Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов (1104413), страница 5
Текст из файла (страница 5)
Приэтом анизотропия электропроводности уменьшается с частотой. Предложенаэквивалентнаясхемаисследованныхструктур,позволяющаяобъяснитьнаблюдаемые частотные зависимости электропроводности пористого кремния.4.Благодаря совместному измерению концентрации свободных носителей зарядаиз ИК-спектров пропускания и электропроводности пористого кремния полученавеличина подвижности по проводимости основных свободных носителей заряда.Для пористого кремния p-типа значения подвижности по проводимости µp =2.9⋅10-3 см2/В⋅с, а для пористого кремния n-типаµn=1.1⋅10-2 см2/В⋅с.Установлено, что подвижность по проводимости увеличивается при адсорбцииактивных молекул за счет изменения высоты потенциальных барьеров на20границах нанокристаллов.
Продемонстрирована возможность увеличения нанесколько порядков значений концентрации и подвижности свободныхносителей заряда посредством адсорбции.5.Установлено, что термическое окисление оказывает различное влияние наэлектропроводностьикристаллографическихфотопроводимостьнаправлений.ПКАнизотропиявдольразличныхэлектропроводностиифотопроводимости в процессе термического окисления значительно возрастает.Это может быть связано с усилением анизотропии подвижности носителейзаряда в результате термического окисления.ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА[1]Fu Y., Dutta A., Willander M., Oda S. “Carrier conduction in a Si-nanocrystal-basedsingle-electron transistor-I. Effect of gate bias” // Superlattices and Microstructures, 2000,v.28, №3, p.
177-187.[2]Baron T., Gentile P., Magnea N., Mur P. “Single-electron charging effect in individualSi nanocrystals” // Appl. Phys. Lett.,2001, v.79, №8, p. 1175-1177.[3]Inoue Y., Tanaka A., Fujii M., Hayashi S.,Yamamoto K. “Single-electron tunnelingthrough Si nanocrystals dispersed in phosphosilicate glass thin films” // J.
Appl. Phys.,1999, v. 86, №6, p. 3199-3203.[4]Koch F., Petrova-Koch V. “Light from Si-nanoparticle systems — a comprehensiveview “ // J. Non-Cryst. Solids, 1996, v.198–200, №2, p. 840-846.[5]Tiwari S., Rana F., Hanafi H., Hartstein A., Crabbe E.F., Chan K. “A siliconnanocrystals based memory” // Appl. Phys. Lett., 1996, v.68, №10, p. 1377-1379.[6]Kovalev D., Polisski G., Diener J., Heckler H., Künzner N., Timoshenko V. Yu., KochF. “Strong in-plane birefringence of spatially nanostructured silicon” // Appl. Phys. Lett.,2001, v.78, №7, p. 916-918.[7]Timoshenko V.
Yu., Osminkina L. A., A. I. Efimova A. I., Golovan L. A., KashkarovP. K., Kovalev D., Künzner N., Gross E., Diener J., Koch F. “Anisotropy of opticalabsorption in birefringent porous silicon” // Phys. Rev. B, 2003, v.67, p. 113405-113408.[8]Golovan L. A., Timoshenko V. Yu., Fedotov A. B., Kuznetsova L. P., Sidorov-Biryukov D. A., Kashkarov P. K., Zheltikov A. M., Kovalev D., Künzner N., Gross E.,Diener J., Polisski G., Koch F. “Phase matching of second-harmonic generation inbirefringent porous silicon” // Appl. Phys. B, 2001, v.73, №1, p. 31-34.21[9]Canham L.T., Groszek A.J. “Characterization of microporous Si by flow calorimetry:Comparison with a hydrophobic SiO2 molecular sieve” // J.
Appl. Phys., 1992, v. 72, p.1558-1565.[10] Timoshenko V.Yu., Dittrich Th., Lysenko V., Lisachenko M. G., Koch F., “Freecharge carriers in mesoporous silicon” // Phys. Rev. B, 2001, №64, p. 085314.[11] Kashkarov P.K., Osminkina L.A., Konstantinova E.A., Vorontsov A.S., PavlikovA.V., Timoshenko V.Yu.
“Control of charge carrier density in mesoporous silicon byadsorption of active molecules” // Phys. Status Solidi (a), 2007, №204 (5), p. 1404-1407.[12] Воронцов А.С., Осминкина Л.А., Ткаченко А.Е., Константинова Е.А., ЕленскийВ.Г., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. “Модификация свойств пористого кремнияпри адсорбции молекул йода” // ФТП, 2007, № 41(8), с.
972-976.[13] Коугия К.В., Теруков Е.И. “Связь рекомбинации на интерфейсных состоянияхи аномальномалогопоказателястепенилюксампернойхарактеристикив микрокристаллическом кремнии” // ФТП, 2001, т. 35, №6, с. 643-648.[14] Stroud D., “Generalized effective-medium approach to the conductivity of aninhomogeneous material” // Phys. Rev. B, 1975, v.12, p. 3368-3373.СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИA1. Форш П.А., Мартышов М.Н., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. “Динамическаяэлектропроводность анизотропно наноструктурированного кремния” // ФТП,2006, т.
40, вып. 4, с. 476-481.A2. Forsh P.A., Martyshov M.N., Timoshenko V.Yu., Kashkarov P.K. “Impedancespectroscopy of in-plane anisotropic porous silicon films” // Phys.stat.sol.(c), 2007, v.4, №6, p. 1981-1985.A3. Форш П.А., Мартышов М.Н., Латышева А.П., Воронцов А.С., Тимошенко В.Ю.,Кашкаров П.К. “Подвижность носителей заряда в слоях пористого кремния” //ЖЭТФ, 2008, т. 134, вып.
6 (12), с. 1195-1199.A4. Мартышов М.Н., Форш П.А., Шапошников Л.В., Тимошенко В.Ю., КашкаровП.К. “Исследование ориентационной зависимости электропроводности в слояханизотропного пористого кремния” // Материалы электронной техники, 2008,№4, с.35-38.A5. Martyshov M.N., Forsh P.A., Timoshenko V.Yu., Kashkarov P.K. “Electricalconductivity in anisotropic porous silicon films” // Journal of Nanoelectronics andOptoelectronics, 2009, v.4, №1, p. 134-136.22.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
