Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1104273), страница 19

Файл №1104273 Диссертация (Оптические свойства рассеивающих сред на основе кремниевых нанонитей) 19 страницаДиссертация (1104273) страница 192019-03-14СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 19)

M. Diameter-controlled synthesis ofsingle-crystal silicon nanowires // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. P. 2214.2. Ross F. M., Tersoff J., Reuter M.C. Sawtooth faceting in silicon nanowires // Phys. Rev. Lett. 2005.Vol. 95. P. 146104.3. Hochbaum A. I., Fan R., He R., Yang P.

Controlled growth of Si nanowire arrays for deviceintegration // Nano Letters. 2005. Vol. 5, no. 3. Pp. 457-460.4. Schmidt V., Senz S., Gösele U. Diameter-dependent growth direction of epitaxial silicon nanowires// Nano Letters. 2005. Vol. 5, no. 5. Pp. 931-935.5. Duan X., Huang Y., Cui Y., Wang J., Lieber C. M.

Indium phosphide nanowires as building blocksfor nanoscale electronic and optoelectronic devices // Nature. 2001. Vol. 409. Pp. 66–69.6. Kelzenberg M. D., Turner-Evans D. B., Kayes B. M., Filler M. A., Putnam M. C., Lewis N. S.,Atwater H. A. Photovoltaic measurements in single-nanowire silicon solar cells // Nano Letters.2008.

Vol. 8, no. 2. Pp. 710–714.7. Stelzner Th., Pietsch M., Andrä G., Falk F., Ose E., Christiansen S. H. Silicon nanowire-based solarcells // Nanotechnology. 2008. Vol. 19, no 29. P. 295203.8. Гавриленко В. И., Грехов А. М., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. // Оптические свойстваполупроводников (Киев, Наукова думка, 1987).9. Green M. A., Keevers M. J. // Optical properties of intrinsic silicon at 300 K. Progress inPhotovoltaics: Research and Applications.

1995. Vol. 3, no. 3. Pp. 189-192.10. Givargizov E. I. Fundamental aspects of VLS growth // J. Cryst. Growth. 1975. Vol. 31, Pp. 20-30.11. Wagner R. S., Ellis W. C. Vapor-solid-liquid mechanism of single crystal growth //Appl. Phys. Lett. 1964. Vol. 4, P. 89.12. Wang Y., Schmidt V., Senz S., Gösele U. Epitaxial growth of silicon nanowires using analuminium catalyst // Nature Nanotechnology. 2006. Vol. 1. Pp. 186-189.13. Eisenhawer B., Zhang D., Clavel R., Berger A., Michler J., Christiansen S.

Growth of dopedsilicon nanowires by pulsed laser deposition and their analysis by electron beam induced currentimaging // Nanotechnology. 2011. Vol. 22, no. 7. P. 075706.14. Fuhrmann B., Leipner H. S., Höche H.-R., Schubert L., Werner P., Gösele U. Ordered arrays ofsilicon nanowires produced by nanosphere lithography and molecular beam epitaxy //Nano Letters. 2005. Vol. 5, no. 12. Pp. 2524-2527.15. Oh S. H., van Benthem K., Molina S.

I., Borisevich A. Y., Luo W., Werner P., Zakharov N. D.,Kumar D., Pantelides S. T., Pennycook S. J. Point defect configurations of supersaturated auatoms inside Si nanowires // Nano Letters. 2008. Vol. 8, no. 4. Pp. 1016-1019.10916. Sivakov V., Andrä G., Himcinschi C., Gösele U., Zahn D. R. T., Christiansen S. H. Growthpeculiarities during vapor–liquid–solid growth of silicon nanowhiskers by electron-beamevaporation // Appl. Phys. A.

2006. Vol. 85, no.3. Pp. 311-315.17. Sivakov V., Heyroth F., Falk F., Andrä G., Christiansen S.H. Silicon nanowire growth by electronbeam evaporation: Kinetic and energetic contributions to the growth morphology //J. Cryst. Growth. 2007. Vol.

300, no. 2. Pp. 288–293.18. Sunkara M. K., Sharma S., Miranda R. Bulk synthesis of silicon nanowires using a lowtemperature vapor–liquid–solid method // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79, P. 1546.19. Civale Y., Nanver L. K., Hadley P., Goudena E. J. G. Aspects of silicon nanowire synthesis byaluminum-catalyzed vapor-liquid-solid mechanism // Proceedings of 7th Annual Workshop onSemiconductor Advances for Future Electronics (SAFE 2004).

