Диссертация (1137175), страница 20
Текст из файла (страница 20)
— Vol. 22,no. 4. — Pp. 297 – 319. http://www3.interscience.wiley.com/journal/121397825/abstract.8. Colnar J., Trotman J., Petrice R. Decreased CDM ratings for ESD-sensitivedevices in printed circuit boards // In Compliance. — 2010. — September. —Pp. 38 – 41.1419. Computer simulation of ESD from voluminous objects compared to transientfields of humans / R. Jobava, D.
Pommerenke, D. Karkashadze et al. // Electromagnetic Compatibility, IEEE Transactions on. — 2000. — feb. — Vol. 42,no. 1. — Pp. 54 –65.10. Kleinwächter GmbH. — EFM122. Elektrofeldmeter mit Handgerät und Digitalanzeige zur Messung elektrostatischer Aufladungen.
Betriebsanleitung.11. ESD full chip simulation: HBM and CDM requirements and simulation approach / E. Franell, S. Drueen, H. Gossner, D. Schmitt-Landsiedel // Advances in Radio Science. — 2008. — Vol. 6. — Pp. 245–251. http://www.adv-radio-sci.net/6/245/2008/.12. International Rectifier. — ESD Testing of MOS Gated Power Transistors.
Application Note AN-986. http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-986.pdf.13. Full chip model of CMOS integrated circuits under charged device modelstress. / M. S. B. Sowariraj, C. Salm, T. Smedes et al. // 7th annual workshopon semiconductor advanced for future electronics. — Veldhoven, Netherlands:2004. — November.14. Fundamentals of electrostatic discharge // In Compliance. — 2010. — no. 8 –12.15. Gnuplot — portable command line driven graphing utility.
http://gnuplot.sourceforge.net.16. Günther M. ESD-Grundlagen. http://www.fed.de/.17. Avago Technologies. — HCNR200 and HCNR201 — High linearity analog optocoupler, 2011.14218. Horenstein M. Applied electrostatics // Handbook of engineering electromagnetics / Ed. by R. Bansal. — New York: Marcel Dekker, 2004. — 706 pp.19. IEC 53734-4-6:2010 Electrostatics — Part 4-6: Standard test methods for specific applications — Wrist straps.20. IEC 61340-4-7:2010 Electrostatics — Part 4-7: Standard test methods for specific applications — Ionization.21.
IEC 61340-4-9:2010 Electrostatics — Part 4-9: Standard test methods for specific applications — Garments.22. IEC 61340-5-1: 2007 Electrostatics — Part 5-1: Protection of electronic devicesfrom electrostatics phenomena - General requirements.23. IEC61340-4-1:2010 Electrostatics — Part 4-1: Standard test methods for specific applications — Electrical resistance of floor covering and installed floors.24. Inverted tube operation — A practical SE OTL amlifier topology.
http://greygum.net/sbench/sbench102/inverted.html.25. International Rectifier. — IRF510 HEXFET Power MOSFET transistors.http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf510.pdf.26. International Rectifier. — IRF630 HEXFET Power MOSFET transistors.http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf630.pdf.27. JEDEC standart JESD22-C101E.
Field-Induced Charged-Device Model. Testmethod for electrostatic discharge withstand thresholds of microelectroniccomponents.28. Jonassen N. Mr. static // In Compliance. — 2011. — no. 8 – 12.14329. Ker M. D., Lin C. Y., Chang T. L. Layout styles to improve CDM ESDrobustness of integrated circuits in 65-nm CMOS process // InternationalSymposium on VLSI Design, Automation and Test (VLSI-DAT). — Hsinchu,Taiwan: 2011. — April. — Pp. 374–377.30. Kersting T.
Elektrostatik — Die elektrische Ladung. Didaktik derPhysik. — Duisburg-Essen Universität., 2009. http://didaktik.physik.uni-duisburg-essen.de.31. Khazhinsky M. G. ESD electronic design automation checks // In Compliance. — 2012. — August. — Pp. 106 – 112.32. Kneifel S. Die Feldmühle. — 2005. http://www.qsl.net/dh1stf/.33. Texas Instrunment. — LM158/LM258/LM358/LM2904 Low Power Dual Operational Amplifiers.34. National Semiconductor. — LMC6001 Ultra low input current amplifier, 2009.35.
Lucas J. R. High voltage enginering. — Department of electrical engineeringUniversity of Moratuwa, 2001. — 211 pp.36. Methods for measurement in Electrostatics. British Standart BS7506: Part2.,1996.37. MIL-STD-1686B. Electrostatic discharge control program for protection ofelectrical and electronic parts, assemblies and equipment (excludeing electrically initiated explosive devices), 1992.38. Miles R., Bond T., Meyer G. Report on non-contact DC electric field sensors.
