Автореферат (1137279), страница 6
Текст из файла (страница 6)
№ 6(110). С. 648-651.[4].Схемотехнические SPICE-модели биполярных и МДП транзисторов для автоматизации проектирования радиационно-стойких БИС / Петросянц К.О., Харитонов И.А., Самбурский Л.М., Кожухов М.В. // Информационные технологии. 2015. №12 (21). С. 916-922.– в изданиях, входящие в систему цитирования SCOPUS:[5].Petrosyants K., Vologdin E., Torgovnikov R., Smirnov D., Kozhukhov M. Si BJTand SiGe HBT Performance Modelling after Neutron Radiation Exposure // Proc. of9th IEEE East-West Design & Test Intl. Symp. (EWDTS'11). Sevastopol. Sept.2011. C.
267-270.[6].Petrosyants K., Kozhukhov M. SPICE Model Parameters Extraction Taking intoAccount the Ionizing Radiation Effects // Proc. of 12th IEEE East-West Design &Test Intl. Symp. (EWDTS`2014). Sept. 2014. C. 304-307.[7].Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Sambursky L.M., Kozhukhov M.V. IVCharacteristics Measurement Error Resulting from Long Cables for Irradiated Bipolar Junction Transistors // Adv. Materials Research. 2015. T. 1083. C. 185-189.[8].Petrosyants K.O., Kozhukhov M.V. SiGe HBT TCAD Simulation Taking into Account Impact of Proton Radiation // Proc. of 15th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS).
2015. C. 1-4.23– в изданиях, не входящих в перечень ВАК:[9].Торговников Р.А., Кожухов М.В. Приборное и схемотехническое моделирование характеристик Si БТ и SiGe ГБТ при воздействии нейтронного облучения // Материалы X НТК молодых специалистов «Твердотельная электроника.Сложные функциональные блоки РЭА». Тезисы докладов. Моск. обл.,г. Дубна, 2011. С. 170-172.[10]. Орехов Е.В., Кожухов М.В., Торговников Р.А. Двух- и трёхмерное моделирование эффектов поглощённой дозы, импульсного воздействия и ОЯЧ в электронных компонентах с помощью приборно-технологической САПР SynopsysTCAD // Материалы 2-й Международной молодёжной научной школы.
Тезисыдокладов. Моск. обл.: ОИЯИ, 2011. С. 90.[11]. Кожухов М.В., Торговников Р.А. Компактная SPICE-модель Si БТ и SiGe ГБТ,учитывающая воздействие нейтронного облучения // НТК студентов, аспирантов и молодых специалистов. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2012. С. 282-283.[12]. Petrosyants K., Kozhukhov M. SiGe HBT Performance Modeling after Proton Radiation Exposure // Proc. of 10th IEEE East-West Design & Test Intl. Symp.(EWDTS`2012).
Sept. 2012. C. 275-278.[13]. Кожухов М.В., Смирнов Д.С. Влияние отжига на процесс восстановления параметров кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействиюрадиации // Конференции студентов, аспирантов и молодых специалистов. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2013. С. 244-246.[14]. Петросянц К.О., Кожухов М.В.
SPICE-модели кремниевых БТ и кремний германиевых ГБТ, учитывающие влияние радиационных факторов // Сб. науч. тр.международной НПК «Innovative Information Technologies». М.: МИЭМ НИУВШЭ, 2013. С. 320-326.[15]. Петросянц К.О., Смирнов Д.С., Кожухов М.В. Влияние электронного и гаммаизлучений на статические характеристики кремниевых СВЧ биполярныхтранзисторов // Материалы XII НТК «Твердотельная электроника, сложныефункциональные блоки РЭА» («Пульсар-2013»).
М.: Пульсар, 2013. С. 239242.[16]. Кожухов М.В. Схемотехническая SPICE модель, учитывающая воздействиегамма-излучения на характеристики кремниевых БТ и кремний-германиевыхГБТ // НТК студентов, аспирантов и молодых специалистов. Тезисы докладов.М.: МИЭМ, 2014.
