исследования – 2015». – София, 2015. – С. 48–50.92. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Бондарчук Д.А. Исследование спая на основекремния и стекловидного диэлектрика // VII ВНК с международным участием «Россиямолодая». – Кемерово, 2015.93. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В.
Экспериментальные исследованиялазерного отжига пленок на поверхности сапфира // НШ «Синхротронные и нейтронныеисследования». – Москва, 2015. – С. 51.94. Клунникова Ю.В. Математическое моделирование процессов роста кристаллов сапфира // XII ВНК «Физико-химия и технология неорганических материалов». – М.: ИМЕТРАН, 2015. – С. 154–155.95.
Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В., Бондарчук Д.А. Исследование процесса лазерного отжига спая на основе керамики и стекловидного диэлектрика // НК«NanoTech-2015». – Таганрог, 2015. – С. 21–22.96. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Кириллова Е.В., Буй Т.Х. Моделирование распределения напряжений и деформаций при лазерной обработке сапфира методом конечныхэлементов // МНК «Инновационные технологии в науке и образовании». – Ростов-наДону, 2015. – С. 558–560.97. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Буй Т.Х. Расчет механических напряжений методом конечных элементов при лазерной обработке сапфира // МНК «Сотрудничествостран БРИКС для устойчивого развития».
– Ростов-на-Дону, 2015. – С. 175–177.98. Клунникова Ю.В. Разработка программного обеспечения для моделирования различных стадий роста кристаллов сапфира // Проблемы автоматизации. Региональное управление. Связь и автоматика: ВНК. – Геленджик, 2015. – С. 140–142.99. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В., Бакай А.Е. Система поддержки принятия решения лазерного управляемого термораскалывания сапфира // Проблемы автоматизации. Региональное управление. Связь и автоматика: тезисы докл.
Всерос. конф. –Геленджик, 2015. – С. 146–148.39100. Клунникова Ю.В., Палий А.В., Замков Е.Т. Исследование влияния формы выступана поверхности радиатора на температуру теплонагруженного источника // МНК «Наукаи современность». – Уфа, 2015. – С. 112–114.101.
Клунникова Ю.В., Палий А.В., Замков Е.Т. Зависимость температуры теплонагруженного источника от его расположения в теле радиатора // МНК «Наука и современность». – Ч.2. – Уфа, 2015. – С. 111–112.102. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В. Разработка численной модели лазерного управляемого термораскалывания сапфира // МНК «Наука и современность». – Ч.2.– Уфа, 2015. – С. 101–103.103. Клунникова Ю.В., Малюков С.П. Методика расчета внутренних термоупругихнапряжений в процессе роста кристаллов сапфира // Информационные технологии, системный анализ и управление: ВНК.
– Таганрог, 2015. – С. 145–147.104. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Бондарчук Д.А. Исследование лейкосапфира длясоздания средств защиты // Микроэлектроника и информатика: тезисы докл. Всерос.конф. – Зеленоград, 2016. – С. 44.105. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В. Моделирование распределения носителей заряда в солнечном элементе на основе TiO2 // Микроэлектроника и информатика:ВНК. – Зеленоград, 2016. – С. 134.106. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В., Буй Т.Х., Бондарчук Д.А.
Исследование термоупругих напряжений при лазерной обработке пластин сапфира с помощьюANSYS // Современные информационные технологии: тенденции и перспективы развития: ВНК. – Ростов-на-Дону, 2016. – С. 152–153.107. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Бондарчук Д.А. Разработка и исследование структуры пленка-сапфир // Новые материалы: тезисы докл. научного форума. – Сочи, 2016.
–С. 258–259.108. Клунникова Ю.В., Малюков С.П., Саенко А.В., Бондарчук Д.А. Разработка структуры керамика-стекловидный диэлектрик для элементов микроэлектроники // НК«NanoTech-2015». – Таганрог, 2015. – С. 99–100.109. Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P., Nackenhorst U. Simulation of Sapphire CrystalGrowth Temperature Distribution with the Temperature-Dependent Thermal Conductivity Coefficient // Intern. Symp. – Indonesia, 2016. – P. 154–155.110.
Klunnikova Yu.V., Malyukov S.P., Nackenhorst U. Study of the Internal Thermal Stressesduring Sapphire Crystals Growth // Symp. – Indonesia, 2016. – P. 155.111. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Бондарчук Д.А. Создание защитных покрытий наоснове сапфира // Курчатовская НШ. – Москва, 2016. – С. 115.112. Клунникова Ю.В., Малюков С.П. Математическое моделирование процесса ростакристаллов сапфира из расплава // 1-й Российский кристаллографический конгресс.
–Москва, 2016. – С. 86.113. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Бондарчук Д.А. Применение структуры пленкасапфир для создания защитных покрытий // ВНК «Нано-2016». – Москва, 2016. – С. 189.114. Малюков С.П., Клунникова Ю.В., Бондарчук Д.А. Исследование дефектов в кристаллах сапфира // ВНК Современные информационные технологии: тенденции и перспективы развития». – 2017. – С.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