— Lawrence Livermore National Laboratory, 2003.14439. Numerical modeling of electrostatic discharge generators / K. Wang, D. Pommerenke, R. Chundru et al. // Electromagnetic Compatibility, IEEE Transactions on. — 2003. — may. — Vol. 45, no. 2. — Pp. 258 – 271.40. Qucs: Quite Universal Circuit Simulator. http://qucs.sourceforge.net.41. Schüler aus Schleswig entwickelt Elektrofeldmeter-Chip. — Verband der Elektrotechik, Elektronik, Informationstechnik, Oktober,2009.42. Scilab — Open source software for numerical computation. http://www.scilab.org.43. Study of CDM specific effects for a smart power input protection structure /M. Etherton, N. Qu, J.
Willemen et al. // Microelectronics reliability. —2004. — Vol. 46, no. 5 – 6. — Pp. 666 – 676.44. Industry Council on ESD Target Levels. — White Paper 2: A Case for Lowering Component Level CDM ESD Specifications and Requirements, April,2010.45. Абрамешин А. Е. Развитие концепции нанопроводимости диэлектриков вотечесвенной космической технике // Технологии ЭМС. — 2012. — № 3. —С.
29 – 33.46. Абрамешин А. Е., Белик Г. А., Саенко В. С. Внутренняя электризация бортовой аппаратуры космических аппаратов // Технологии ЭМС. —2012. — № 3. — С. 5 – 17.47. Андрусевич А. Четыре в одном, или как максимально упростить гальваническую развязку аналогового канала // Новости электроники. — 2007. —№ 15. — С. 25–27.14548. Барканов Н. А., Бердичевский Б. Е., Верхопятницкий П. Д. Справочник конструктора РЭА: Компоненты, механизмы, надёжность. / Под ред.Р. Г.
Варламова. — М.: Радио и связь, 1985. — 384 с.49. Бессонов Л. А. Теоретические основы электротехники: Электрическиецепи. — М.: Высшая школа, 1978. — 528 с.50. Бройде А. М. Электровакуумные приборы. Справочник. — Л.: Государственное энергентическое издательство, 1956. — 432 с.51. Царёв Б. М. Электрометрические лампы // Успехи физических наук. —1948. — Т. 35, № 2. — С. 251–270.52.
Горлов М., Строгонов А. Воздействие электростатических разрядов наинтегральные схемы // Компоненты и технологии. — 2008. — № 3. —С. 188 – 192.53. ГОСТ 27.003-90. Надёжность в технике. Состав и общие правила заданиятребований по надёжности.54. Илюкович А. М. Техника электрометрии. — М.: Энергия, 1976. — 400 с.55. Интегральные микросхемы для импульсных источников питания и ихприменение. — М.: Додека-XXI, 2001. — 608 с.56.
Испытания образцов кабелей БКС для определения и уменьшения наводок от электростатических разрядов, возможных на этапах подключенияБКС к БА, испытаний БА и полёта РБ. Разработка мероприятий по повышению стойкости БА к наводкам в БКС: Отчёт о НИР (окончательный).К104/5-12-2012ТЗ / НИУ ВШЭ. — М.:, 2013.57.
ФГУПНПП«Циклон-тест». —146Измерительнапряжённостиэлектростатического поля ИЭСП-01. Руководство по эксплуатации.ПАЭМ.411720.001 РЭ.58. Кацнельсон Б. В., Ларионов А. С. Отечественные приёмно-усилительные лампы и их зарубежные аналоги: Справочник. — 3-е изд., перераб. идоп. — Энергоатомиздат, 1981. — 456 с.59. Кадуков А. Tvs-диоды — полупроводниковые приборы для ограниченияопасных перенапряжений в электронных цепях // Компоненты и технологии. — 2001. — № 1.60. Кечиев Л.
Н., Пожидаев Е. Д. Защита электронных стредств от воздействия статического электричества. — М.: ИД «Технологии», 2005. — 352 с.61. Кириллов В. Ю., Малистин А. И., Марченко М. В. Испытания бортовой системы управления космического аппарата kazsat-2 на помехоустойчивость к электростатическим разрядам // Технологии ЭМС. — 2012. —№ 1. — С. 3 – 10.62. Кириллов В. Ю., Марченко М. В. Зависимость эффективности экранирования кабелей от переходного сопротивления при воздействии электростатического разряда // Технологии ЭМС.
— 2012. — № 1. — С. 10 – 15.63. Конструирование и технология микросхем / Под ред. А. А. Коледова. —М.: Высшая школа, 1984.64. Кривов А. С., Трегубов Д. В. Современные требования к защите электронных средств от электростатического разряда // Технологии ЭМС. —2012. — № 1. — С. 59 – 67.65. Кузнецов В. В. Усилитель с гальванической развязкой // Патент на по147лезную модель №127555 от 27 апреля 2012 года. — Федеральная службапо интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам.66. Кузнецов В. В. Электрометр на электронных лампах в обращённом режиме // Патент на полезную модель №118066 от 10 июля 2012 года.
—Федеральная служба по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам.67. Кузнецов В. В., Кечиев Л. Н. Усилитель с гальванической развязкой сдифференциальным входом // Технологии ЭМС. — 2012. — № 1. — С. 80– 83.68. Кушнир Ф. В. Электрорадиоизмерения. — Л.: Энергоатомиздат, 1983. —320 с.69.