И.П. Жеребцов - Основы электроники (1115520), страница 72
Текст из файла (страница 72)
Такая характеристика (и сама лампа) называется правой. А для редкой сетки (коэффициент р невелик) запирающее напряжение получается большим, характеристика расположена в области отрицательных напряжений и называется левой. Лампы с левой характеристикой могут работать без сеточного тока.
Семейства анодно-сеточных и сеточных характеристик триода изображены на рис. 17.2. При повышении анодного напряжения характеристика для анод- ного тока сдвигается влево, а характеристика для сеточного тока проходит ниже. Часто бывает нужна добавочная характеристика, отсутствующая в семей- Рнс. !7.2. Семейство аводво-сеточвых и се- точных характеристик триода стве (на рисунке показана штрихами), например, характеристика для анодного напряжения О,5(()а + (7,з).
Рассмотрим семейства анодных и сеточно-анодных характеристик (рис. 17.3). Анодная характеристика прн 17, = О идет )чз начала координат. Для более низких сеточных напряжений ()м †.'(/яз анодные характеристики расположены правее (так как требуется более высокое отпирающее анодное напряжение) и идут слегка расходящимся пучком. Действительные анодные характеристики в отличие от теоретических сдвигаются не строго пропорционально сеточному напряже!(ию.
Анодные характеристики для положительных сеточных напряжений (7 ы (7 з, (7 а идут из начала координат левее кривой Н, = О и выгибаются' влево, а не вправо. Они сначала идут круто, а затем рост тока замедляется н крутизна кривых уменьшается. Сеточно-анодные характеристики (штриховые) даны только для положи- (7 <И 0 гпах Рис. !7.3. Семейство анодных, и сеточноаволвых характеристик и кривая максимальной допустимой мощности, выделяе- мой ва аноде тельных сеточных напряжений, так как при отрицательных тока сетки нет.
При и, = О ток сетки максимальный н тем больше, чем выше сеточное напряжение. При увеличении анодного напряжения сначала (в режиме возврата) ток сетки резко снижается вследствие токораспределения, а затем (в режиме перехвата) незначительно уменьшается. В семействе анодных характеристик часто покаэывают линию максимальной допустимой мощности, выделяемой на аноде. Так как Р, = (,и„ то уравнение этой линии следует записывать в виде ! =Р )и,.
(17.9) Для данной мощности Р, и различных анодных напряжений можно вычислить анодный ток и по точкам построить кривую Р, „, которая будет гиперболой. Область выше этой кривой собтветствует недопустимым режимам работы лампы на постоянном токе, при которых Р, ) Р, . При импульсном режиме работа в области выше кривой Р, возможна, если средняя мощность, выделяемая на аноде, не превышает предельную. В семействе анодных характеристик также можно построить дополнительные характеристики.
В качестве примера на рисунке проведена штрихпунктиром характеристика для напряжения, среднего между (У,з и (7,4. В импульсноьг режиме могут быть получены анодные токи, во много раз большие, нежели в режиме непрерывной работы. Импульсный режим достигается подачей на анод и сетку кратковременных повышенных напряжений.
Для импульсного режима пользуются анод- ными характеристиками, снятыми при определенной длительности и частоте импульсов. На рис. 17.4 приведены импульсные характеристики и внизу заштрихована маленькая область, соответствующая характеристикам для непрерывного режима. За счет начальных скоростей электронов, вылетающих из катода, контактной разности потенциалов и термо-ЭДС, действующих в сеточной цепи, характе- 229 мя 1ВОО 150 1400 120 1000 ВОО ВОО 400 200 230 0 100 200 500 400 500 бооо Рис.
17.4. Импульсные характеристики пря больших положительных напряжениях сетки ристика для тока сетки может начинаться не только в точке и, = О, а часто в области небольших отрицательных сеточных напряжений. Реже встречаются характеристики, начинающиеся в области положительных сеточных напряжений. При отрицательном сеточном напряжении все же существует очень небольшой сеточный ток. Он называется обратным сеточным током (электроны этого тока во внешних проводах сеточной цепи движутся по направлению к сетке). Обратный оетачный ток имеет три составляющие: ионный Чаок, тврмоеок и еок уеечки.
Ионный ток наблюдается в лампах с недостаточным вакуумом. Электроны на пути к аноду сталкиваются с атомами газа и ионизируют их. Положительные ионы движутся к отрицательно заряженной сетке и отбирают от нее электроны, превращаясь в нейтральные атомы. Сетка расходует электроны, но эта убыль пополняется благодаря источнику сеточного напряжения, и на сетке поддерживается отрицательный потенциал. В цепи сетки проходит ток в направлении от «минуса» источника Ев к сетке. При изменении степени разрежения в лампе меняется число ионов, из- меняется ионный сеточный ток, и это приводит к нестабильности характеристик лампы. Если сетка имеет высокую температуру, то может возникнуть ток термоэлбктронной эмиссии (термоток) сетки.
