Автореферат (1105258), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Емельянов, П.А. Форш, А.Г. Казанский, Особенностиоптическихигидрированногофотоэлектрическихсвойствпленоккремния,тезисовнаучнойсборникполиморфногоконференции«Ломоносовские чтения - 2012», Москва, Россия, стр. 36-38, 2012.6) М.В. Хенкин, А.В. Емельянов, П.А. Форш, А.Г. Казанский, Оптические ифотоэлектрические свойства пленок полиморфного гидрированного кремния,сборник тезисов IX международной конференции и VIII школы молодыхученых «Кремний-2012», Санкт-Петербург, Россия, стр. 321, 2012.257) А.В.
Емельянов, П.К. Кашкаров, П.А. Форш, М.В. Хенкин, А.Г. Казанский,P. Kazansky, Электрофизические параметры пленок a-Si:H, обработанныхфемтосекундным лазерным излучением, сборник трудов VIII международнойконференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», СанктПетербург, Россия, стр. 401-402, 2012.8) М.В. Хенкин, А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, П.А. Форш, Особенноститемпературных зависимостей фотопроводимости пленок полиморфногокремния, сборник трудов VIII международной конференции «Аморфные имикрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, Россия, стр.418419, 2012.9) A.
Kazanskii, M. Khenkin, Peculiarities of Photoelectrical and OpticalProperties of Hydrogenated Silicon Films with Mixed Amorphous-NanocrystallineStructure, Book of abstracts of 2nd Russia-Taiwan Joint Symposium, Moscow,Russia, p.5, 2012.10) A.V. Emelyanov, P.K. Kashkarov, A.G.
Kazanskii, P. Kazansky, M. Khenkin,P.A. Forsh, Structural, optical and photoelectric properties of a-Si:H films treatedby femtosecond laser pulses, Book of Abstracts of 6th International Conference onMaterials Science and Condensed Matter Physics, Chisinau, Moldova, p. 197,2012.11) А.В. Емельянов, М.В. Хенкин, П.А. Форш А.Г.Казанский, П.А.Перминов,С.В.Заботнов,П.К.Кашкаров,PKazansky,Влияниефемтосекундного лазерного облучения на структурные и оптическиесвойства аморфного кремния, V всероссийская конференция молодыхученых «микро-, нанотехнологии и их применение» им.
Ю.В. Дубровского,Черноголовка, Россия, стр. 30-31, 2012.12) M.V. Khenkin, A.V. Emelyanov, P.A. Forsh, A. Kazanskii, M. Beresna, M.Gecevicius, P. Kazansky, Ultrafast laser-induced crystallization of hydrogenatedamorphous silicon for photovoltaics, Technical digest of ICONO/LAT conference,International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO 2013)26International Conference on Lasers, Applications, and Technologies (LAT 2013),Moscow, Russia, p.50, 2013.13) A. Kazanskii, A. Emelyanov, P. Forsh, M. Khekin, E. Terukov, M.
Beresna,M. Gecevicius, R. Drevinskas, P. Kazansky, Amorphous hydrogenated siliconmodified by femtosecond laser radiation for photovoltaics, Book of Abstracts ofSixth International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materialsand Application. Leeds UK, p. 264, 2014.14) A. Emelyanov, M. Khenkin, P. Forsh, P. Kashkarov, M. Gecevicius, M.Beresna, P. Kazansky, Luminescence down-shifter effect in hydrogenatedamorphous silicon modified by femtosecond laser radiation, Technical Summaries,SPIE Photonics West 2013, San-Francisco USA, p.
130-131, 2013.15) М.В. Хенкин, А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, П.А. Форш, P. Kazansky,Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок a-Si:H на ихструктуру и фотоэлектрические свойства, XI Российская конференция пофизике полупроводников, Санкт-Петербург, Россия, стр. 205, 2014.16) А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, П.К.
Кашкаров, П.А. Форш, М.В.Хенкин, Фотоэлектрические и оптические свойства наномодифицированногоаморфногокремния,XIРоссийскаяконференцияпофизикеполупроводников, Санкт-Петербург, Россия, стр. 189, 2014.17) А.В. Емельянов,Заботнов,П.К.М.В. Хенкин, П.А. Форш,Кашкаров,Р.G.А.Г. Казанский, С.В.Kazansky, Фемтосекунднаялазернаякристаллизация аморфного кремния для применения в фотовольтаике,СборникматериаловIВсероссийскойнаучнойконференции«Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства длясолнечных элементов 3 поколения.
Чебоксары, Россия, с.60-62, 2013.18) П.А. Форш, А.В. Емельянов, М.В. Хенкин, А.Г. Казанский, Д.М.Жигунов, А.В. Кукин, Е.И. Теруков, П.К. Кашкаров, Фотолюминесценциянанокристаллическогокремниясразличнойобъемнойдолейнанокристаллической фазы, Тезисы IX Международной конференции27«Аморфные и микрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург,Россия, стр.105-106, 2014.19) М.В.
Хенкин, А.В. Емельянов, А.Г. Казанский, П.А. Форш, О.И. Коньков,M. Beresna. M. Gecevicius, P. Kazansky, Восстановление концентрацииводорода в пленках a-Si:H, облученных фемтосекундными лазернымиимпульсами, Тезисы IX Международной конференции «Аморфные имикрокристаллические полупроводники», Санкт-Петербург, Россия, стр. 388389, 2014.20) M. Khenkin, A. Emelyanov, A. Kazanskii, P.
Forsh, O. Kon'kov, M. Beresna,M. Gecevicius, P. Kazansky, Post-hydrogenation of amorphous hydrogenatedsilicon films modified by femtosecond laser irradiation, SPIE Photonics Europe,Brussels, Belgium, 9140-37, 2014.21) A. Emelyanov, P. Forsh, A. Kazanskii, D. Zhigunov, M. Khenkin, P.Kashkarov, Photoluminescence of hydrogenated nanocrystalline silicon films,Proceeding of The 8th International Conference “Microelectronics and ComputerScience” & The 5th Conference of Physicists of Moldova, Chisinau, Moldova,p. 75-77, 2014.22) R. Drevinskas, M.
Beresna, M. Gecevičius, M. Khenkin, A. G. Kazanskii, O. I.Konkov, P. Kazansky, Polarization Sensitive Printing by Ultrafast LaserNanostructuring in Amorphous Silicon, Technical Digest (Optical Society ofAmerica, 2015), CLEO: Science and Innovations 2015, San Jose, California,United States, paper SF2I.4, 2015.23) M. Khenkin, R.
Drevinskas, M. Beresna, O. Konkov, P. Forsh, A. Kazanskii,P. Kazansky, Structural and photoelectric properties of femtosecond laser-modifieda-Si:H films, Book of Abstract of 26th International conference on Amorphousand Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 26), Aachen, Germany, p. 11, 2015.Список цитируемой литературы:[1] Staebler D.L., Wronski C.R. Reversible conductivity changes in dischargeproduced amorphous Si // Appl.
Phys. Lett. 1977. Vol. 31. P. 292-294.28[2] Tsu D.V., Chao B.S., Ovshinsky S.R., Jones S.J., Yang J., Guha S., Tsu R.Heterogeneity in hydrogenated silicon: Evidence for intermediately orderedchainlike objects // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 63. 125338-1-125338-9.[3] Kaneko T., Wagashi M., Onisawa K., Minemura T. Change in crystallinemorphologies of polycrystalline silicon films prepared by radio-frequency plasmaenhanced chemical vapor deposition using SiF4+H2 gas mixture at 350 °C // Appl.Phys. Lett.
1994. Vol. 64. P. 1865-1867..
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