С. 239-240.[17]. Petrosyants K.O., Kharitonov I.A., Kozhukhov M.V., Sambursky L.M. ExpandingCommercial Spice Possibilities in the Field of Extreme Environment ElectronicsDesign by Using New BJT and MOSFET Models with Account for Radiation Influence // Innovative Information Technologies: Materials of the International scientific – рractical conference. Part 3. / Ed. Uvaysov S.U. M.: HSE, Prague. 2014.
C.244-253;[18]. Петросянц К.О., Кожухов М.В. Схемотехническая SPICE-модель биполярноготранзистора, учитывающая влияние различных видов радиации // Фундаментальная наука и технология - перспективные разработки / Fundamental scienceand technology - promising developments. CreateSpace. 2014. Т. 3. Вып. III. С.23-26.[19]. Кожухов М.В. Исследование эффекта саморазогрева в SiGe гетеропереходных и Si биполярных транзисторах // НТК студентов, аспирантов и молодыхспециалистов им. Е.В.
Арменского. Тезисы докладов. М.: МИЭМ, 2015. С.273-274.24[20].[21].[22].[23].[24].[25].[26].[27].[28].[29].[30].[31].Список цитируемой литературыTCAD Sentaurus User Manual J-2014.09, Synopsys.SILVACO TCAD, Simulation Standard, Volume 24, Number 4, 2014,[http://www.silvaco.com/tech_lib_TCAD/simulationstandard/2014/]Панкратов А.Е., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С.,Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторовпосле импульсного гамма-нейтронного воздействия.
// Сборник «Стойкость2015». Мос. обл., г. Лыткарино. 2015. С. 63-64.Крупкина Т.Ю. Разработка научных основ создания и совершенствования базовых элементов микроэлектроники и микросистемной техники методамиприборно-технологического моделирования // Докторская диссертация поспециальности 05.27.01; Москва, 2005, 233 c.Лавлинский В.В. Научные основы синтеза виртуальной реальности для объектов проектирования радиационно-стойкой электронной компонентной базыспециального назначения // Докторская диссертация по специальности05.13.12; Воронеж, 2015, 260 c.Graves R.J. at el.
Modeling low-dose-rate effects in irradiated bipolar-base oxides //IEEE Transactions on Nuclear Science. 1998. T. 45. №. 6. С. 2352-2360.Петросянц К.О., Харитонов И.А. Модели МДП и биполярных транзисторовдля схемотехнических расчётов БИС с учётом радиационного воздействия //Микроэлектроника РАН.
1994. Т. 23. №. 1. С. 21-34.Вологдин Э.Н., Дюканов П.А., Синкевич В.Ф., Смирнов Д.С., Сурков Г.П.Учёт воздействия нейтронного облучения на биполярные ИМС ОУ при ихсхемотехническом моделировании. Основные свойства, параметры и базовыесхемы включения мультидифференциальных операционных усилителей с высокоимпедансным узлом // Электронная техника.
Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2014. Т. 2. № 233. С. 42-45.Дворников О.В., Гришков В.Н. Комплексный подход к проектированию радиационно-стойких аналоговых микросхем. Часть 1.Учет влияния проникающейрадиации в «Spice-подобных» программах // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем - 2010.
Сб. трудов под общ. ред.академика А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2010. С. 301-306.Leroux P., De Cock W., Van Uffelen M., Steyaert M. Modeling, Design, Assessment of 0.4 μm SiGe Bipolar VCSEL Driver IC Under γ-Radiation // IEEE Transactions on Nuclear Science. 2009. Т. 56. № 4. C. 1920-1925.Deng Yanqing T.A. Fjeldly, T. Ytterdal, M.S. Shur. SPICE modeling of neutrondisplacement damage and annealing effects in bipolar junction transistors // IEEETransactions on Nuclear Science. 2003. T. 50.
№. 6. C. 1873-1877.Эмпирические соотношения для зависимости коэффициента радиационногоизменения времени жизни носителей заряда в кремнии при нейтронном облучении от уровня инжекции и степени легирования / Вологдин Э.Н., СмирновД.С. // Вопросы атомной науки и техники.
Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. Мос. обл., г. Лыткарино, 2010. –С. 17-22..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