Для уменьшения этого тока в более мощных лампах проводники сетки делают из металла с большой работой выхода электронов. Ток утечки в цепи сетки обусловлен несовершенством изоляции между сеткой и другими электродами. 17.5. ПАРАМЕТРЫ К параметрам триода относится напряжение накала ьг„ и ток накала уы а также нормальное постоянное анодное и сеточное напряжение и соответствующий им постоянный анодный ток. Важными являются максимальные допустимые параметры: мощность, выделяемая на аноде (Р, ), мощность, выделяемая на сетке (Р „), аиодное напряжение (7лтьо напряжение между катодом и подогревателем (7ы„„„, предельный ток катода 1„. Для импульсных триодов указывают максимальный допустимый импульс анодного и катод- ного тока. Параметры триода, определяющие его свойства и возможности применения,— это крутизна характеристики (короче, крутизна), внутреннее соироеивление и коэффициент усиления либо проницаемость.
Эти параметры характеризуют работу лампы без нагрузки. Их обычно называют септическими. Крупшзна о характеризует управляющее действие сетки, т. е. влияние сеточного напряжения на анодный ток. Если при изменении сеточного напряжения Лив анодный ток изменяется на Ь(„то о = Жл/Ли при и, = сопз1. (17.10) Таким образом, крутизна есть отношение изменения анодного тока к вызвавшему его изл~енению сеточного напряжения ири постоянном анодном напряэюении. Условие и, сопзг необходимо для того, чтобы крутизна характеризовала действие только сеточного напряжения.
Крутизна лампы аналогична параметру биполярного транзистора угы или крутизне полевого транзистора. Выражают крутизну в миллиамперах на вольт или амперах на вольт. Крутизна показывает, на сколько миллиаипер('ампер) изменяется анодный ток при изменении сеточного напряжения на один вольт, если анодное напряжение постоянно.
Например, если Ьив — — 2 В и Л(, = б мА, то 5 = 6: 2 = 3 мА/В. В отличие от диода крутизна триода хотя и выражается в единицах проводимости, но не представляет собой внутреннюю проводимость участка сетка — катод. Современные триоды имеют крутизну 1 — 50 мА/В. Чем больше крутизна, тем лучше лампа, так как сильнее управляющее действие сетки. В большинстве случаев крутизна составляет единицы миллиампер на вольт. Для триода с плоскими электродами, работающего при ив ( О, по закону степени трех вторых получается выражение для крутизны 5 = 3,5 10 — '~ и + )уи,.
в-к (17.11) Крутизна увеличивается при повышении напряжений сетки и анода, при увеличении площади поверхности анода и уменьшении расстояния сетка — катод. Чем меныпе г( „, тем сильнее влияние сетки на потенциальный барьер около катода. Если сетку делать более редкой, то проницаемость 13 увеличивается и по формуле(17.11) получается, что крутизна должна возрастать. Но на самом деле для каждого значения дв.„существует наивыгоднейшая густота сетки, при которой крутизна максимальна.
Крутизна связана с наклоном анодносеточной характеристики. Чем круче эта характеристика, тем больше значение 5. Крутизна пропорциональна тангенсу угла наклона касательной к характеристике. Наиболее просто крутизна определяется методом двух точек (рис. 17.5,а). Если участок между точками А и Б нелинейный, то .определенная этим методом Рис. 17.5. Определение крутизны нз характе- ристик крутизна 5лв является средней для данного участка и приближенно равна крутизне в средней точке Т, При определении крутизны из анодных характеристик (рис. 17.5,б) также применяют метод двух точек. Следует взять на характеристиках для (/вз и ()вз точки А и Б, соответствующие одному и тому же анодному напряжению. Изменение Ьь при переходе от точки А к точке Б надо разделить на соответствующее изменение див = (/в, — ()вз. Найденная таким путем крутизна 5„в является средней для участка АБ, и ее можно отнести к точке Т.
Внутреннее сопротивление К, характеризует влияние анодного напряжения на анодный ток и имеет тот же физический смысл, что н в диоде, т. е, является сопротивлением между анодом и катодом для переменного (изменяющегося) анодного тока. Если при изменении анодного напряжения на Ьи, анодный ток изменяется на Ж„то К, = Ьиь//ь/, прн ив = сопзг. (17.12) Например, при Лиь = 50 В и Жь = = 2 мА получаем К, = 50: 2 = 25 кОм.
Как видно, внутреннее сопротивление представляет собой отноьиение изменения анодного напряжения к вызванному им изменению анодного тока при 231 постоянном сеточном напряжении. Условие ив — — сопЫ необхоДимо ДлЯ того, чтобы внутреннее сопротивление характеризовало действие только анодного напряжения. Чем больше Кь тем слабее влияние анода на анодный ток. Действительно, при более высоком К, для получения прежнего Ж, надо изменить в большей степени анодное напряжение.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
