Исследование оптических свойств одномерных и двумерных кремниевых нано- и микроструктур (1103203), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

С использованием метода осциллирующих электрических диполей рас­считана зависимость интенсивности комбинационного рассеяния светав одномерных фотонно-кристаллических структурах на основе пористо­го кремния от волнового числа возбуждающего излучения в областиволновых чисел 9000 – 12000 см−1 и дано объяснение экспериментальнонаблюдаемого эффекта многократного усиления стоксовой компонентырассеянного света. Предсказана возможность усиления антистоксовойкомпоненты комбинационного рассеяния света при возбуждении вбли­зи краев фотонной запрещенной зоны.4. Методом матрицы переноса проведен количественный анализ процессоввозбуждения и выхода фотолюминесценции нанокристаллов кремния сосредними размерами порядка 9 нм в слоистых структурах с общей тол­щиной от 80 до 330 нм на подложке кремния.

Найдены толщины буфер­ного и излучающих слоев, которые обеспечивают многократное (20 – 30раз) увеличение интенсивности сигнала фотолюминесценции в диапа­зоне длин волн 890 – 940 нм при возбуждении светом с длинами волн325 нм, 488 нм и 633 нм. Эффект усиления ФЛ объясняется интерфе­ренционным перераспределением возбуждающего и люминесцентногоизлучений в структуре и находится в согласии с результатами прове­денных экспериментов.22Список опубликованных статейA1. Dyakov S. A., Zhigunov D.

M., Hartel A., Zacharias M., Perova T. S., Timo­shenko V. Y. Enhancement of photoluminescence signal from ultrathin layerswith silicon nanocrystals // Appl. Phys. Lett. 2012. Vol. 100, no. 6. P. 061908.A2. Дьяков С. А., Астрова Е. В., Перова Т. С., Тиходеев С. Г., Гиппиус Н. А.,Тимошенко В. Ю. Оптические свойства щелевых кремниевых микро­структур: теория и эксперимент // ЖЭТФ. 2011. Т. 140, № 1. С. 92–97.A3. Zhigunov D. M., Seminogov V. N., Timoshenko V.

Y., Sokolov V. I., Gle­bov V. N., Malyutin A. M., Maslova N. E., Shalygina O. A., Dyakov S. A.,Akhmanov A. S., Panchenko V. Y., Kashkarov P. K. Effect of thermal an­nealing on structure and photoluminescence properties of silicon-rich siliconoxides // Physica E. 2009. Vol. 41, no. 6. Pp. 1006–1009.A4. Tolmachev V. A., Baldycheva A., Dyakov S. A., Berwick K., Perova T. S.Optical contrast tuning in three-component one-dimensional photonic crys­tals // J.

Lightwave Technology. 2010. Vol. 28, no. 10. Pp. 1521–1529.A5. Shaganov I. I., Perova T. S., Melnikov V. A., Dyakov S. A., Berwick K. Sizeeffect on the infrared spectra of condensed media under conditions of 1D, 2D,and 3D dielectric confinement // J. Phys. Chem. C. 2010. Vol. 114, no. 39.Pp. 16071–16081.A6. Dyakov S. A., Astrova E. V., Perova T. S., Tolmachev V.

A., Fedulova G. V.,Baldycheva A., Timoshenko V. Y., Tikhodeev S. G., Gippius N. A. Opticalspectra of two-dimensional photonic crystal bars based on macroporous Si //Proceedings of SPIE. Vol. 7943. 2011. P. 79431I.23Цитированная литература1. Born M., Wolf E., Bhatia A.

B. Cambridge Univ Pr, 1999.2. Benisty H., Stanley R., Mayer M. // J. Opt. Soc. Am. A. 1998. Vol. 15, no. 5.Pp. 1192–1201.3. Tikhodeev S. G., Yablonskii A. L., Muljarov E. A. et al. // Phys. Rev. B. 2002.Vol. 66. P. 045102.4. Astrova E. V., Perova T. S., Tolmachev V. A. et al.

// Semiconductors. 2003.Vol. 37, no. 4. Pp. 399–403.5. Benisty H., Labilloy D., Weisbuch C. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76.P. 532.6. Mihi A., Mı́guez H., Rodrı́guez I. et al. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71, no. 12.P. 125131.7. Pergande D., Geppert T. M., von Rhein A. et al. // J.

Appl. Phys. 2011. Vol.109. P. 083117.8. Mamichev D. A., Gonchar K. A., Timoshenko V. Y. et al. // J. Raman. Spec­trosc. 2011. Vol. 42. Pp. 1392–1395.9. Hartel A., Hiller D., Gutsch S. et al. // Thin Solid Films. 2011. Vol. 520.Pp. 121–125.24.

Характеристики

Список файлов диссертации