Формирование углеродных пленок из газовой фазы (1105140), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Определены концентрации газовых компонент (метан иводород), оптимальные для получения углеродных пленок различного состава(алмаз, графит).3) Определены корреляции характеристик осаждаемых углеродных пленокс параметрами плазмохимического процесса и свойствами используемыхподложек.4) Предложен механизм безкаталитического формирования углеродныхнанотрубок и нанографитных пленок из газовой фазы. Получена оценкатолщины прианодного слоя в плазме у поверхности подложки. Показанавозможность влияния электрического поля на пространственную ориентациюнаноуглеродных структур.5)Впервыеметодомплазмохимическогоосажденияполученымонокристаллические пленки графита нанометровой толщины. Предложенмеханизмобразованиятакихпленок,включающийстадиюгетероэпитаксиального роста графита на никеле.6) Показано, что комбинационное рассеяние света в нанографитныхпленкахсоответствуетмеханизмудвойногорезонанса.Определеныхарактеристики комбинационного рассеяния света для графитных пленок сразличным уровнем структурного совершенства.24Список публикаций по результатам, представленным в настоящей работе1.A.N.
Obraztsov, A.A. Zolotukhin, A.O. Ustinov, A.P. Volkov, Yu. Svirko, K. Jefimovs //DC discharge plasma studies for nanostructured carbon CVD // Diamond and RelatedMaterials 12 (2003), 917-920.2.A.N. Obraztsov, A.A. Zolotukhin, A.O. Ustinov, A.P. Volkov, Yu.P. Svirko // Chemicalvapor deposition of carbon films: in-situ plasma diagnostics // Carbon 41 (2003), 836-839.3.Золотухин А.А., Образцов А.Н., Волков А.П., Устинов А.О. // Формированиенаноразмерных углеродных материалов в газоразрядной плазме // Письма в ЖТФ, 2003,том 29, вып.
9.4.A.N. Obraztsov, A.A. Zolotukhin, A.O. Ustinov, A.P. Volkov, Yu. Svirko, K. Jefimovs // Insitu plasma diagnostics for chemical vapor deposition of nanocarbon thin film materials //Microelectronic Engineering 69 (2003), 446-451.5.Золотухин А.А., Образцов А.Н., Волков А.П., Устинов А.О. // Образованиенаноуглеродных пленочных материалов в газоразрядной плазме // ЖЭТФ, Т. 124, No6,2003, стр. 1291-1297.6.A. Ustinov, A. Zolotukhin, A. Volkov, A.
Obraztsov // Nano-carbon thin film deposition inplasma activated by DC discharge // WDS’03 Proceedings of Contributed Papers, Part II,347-351, 2003.7.A.N. Obraztsov, A.A. Zolotukhin, A.O. Ustinov and A.P. Volkov // Plasma CVDcharacterization of nanocarbon film growth // Surface and Interface Analisys 36 (2004), 481484.8.А.В. Тюрнина, А.А. Золотухин, А.Н. Образцов // Влияние материала подложки наосаждение углеродных пленок из газовой фазы// Письма в ЖТФ, 2006, том 32, вып.17стр.1-5.9.Obraztsov A.N., Groening O., Zolotukhin A.A., Zakhidov Al.A., Volkov A.P., // of fieldemission properties with morphology and surface composition of CVD nanocarbon films//Diamond and Related Materials, vol.
15, 2006, pp.1044-1049.10.Ал. А. Захидов, О.А. Клименко, И.А. Попов, А.А. Золотухин, А.Н. Образцов //Влияние электрического поля на рост нано-углеродных структур из газовой фазы //Письма в ЖТФ, 2007, том 33, вып. 14. стр. 1-9.25.