Электронный транспорт в связанных квантовых ямах AlxGa1-xAs-GaAs-AlxGa1-xAs и GaAs-InyGa1-yAs-GaAs (1105302), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

тезисов, стр. 301-302, (2003)9.Г. Б. Галиев, В. Э. Каминский, И. С. Васильевский, Р. А. Лунин;«Электронныймагнетотранспортвсвязанныхквантовыхямахсдвусторонним легированием», ФТП, том 38, вып. 11, стр. 1368-1373 (2004)10. L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, A. V. Chervyakov, G. B. Galiev, E. A. Klimov,I. S. Vasil’evskii; «Photoreflectance investigation of GaAs/AlGaAs quantum wellstructures with various level of doping», International Workshop on ModulationSpectroscopy of Semiconductor Structures, proceedings, p.

39-40 (2004)11. И. С. Васильевский; «Отрицательное магнетосопротивление в структурахAlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами», Международная Конференциястудентов и аспирантов по фундаментальным наукам «ЛОМОНОСОВ-2004»,сб. тезисов, стр. 318-320 (2004)12. G. B. Galiev,V. E. Kaminskii,V. G. Mokerov,I. S. Vasil'evskii,V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin; «Magnetotransport in doped geterostructureswith coupled quantum wells», International Symposium on Nanostructures Nano2004, proceedings, p.

348-349 (2004)13. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Г. В. Ганин, Р. М. Имамов, Е. А. Климов,А. А. Ломов,В. Г. Мокеров,В. В. Сарайкин,М. А. Чуев;«Влияниелегирования барьерных слоёв AlGaAs на структурные и электрофизическиесвойства системы n-AlGaAs/GaAs/n-AlGaAs с тонким разделяющим AlAsслоем внутри GaAs», Микроэлектроника, том 34, №1, стр. 52-62 (2005)14. Г. Б.

Галиев,И. С. Васильевский,Е. А. Климов,В. Г. Мокеров;«Электрофизические свойства модулированно- и дельта- легированных PHEMT транзисторных структур на основе AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/GaAs»,Микроэлектроника, том 34, №6, стр. 403-409 (2005)15.

И. С. Васильевский,В. А. Кульбачинский;Г. Б. Галиев,«ТранспортныеВ. Г. Мокеров,иоптическиеР. А. Лунин,свойствамелкихпсевдоморфных квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs с двусторонним дельталегированием: влияние тонкого центрального барьера AlAs», VII Российскаяконференция по физике полупроводников, сб. тезисов, стр.

244 (2005)1516. V. E. Kaminskii, G. B. Galiev, V. G. Mokerov, I. S. Vasil'evskii, R. A. Lunin,V. A. Kul'bachinskii; «Magnetoresistance Of Coupled Quantum Wells InQuantizingMagneticField»,InternationalConferenceonMicro-andNanoelectronics, ICMNE-2005, сб. тезисов, p. O2-09 (2005).17. I. S.

Vasil’evskii, V. A. Kulbachinskii, G. B. Galiev, R. M. Imamov, A. A. Lomov,D. Yu Prohorov ; «Structural and electrophysical properties of pseudomorphicGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrier»,International Conference on Micro- and Nanoelectronics ICMNE-2005, сб.тезисов, p. 2-23 (2005).18. Д. Ю.

Прохоров,А. Г. Сутырин,И. С. Васильевский,рентгеновскойА. А. Ломов,В. А. Кульбачинский,дифрактометриииP. Kacerovsky,Г. Б. Галиев.рефлектометриив«Возможностихарактеризациинизкоразмерных внутренних слоев гетеросистем на основе A3B5», 5-яНациональная Конференция по применения рентгеновского, синхротронногоизлучений, нейтронов и электронов для исследований наноматериалов инаносистем, РСНЭ-НАНО 2005, сб. тезисов, стр.

250 (2005)19. И. С. Васильевский; «Гибридные состояния и электронный транспорт вдвусторонних дельта-легированных квантовых ямах GaAs/InGaAs/GaAs», 7-ямолодежная конференция по физике полупроводников и оптоэлектронике,Санкт-Петербург, сб. тезисов, стр. 48 (2005)20. И. С. Васильевский; «Вычисление интерференционной квантовой поправки кпроводимостивпроизвольноммагнитномполе»,7-ямолодежнаяконференция по физике полупроводников и оптоэлектронике, СанктПетербург, сб. тезисов, стр. 47 (2005)21. L. P.

Avakyants, P. Yu. Bokov, A. V. Chervyakov, G. B. Galiev, E. A. Klimov,I. S. Vasil’evskii, V. A. Kulbachinskii; «Interband optical transitions in the GaAsmodulation doped quantum wells: photoreflectance experiment and self-consistentcalculations»; Semicond. Sci. Technol., 21, p. 462-466 (2006)16.

Характеристики

Список файлов диссертации