Диссертация (1104273), страница 22
Текст из файла (страница 22)
12-20 (1995).152. Kovalev D., Heckler H., Polisski G., Koch F. Optical properties of Si nanocrystals //Phys. Stat. Sol. B. 1999. Vol. 215, no. 2. Pp. 871-932.153. Saito S., Suwa Y., Arimoto H., Sakuma N., Hisamoto D., Uchiyama H., Yamamoto J., SakamizuT., Mine T., Kimura S., Sugawara T., Aoki M. Stimulated emission of near-infrared radiation bycurrent injection into silicon (100) quantum well // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 95, no. 24.Pp.
241101.154. Sivakov V. A., Voigt F., Berger A., Bauer G., Christiansen S. H. Roughness of silicon nanowiresidewalls and room temperature photoluminescence // Phys. Rev. B. Vol. 82, 125446 (2010).155. Voigt F., Sivakov V., Gerliz V., Bauer G. H., Hoffmann B., Radnoczi G. Z., Pecz B., ChristiansenS.
Photoluminescence of samples produced by electroless wet chemical etching: Between siliconnanowires and porous structures // Phys. Stat. Sol. A. 2011. Vol. 208, no. 4. Pp. 893-899.156. Zhang C., Li C., Liu Z., Zheng J., Xue C., Zuo Y., Cheng B., Wang Q. Enhancedphotoluminescence from porous silicon nanowire arrays. Nanoscale Research Lett. 2013. Vol. 8,P.
277.157. Leontis I., Othonos A., Nassiopoulou A. G. Structure, morphology, and photoluminescence ofporous Si nanowires: effect of different chemical treatments // Nanoscale Research Lett. 2013.Vol. 8, P. 383.158. Qu Y., Zhoua H., Duan X. Porous silicon nanowires // Nanoscale. 2011. Vol. 3, no.
10.Pp. 4060-4068.159. Wolkin M. V., Jorne J., Fauchet P. M. Electronic states and luminescence in porous siliconquantum dots: the role of oxygen // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82, no 1. Pp. 197-200.119160. Yablonovitch E., Allara D. L., Chang C. C., Gmitter T., Bright T. B. Unusual low surfacerecombination velocity on silicon and germanium surfaces // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 57, no. 2.Pp.
249-252.161. Ishimaru A. // Wave propagation and scattering in random media (New York, Wiley-IEEE Press.,1999).162. Pnini R., Shapiro B. Fluctuation in transmission of waves through disordered slabs //Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39, no. 10. Pp. 6986-6994.163. Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. // Физика полупроводников (М., Наука, 1990).164. Лисаченко М.
Г., Константинова Е. А., Тимошенко В. Ю., Кашкаров П. К. Особенностирекомбинации неравновесных носителей заряда в образцах пористого кремния с различнойморфологией наноструктур // ФТП. 2002. Т. 36, № 3. C. 344-348.120.