2004. Veldhoven, TheNetherlands. Publ. STW, ISBN 90-73461-43-X. Pp. 692-696.20. Lieber C. M. Nanoscale science and technology: Building a big future from small things //MRS Bull. 2003. Vol. 28, no. 7. Pp. 486-491.21. Kamins T. I., Williams R. S., Basile D. P., Hesjedal T., Harris J. S. Ti-catalyzed Si nanowires bychemical vapor deposition: microscopy and growth mechanisms // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89,no. 2.

Pp. 1008-1016.22. Heath J. R, LeGoues F. K. A liquid solution synthesis of single crystal germanium quantum wires// Chem. Phys. Lett. 1993. Vol. 208, no. 3-4. Pp. 263-268.23. Hanrath T., Korgel B. A. Nucleation and growth of germanium nanowires seeded by organicmonolayer-coated gold nanocrystals // J. Am. Chem. Soc. 2002. Vol. 124, no. 7. Pp.

1424-1429.24. Zhang Y. F., Tang Y. H., Wang N., Lee C. S., Bello I., Lee S. T. Germanium nanowires sheathedwith an oxide layer // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61, no. 7. Pp. 4518-4521.25. Lauhon L. J., Gudiksen M. S., Wang D., Lieber C. M. Epitaxial core–shell and core–multishellnanowire heterostructures // Nature. 2002. Vol. 420, Pp. 57-61.26. Xia Y., Yang P., Sun Y., Wu Y., Mayers B., Gates B., Yin Y., Kim F., Yan H. One-dimensionalnanostructures: Synthesis, characterization, and applications // Adv. Mater. 2003. Vol. 15, no.

5.Pp. 353-389.27. Wagner R. S., Ellis W. C. The vapor-liquid-solid mechanism of crystal growth and its applicationto silicon // Trans. Metall. Soc. AIME. 1965. Vol. 233, Pp. 1053-1064.28. Wu Y., Yang P. Germanium nanowire growth via simple vapor transport // Chem. Mater. 2000.Vol. 12, no. 3. Pp. 605–607.29. Ostwald W. Über die vermeintliche Isomerie des roten und gelben Quecksilberoxyds und dieOberflächenspannung fester Körpe // Z. Phys. Chem. 1900. Vol. 34. P. 495.11030. Allen J.

E., Hemesath E. R., Perea D. E., Lensch-Falk J. L., Li Z. Y., Yin F., Gass M. H., Wang P.,Bleloch A. L., Palmer R. E., Lauhon L. J. High-resolution detection of Au catalyst atoms in Sinanowires // Nature Nanotechnology. 2008. Vol. 3. Pp. 168-173.31. Wagner C. Theorie der Alterung von Niederschlägen durch Umlösen (Ostwald-Reifung) //Z. Elektrochem. 1961. Vol. 65, no. 7-8. Pp. 581-591.32. Lifschitz I. M., Slyozov V.V. The kinetics of precipitation from supersaturated solid solutions //J. Phys. Chem. Solids. 1961. Vol.

19. Pp. 35-50.33. Hannon J. B., Kodambaka S., Ross F. M., Tromp R. M. The influence of the surface migration ofgold on the growth of silicon nanowires // Nature. 2006. Vol. 440. Pp. 69-71.34. Sivakov V., Andrä G., Gawlik A., Berger A., Plentz J., Falk F., Christiansen S. H. Siliconnanowire based solar cells on glass: synthesis, optical properties, and cell parameters //Nano Letters. 2009. Vol. 9, no. 4. Pp. 1549–1554.35. Peng K.-Q., Yan Y.-J., Gao S.-P., Zhu J.

Synthesis of large-area silicon nanowire arrays via selfassembling nanoelectrochemistry // Adv. Mater. 2002. Vol. 14, no. 16. Pp. 1164-1167.36. Peng K.-Q., Hu J. J., Yan Y. J., Fang H., Xu Y., Lee S. T., Zhu J. Fabrication of single crystallinesilicon nanowires by scratching a silicon surface with catalytic metal particles //Adv. Funct. Mater. 2006. Vol.

16, no. 3. Pp. 387–394.37. Peng K.-Q., Wu Y., Fang H., Zhong X., Xu Y., Zhu J. Uniform, Axial-orientation alignment ofone- dimensional single-crystal silicon nanostructure arrays // Angew. Chem. Int. Edn. 2005.Vol. 44, no. 18. Pp. 2797–2802.38. Hochbaum A. I., Gargas D., Hwang Y. J., Yang P.

Single crystalline mesoporous silicon nanowires// Nano Letters. 2009. Vol. 9, no. 10. Pp. 3550-3554.39. Hochbaum A. I., Chen R., Diaz Delgado R., Liang W., Garnett E. C., Najarian M., Majumdar A.,Yang P. Enhanced thermoelectric performance of rough silicon nanowires // Nature. 2008.Vol.

451. Pp. 163 – 167.40. Nassiopoulou A. G., Gianneta V., Katsogridakis C. Si nanowires by a single-step metal-assistedchemicaletchingprocessonlithographicallydefinedareas:formationkinetics//Nanoscale Research Lett. 2011. Vol. 6. P. 597.41. Bai F., Li M., Song D., Huang R., Jiang B., Li Y. Template-free fabrication of siliconmicropillar/nanowire composite structure by one-step etching // Nanoscale Research Lett.

2012.Vol. 7. P. 557.42. Peng K.-Q., Zhang M., Lu A., Wong N. B., Zhang R., Lee S.-T. Ordered silicon nanowire arraysvia nanosphere lithography and metal-induced etching // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90, no. 16.P. 163123.11143. Zhang M.-L., Peng K.-Q., Fan X., Jie J.-S., Zhang R.-J., Lee S.-T., Wong N.-B. Preparation oflarge area uniform silicon nanowires arrays through metal-assisted chemical etching //J. Phys. Chem. C. 2008. Vol. 112, no. 12. Pp. 4444-4450.44.

Sivakov V. A., Brönstrup G., Pecz B., Berger A., Radnoczi G. Z., Krause M., Christiansen S. H.Realization of vertical and zigzag single crystalline silicon nanowire architectures //J. Phys. Chem. C. 2010. Vol. 114, no. 9. Pp. 3798–3803.45. Sivakov V., Christiansen S. Novel discovery of silicon // J.

Nanoelectron. Optoelectron. 2012.Vol. 7, no. 6. Pp. 583-590.46. Dorrer Ch., Rühe J. Wetting of Silicon Nanograss: From Superhydrophilic to SuperhydrophobicSurfaces // Adv. Mater. 2008. Vol. 20, no. 1. Pp. 159-163.47. Stubenrauch M., Fischer M., Kremin C., Stoebenau S., Albrecht A., Nagel O. Black silicon—newfunctionalities in microsystems // J. Micromech. Microeng. 2006. Vol. 16, no 6. Pp. S82-S87.48. Choi C.-H., Kim C.-J. Large slip of aqueous liquid flow over a nanoengineered superhydrophobicsurface // Phys. Rev.

Lett. 2006. Vol. 96, no. 6. 066001.49. Uhlir A. Electrolytic shaping of germanium and silicon // Bell. Syst. Tech. J. 1956. Vol. 35, no. 2.Pp. 333-337.50. Jung K. H., Shin S., Kwong D. L. Development in luminescence porous silicon //J. Electrochem. Soc. 1993. Vol. 140. Pp. 3046-3050.51. Лабуков В. А., Бондаренко В. Р., Борисенко В.Е. Получение, свойства и применениепористого кремния // Зарубежная электронная техника. 1978. Т.

15, вып. 3.52. Beale M. I. J., Chew N. J., Uren M. J., Cullis A.G., Benjamin J. D. Microstructure and formationmechanisms of porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 46, no. 1. Pp. 86-93.53. Smith R. L., Collins S. D. Porous silicon formation mechanisms // J. Appl. Phys. 1992. Vol. 71,no. 8. Pp. R1-R12.54. Lehmann V., Gösele U. Porous silicon formation: A quantum wire effect // Appl. Phys. Lett.

1991.Vol. 58, no. 8. Pp. 856-858.55. Kanemitsu Y. Light emission from porous silicon and related materials // Phys. Rev. 1995.Vol. 263, no. 1. Pp. 1-91.56 Lehmann V., Stengl R., Luigart A. On the morphology and the electrochemical formationmechanism of mesoporous silicon // Materials Science and Engineering B. 2000. Vol. 69–70.Pp. 11–22.57. Cullis A. G., Canham L. T., Calcott P. D.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
А знаете ли Вы, что из года в год задания практически не меняются? Математика, преподаваемая в учебных заведениях, никак не менялась минимум 30 лет. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6549
Авторов
на СтудИзбе
300
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее